公开(公告)号：CN103137894A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210482420.9

申请日：2012-11-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 北野靖 ,  门间裕史 ,  下垣智子 ,  大泽信晴 ,  濑尾哲史

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  C07D403/12

CPC classification number: H01L51/0032 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5016

Abstract: 本发明的一个方式提供一种可以用作磷光化合物的主体材料的新颖有机化合物。另外，本发明的一个方式提供一种具有该有机化合物的发光元件。另外，本发明的一个方式提供一种具有该发光元件的发光装置、电子设备及照明装置。在包括夹持在一对电极之间的发光层的发光元件中，发光层至少包括有机化合物和磷光化合物，该有机化合物是通过亚芳基二苯并[f,h]喹喔啉骨架和具有两个取代基的氨基键合的化合物，该取代基分别是芳基或杂芳基。

公开(公告)号：CN102655222A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201210057926.5

申请日：2012-02-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  濑尾哲史 ,  大泽信晴 ,  下垣智子 ,  井上英子 ,  门间裕史 ,  尾坂晴惠 ,  铃木邦彦 ,  竹村保彦

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/0059 ,  H01L51/0067 ,  H01L2251/5384 ,  H01L2251/552

Abstract: 本发明的课题是提供一种外量子效率高的发光元件。本发明提供一种发光元件，包括：一对电极之间的包含客体、n型主体、p型主体的发光层，其中，从客体的三重激发态与基态之间的能量差减去n型主体(或p型主体)的三重激发态与基态之间的能量差而求得的值为0.15eV以上。在该发光元件中，由于不容易发生从三重激发态的客体到n型主体(或p型主体)的三重激发态的转移，所以高效地进行从处于三重激发态的客体的发光。或者，本发明还提供一种发光元件，其中，n型主体的LUMO能级比客体的LUMO能级高0.1eV以上或p型主体的HOMO能级比客体的HOMO能级低0.1eV以上。该发光元件在客体内高效地发生电子与空穴的复合，从而可以提高发光效率或外量子效率。

公开(公告)号：CN101851216A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010159822.6

申请日：2010-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野村洸子 ,  门间裕史 ,  牛洼孝洋 ,  下垣智子 ,  川上祥子 ,  濑尾哲史

IPC: C07D271/107 ,  C07D413/10 ,  C07D471/04 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

CPC classification number: C07D271/107 ,  C07D413/10 ,  C07D471/04 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1048 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/007 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/5052 ,  H01L51/5278 ,  H05B33/14 ,  H05B33/20

Abstract: 提供一种作为电子传输性高的物质的由以下通式(G1)表示的新的噁二唑衍生物。在通式中，Ar1表示取代或未取代的形成环的碳数为6至10的芳基。在Ar1具有取代基的情况下，该取代基是碳数为1至4的烷基或者形成环的碳数为6至10的芳基。Ar2表示取代或未取代的形成环的碳数为6至10的芳基或者取代或未取代的碳数为4至9的杂芳基。在Ar2具有取代基的情况下，该取代基是碳数为1至4的烷基或者形成环的碳数为6至10的芳基。R1及R2分别表示氢原子或者碳数为1至4的烷基。

公开(公告)号：CN118530162A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410588024.7

申请日：2018-11-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  铃木恒德 ,  桥本直明 ,  泷田悠介 ,  濑尾哲史

IPC: C07D209/80

Abstract: 本发明的目的是提供一种新颖的有机化合物。另外，本发明的目的是提供一种新颖的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种发光效率良好的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种寿命良好的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种驱动电压低的发光元件。提供一种由下述通式(G1)表示的二苯并[c,g]咔唑衍生物、以及使用该衍生物的发光元件。注意，R11至R22中的至少一个表示具有三环以上且六环以下的稠合芳香烃骨架的总碳原子数为14至60的取代基，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为3至6的环烷基以及碳原子数为6至25的取代或未取代的芳基中的任一个。

公开(公告)号：CN118458757A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410660785.9

申请日：2017-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小国哲平 ,  内田彩 ,  门间裕史

IPC: C01B32/194 ,  H01M10/056 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/052 ,  C01B32/198

Abstract: 本公开的发明名称是“二次电池及其制造方法”。提供一种在使用包含固体电解质的固体电池中防止正极与负极之间的短路的层。作为正极与负极之间的固体电解质，使用包含石墨烯化合物的层。包含石墨烯化合物的层能够使锂离子穿过。预先对包含石墨烯化合物的层添加锂离子。具体而言，使用修饰剂，并使用使扩大层间距离的醚、酯等官能团化学修饰的石墨烯化合物。

公开(公告)号：CN111372917B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN201880075855.7

申请日：2018-11-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  铃木恒德 ,  桥本直明 ,  泷田悠介 ,  濑尾哲史

IPC: C07D209/80 ,  C09K11/06 ,  F21K9/20 ,  H10K85/60 ,  H10K59/10 ,  H10K50/11

Abstract: 本发明的目的是提供一种新颖的有机化合物。另外，本发明的目的是提供一种新颖的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种发光效率良好的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种寿命良好的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种驱动电压低的发光元件。提供一种由下述通式(G1)表示的二苯并[c,g]咔唑衍生物、以及使用该衍生物的发光元件。注意，R11至R22中的至少一个表示具有三环以上且六环以下的稠合芳香烃骨架的总碳原子数为14至60的取代基，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为3至6的环烷基以及碳原子数为6至25的取代或未取代的芳基中的任一个。

公开(公告)号：CN115362081A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180025699.5

申请日：2021-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  八窪裕人 ,  池田隆之 ,  宫田翔希 ,  门间裕史 ,  荻田香

IPC: B60L58/27 ,  H01G11/18 ,  H01M10/48 ,  H01M10/615 ,  B60L3/00 ,  B60L58/18

Abstract: 提供一种控制二次电池的温度且不容易受到环境温度的影响的二次电池控制系统。通过使用多种二次电池控制温度，可以实现不容易受到环境温度的影响的二次电池控制系统，并将该系统安装在车辆上。具体而言，当环境温度较低时，利用第一二次电池的自发热加热第二二次电池的一部分，使得第二二次电池充分被加热，然后利用被升温的第二二次电池的一部分的自发热有阶段性地加热第二二次电池的其他部分。对第二二次电池的一部或全部是否被充分加热而言，将多个温度传感器设置在第二二次电池上，使得其温度在第二二次电池的使用温度范围内即可。例如，当温度传感器利用温度检测端子(T端子)检测出二次电池的内部温度在使用温度范围外时关闭开关。

公开(公告)号：CN114730873A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080081095.8

申请日：2020-11-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小松良宽 ,  嵯峨诗织 ,  门马洋平 ,  门间裕史 ,  大野敏和 ,  山崎舜平

IPC: H01M4/525

Abstract: 使用钴酸锂作为正极活性物质的二次电池有因进行反复充放电等而电池容量降低的问题。提供一种劣化少的正极活性物质粒子。该正极活性物质的制造方法包括将容纳锂氧化物及氟化物的容器配置在加热炉内的第一工序以及在含氧气氛下对加热炉内进行加热的第二工序，第二工序的加热温度为750℃以上且950℃以下。通过采用上述制造方法，可以使正极活性物质粒子包含氟，氟提高正极活性物质表面的润湿性而实现均匀化及平坦化。通过上述工序得到的正极活性物质在以高电压反复进行充放电时晶体结构不容易崩塌，包括具有这样特征的正极活性物质的二次电池的循环特性大幅度地提高。

公开(公告)号：CN114586192A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202080071374.6

申请日：2020-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荻田香 ,  门间裕史 ,  广濑智哉 ,  米田祐美子 ,  岩城裕司 ,  高桥辰义 ,  山崎舜平 ,  三上真弓 ,  种村和幸

IPC: H01M4/131 ,  H01M4/525 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/0566

Abstract: 提供一种循环特性优异的二次电池用正极。本发明是一种二次电池用正极，该二次电池用正极包括正极集流体层、基底膜、正极活性物质层及盖层，基底膜包含氮化钛，正极活性物质层包含钴酸锂，盖层包含氧化钛。通过将氮化钛用于基底膜，可以在确保充分的导电性的同时抑制正极集流体层的氧化或金属原子的扩散。通过将氧化钛用于盖层，可以抑制正极活性物质层和电解质的副反应或极活性物质的晶体结构的破坏来提高循环特性。

公开(公告)号：CN114556652A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202080071520.5

申请日：2020-10-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荻田香 ,  门间裕史 ,  广濑智哉 ,  米田祐美子 ,  岩城裕司 ,  高桥辰义 ,  山崎舜平

IPC: H01M10/0525 ,  H01M10/058 ,  H01M10/0562

Abstract: 提供一种循环特性优异的二次电池。一种全固态电池，该全固态电池是二次电池，并包括正极集流体层、基底膜、正极活性物质层、缓冲层以及固体电解质层，基底膜包含氮化钛，正极活性物质层包含钴酸锂，缓冲层包含氧化钛，固体电解质层包含钛化合物。通过将氧化钛用于缓冲层，可以抑制正极活性物质层和固体电解质层的副反应来提高循环特性。