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公开(公告)号：CN118521869A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410706333.X
申请日：2024-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
IPC: G06V10/82 , G06V10/20 , G06V10/764 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于改进YOLOv8的道路损伤检测方法，属于道路安全检测领域，该方法包括：以YOLOv8n网络模型为基础，首先，在主干网络中的SPPF模块中添加LSKA注意力，以增强网络在多个尺度上聚合特征的能力；其次设计了一种聚焦扩散金字塔网络FDPN代替了原模型颈部网络的PAN‑FPN网络结构，这种结构改进了特征图的空间信息，从而提高了小目标的检测精度，最后使用了一种共享卷积层轻量化的检测头SCLD‑Head代替原模型中的检测头，以提高模型的多尺度感知能力和减少模型参数量，最终得到了YOLOv8‑FD网络模型。本发明能有效减少模型的参数量和计算量，提高了道路损伤的检测效率和的检测精度。
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公开(公告)号：CN118519224A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410646462.4
申请日：2024-05-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种新型四通道CWDM光子晶体滤波器。将正方形晶格圆介质柱按28×29阵列放置在空气中，尺寸为82.92μm2，通过调节中心缺陷处长方形介质柱的长度和宽度进行选频，在输出波导处构造点缺陷以及增大输出波导两侧的介质柱提高透射率。对该结构反复进行仿真和分析，输出了1455.71nm、1464.02nm、1481.37nm、1495.55nm的谐振波长，均达到99％以上的透射率，并具有较好的品质因数，也给后续光子晶体滤波器的相关研究提供了有效的价值。
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公开(公告)号：CN113657532B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202110974305.2
申请日：2021-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/82 , G06V10/44 , G06N3/0464 , G06N3/045 , G06N3/084 , G06N3/048
Abstract: 本发明公开一种电机磁瓦缺陷分类方法，首先，输入端图像通过UPM模块进行定位，通过下采样块提取图像特征，再通过上采样重构图像，生成可能存在缺陷的区域的图像，然后对重构出来的缺陷图像通过堆叠，生成包括缺陷轮廓、缺陷邻域图像和原图像的多通道特征张量。然后，将该特征张量送入DenseNet121‑B分类网络，通过四层数量不等的卷积块进行特征提取，并通过转换层对通道进行挤压激励，强迫模型提取缺陷特征，最终通过Softmax层对前向传播特征进行激活，得到预测类别概率，进而完成缺陷分类。本发明具有更强的分类能力和鲁棒性。
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公开(公告)号：CN116953847A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310961327.4
申请日：2023-08-02
Applicant: 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种用于光片上网络的混合表面等离子体定向耦合器，包括二氧化硅衬底和两个平行邻近的混合表面等离子体波导。其中波导结构模型由矩形有机聚合物纳米线、二氧化硅层、和银层自上而下叠加而成，其中矩形有机聚合物纳米线材料由IPC‑E和聚砜(Polysulfone)制备的主客掺杂型电光聚合物(25％IPC‑E+Polysulfone)(折射率为1.67)。本发明具有尺寸小，优异的传输特性和耦合特性。在一定程度上解决了传统表面等离子体定向耦合器传输损耗偏大、弱耦合条件与实际制作加工难度、难以同时实现较强的场局域性与良好的传输特性的问题，对相关微纳光子器件的研究有借鉴意义，在未来的光片上网络领域将有很好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116565573A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310753494.X
申请日：2023-06-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于VO2幅度可调谐的超材料结构及其应用，属于可调谐超材料应用技术领域，超材料结构由依次设置的第一金属层、第一介质层、VO2层、第二介质层、第二金属层组成，其中，金属层的金属采用Al，介质层采用聚酰亚胺；本发明设计的结构在带通滤波器、调制器、传感器等方向都具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN113687227B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110974397.4
申请日：2021-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/82 , G06V10/25 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/08 , G01R31/34
Abstract: 本发明公开一种基于感兴趣区域增强的电机磁瓦缺陷分类方法，首先，构建分类模型，该分类模型由卷积层、特征还原层、最大池化层、4个卷积块、4个带特征还原的转换块和预测层组成；然后，获取电机磁瓦分类训练样本集，并利用电机磁瓦分类训练样本集对所构建的分类模型进行训练，得到训练好的分类模型；最后，采集待检测电机磁瓦的电机磁瓦表面灰度图，并将该电机磁瓦表面灰度图送入到训练好的分类模型中，由此得到待检测电机磁瓦的类别标签。本发明通过对特征张量的特征进行恢复和大范围空间关联，增强了电机磁瓦缺陷分类网络的感兴趣区域，从而提高了模型的分类与抗干扰能力，进而提升分类模型分类性能与鲁棒性。
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公开(公告)号：CN115064192A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210771643.0
申请日：2022-06-30
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明公开一种基于磁隧道结的读逻辑电路，由磁隧道结器件MTJ1～MTJ2、反相放大器I1～I2、PMOS晶体管PM0～PM5、以及NMOS晶体管NM0～NM4组成。该读逻辑电路包括预充电阶段和放电阶段两个阶段：当控制信号clk为低电平时，读逻辑电路进入预充电阶段；当控制信号clk为高电平时，逻辑读电路进入放电阶段。本发明将预充电电路和放电支路分离开来，有效地降低了读错误率；在预充电阶段，预充电电压的相关节点电压变小，有效的降低了电路的相关功耗。
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公开(公告)号：CN114967275A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210799616.4
申请日：2022-07-06
Abstract: 本发明公开一种用于光片上网络的光子晶体三通道全光开关，由正方晶格圆形介质柱结构的二维光子晶体构成；该二维光子晶体上设有3个光子晶体波导、3个光子晶体谐振腔、3个输入波导和3个输出波导。本发明仅在正方晶格圆形介质柱结构的二维光子晶体的基础上上进行介质柱的删减和介质柱尺寸的设计，并未进行介质柱的增加，且大部分介质柱的结构参数都相同，在实际制作时比较方便；采用硫系玻璃Ge20Sn10Se70和半导体材料Si制成，利用具有较高三阶非线性折射率系数的Ge20Sn10Se70硫系玻璃，实现了工作波长通信波段的光子晶体光开关。本发明具有结构简单、尺寸小和消光比高、品质因数大的特点。
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公开(公告)号：CN114565012A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210058175.2
申请日：2022-01-19
IPC: G06K9/62 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06T7/00 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/762 , G06V10/82
Abstract: 本发明涉及电机故障检测技术领域，尤其涉及一种基于机器视觉的电机磁瓦表面缺陷检测方法，通过配合高斯随机光照生成器对输入张量进行随机光照叠加，以生成光照不平衡图像参与模型训练，以达到提升电机磁瓦缺陷分类模型的整体性能的目的，同时采用了等像素亮度区间划分算法，通过对图像动态计算各亮度区间的像素，进行等量分割，然后通过K最近邻算法对游离点进行聚类，完成图层划分，最后并通过BP神经网络对各图层亮度进行校正，最后通过训练好的分类模型对待检测电机磁瓦表面灰度图进行检测分类，解决了现有的深度卷积神经网络对光照不平衡图像鲁棒性低、泛化性较弱的技术问题。
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