基于微环谐振器的小尺寸片上温度传感器

    公开(公告)号:CN113358238B

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202110640132.0

    申请日:2021-06-09

    Abstract: 本发明公开一种基于微环谐振器的小尺寸片上温度传感器,包括绝缘硅基底和设置在绝缘硅基底上的微环硅波导。微环硅波导由2条直硅波导、1条圆形硅波导和1条跑道形硅波导组成。绝缘硅基底由下层的硅基底和上层的二氧化硅基底叠加而成。本发明具有体积小、抗干扰能力强、功耗低、灵敏度高等特点,在一定程度上解决当前片上温度传感器较高灵敏度和较小尺寸不能共存的问题,在片上系统温度检测领域有较大的研究价值和应用潜力。

    一种基于磁隧道结的触发电路及电子设备

    公开(公告)号:CN115938419A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202211647724.6

    申请日:2022-12-21

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁隧道结的触发电路及电子设备,包括:主触发模块,用于发送触发信号;读逻辑模块,与主触发模块连接,读逻辑模块包括两条逻辑支路,每条逻辑支路包括一个磁隧道结以及反相放大单元,磁隧道结与反相放大单元连接,读逻辑模块用于根据磁隧道结的放电状态控制反相放大单元的工作状态,以输出与逻辑支路对应的支路电压;写入模块,与读逻辑模块连接,写入模块用于接收所述支路电压,并将支路电压写入与所述逻辑支路对应的磁隧道结进行存储。本发明实施例中,能够通过读逻辑模块实现读写电路分离,降低读电路错误率,并实现非易失性数据的存储。

    一种基于磁隧道结的自动控制电路及电子设备

    公开(公告)号:CN114999546A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202210589717.9

    申请日:2022-05-27

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁隧道结的自动控制电路及电子设备,包括:核心写入模块,包括两条写入支路,每条写入支路包括一个磁隧道结;写入检测模块,用于接收经过延时处理的延时信号,并在根据延时信号检测到目标支路中的所述磁隧道结处于写入完成状态的情况下,生成目标检测信号;使能控制模块,用于接收由外部发送的写入使能信号、写入信号以及由写入检测模块发送的目标检测信号,并根据写入使能信号、写入信号以及目标检测信号生成用于控制目标支路关闭写入状态的目标控制信号,使得核心写入模块根据所述目标控制信号关闭目标支路写入。本发明实施例中,通过对核心写入模块进行检测,能够解决磁隧道结功耗浪费的问题,实现对磁隧道结器件的保护。

    一种基于微环谐振器的全光二进制比较器

    公开(公告)号:CN114609728A

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202210232474.3

    申请日:2022-03-08

    Abstract: 本发明提供了一种基于微环谐振器的全光二进制比较器,利用微环谐振器对光的波长具有选择性的特点以构成光开关,将3个微环谐振器且与光波导合理组合,以实现由光学原理控制的两个二进制数比较,即实现了传统数字电路中的二进制比较运算。该二进制全光比较器利用微环谐振器代替传统的电学逻辑器件,避免了传统电学器件易受噪声信号的影响,结合光学传播特点实现了高速、低功耗的计算机信息处理功能;工艺方面实现了与CMOS工艺的兼容,使得器件的体积小,速度快,扩展性好以及低插入损耗特性,便于与其他器件的大规模集成。

    片上温度传感器、温度检测方法及片上系统

    公开(公告)号:CN114397038A

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202111660625.7

    申请日:2021-12-30

    Abstract: 本发明提供了一种片上温度传感器、温度检测方法及片上系统,其中,片上温度传感器包括:波导结构;波导结构包括输入波导、输出波导、级联微环谐振器以及级联输出波导;级联微环谐振器,包括第一微环和第二微环,第一微环靠近于输入波导的输入端,第二微环靠近于输出波导的输出端,第一微环、第二微环排列设置于级联输出波导一侧,第一微环的温度灵敏度与第二微环的温度灵敏度不相同。本发明实施例中,通过优化波导结构设计,能够在降低波导结构尺寸以节省芯片设计成本的同时提升传感器灵敏度,符合当前集成电路设计的发展方向。

    一种电机磁瓦缺陷分类方法

    公开(公告)号:CN113657532A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202110974305.2

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 本发明公开一种电机磁瓦缺陷分类方法,首先,输入端图像通过UPM模块进行定位,通过下采样块提取图像特征,再通过上采样重构图像,生成可能存在缺陷的区域的图像,然后对重构出来的缺陷图像通过堆叠,生成包括缺陷轮廓、缺陷邻域图像和原图像的多通道特征张量。然后,将该特征张量送入DenseNet121‑B分类网络,通过四层数量不等的卷积块进行特征提取,并通过转换层对通道进行挤压激励,强迫模型提取缺陷特征,最终通过Softmax层对前向传播特征进行激活,得到预测类别概率,进而完成缺陷分类。本发明具有更强的分类能力和鲁棒性。

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