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公开(公告)号：CN1816733A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480018993.X
申请日：2004-06-18
CPC classification number: G01F1/50 , G01F1/42 , G05D7/0635
Abstract: 本发明的课题在于使差压式流量计的构造简化而实现制造成本的降低，并且能够在100％～1％的较广的流量范围内实时地且以在线状态进行误差(E)为(1％SP)以下的高精度的流量计测。为此，在包括孔口测流计、孔口测流计上游侧的压力(P1)的检测器、孔口测流计下游侧的流体压力(P2)的检测器、孔口测流计上游侧的流体温度(T)的检测器、利用来自上述各检测器的检测压力(P1、P2)及检测温度(T)运算流过孔口测流计的流体流量(Q)的控制运算电路的差压式流量计中，根据(其中，C1为比例常数，m和n为常数)来运算前述流体流量(Q)。
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公开(公告)号：CN1809737A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200480017295.8
申请日：2004-06-10
CPC classification number: G01L19/02 , G01L9/065 , G01L19/0023 , G05D7/0635
Abstract: 本发明提供一种对压力传感器的时效零点漂移进行自动修正，能够不限于其工作期间对压力进行准确检测的压力传感器、使用该压力传感器的压力控制装置以及流量控制装置。具体地说，作为一种采用对流体压力进行测定的半导体压敏元件的压力传感器，将来自压力传感器的传感器输出电压通过放大器向外部输出，并将所述传感器输出电压通过D/A转换器输入给压力传感器时效零点漂移修正机构，在该时效零点漂移修正机构的传感器输出判定机构中判定所述传感器输出电压是否大于设定值，进而在所述时效零点漂移修正机构的动作条件判定机构中对压力传感器的动作条件进行判定，当所述传感器输出电压大于设定值且压力传感器的动作条件处于预先设定的动作条件下时，通过D/A转换器将与所述传感器的输出电压大小相等而极性相反的零点修正用电压输入给所述放大器的补偿端子，将压力传感器的时效零点漂移消除。
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公开(公告)号：CN1246887C
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN02800922.3
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/511 , C30B25/105 , H01J37/32192
Abstract: 本发明涉及使用放射线槽天线的微波等离子体处理装置，使放射线槽天线辐射面与构成处理室外壁的一部分，贴紧在与浇淋板贴紧的盖板上，在放射线槽天线上还通过设置冷却器，以便吸收于厚度方向在处理室外壁中流过的热流，从而使浇淋板的冷却效率最佳化，同时使微波激励效率最佳化。
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公开(公告)号：CN1748264A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480003650.6
申请日：2004-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
CPC classification number: H01L21/31691 , C01G35/00 , C01G35/006 , C01P2006/42 , C23C14/088
Abstract: 本发明目的在于降低Sr2(Ta1－xNbx)O7(0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。本发明是一种铁电膜的制造方法，具有膜形成工序和加热工序，在膜形成工序中，在处理室的至少目标物周边的内侧表面由与目标物同样的构成材质形成的处理室中，使等离子体中的离子冲击目标物，并使通过该冲击而产生的目标原子沉积在衬底上，从而形成铁电膜；在加热工序中，加热所述铁电膜并进行氧化。
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公开(公告)号：CN1738920A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200480002225.5
申请日：2004-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
Abstract: 根据本发明，在使得由处理容器内的铝合金构成的被处理体的温度处于预定温度的状态下，从处理气体供给源向处理容器内导入氧气和氪气的混合气体，通过微波在处理容器内产生等离子体。通过由此而产生的氧自由基在被处理体的表面进行自由基氧化处理，可在被处理体的表面形成致密且耐腐蚀性强的氧化物覆膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1242480C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN02807542.0
申请日：2002-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L27/092
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: 一种CMOS器件，包括在硅基片的(100)面上形成并具有其他结晶面的结构，以及由在所述结构上通过微波等离子体处理形成的高质量的栅极绝缘膜和在其上形成的栅电极构成的p通道MOS晶体管和n通道MOS晶体管，其中，设定所述结构的尺寸和形状，使得所述p通道MOS晶体管和n通道MOS晶体管之间的载流子迁移率平衡。
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公开(公告)号：CN1235272C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN02802155.X
申请日：2002-06-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L21/31 , C23C16/511 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32192
Abstract: 在处理容器(22)的内部，设有装载台(24)，用来装载半导体晶片(W)。微波发生器(76)产生微波，通过平面天线部件(66)导入到处理容器(22)内。平面天线部件(66)具有沿若干圆周排列的若干贯通孔(84)，所述若干圆是非同心圆。平面天线部件径向的等离子体密度分布均匀。
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公开(公告)号：CN1229855C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN02800919.3
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32238 , H01J37/32192 , H01J37/32357 , H01J37/3244
Abstract: 一种等离子体处理装置，由：通过外壁围成、并具备保持被处理基板的保持台的处理容器；与上述处理容器连接的排气系统；向上述处理容器中供给等离子体气体的等离子体气体供给部；对应于上述被处理基板而设置于上述处理容器上的微波天线；以及面对上述被处理基板设置在上述保持台上的被处理基板与上述等离子体气体供给部之间的处理气体供给部；构成。上述处理气体供给部由：形成于上述处理容器中内、使等离子体通过的多个第1开口部；可连接于处理气体源的处理气体通路；与上述处理气体通路连通的多个第2开口部；以及相对上述第2开口部设置、使由上述第2开口部排放出的处理气体扩散的扩散部；构成。
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公开(公告)号：CN1227572C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN99800859.1
申请日：1999-05-27
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
Abstract: 一种具备压力式流量控制装置的气体供给设备更其在将节流孔的上游侧压力保持成为节流孔的下游侧压力的约2倍以上的状态下，一边进行气体的流量控制，一边通过节流孔对应阀向加工过程供给气体。该压力式流量控制装置包括：从气体供给源接受气体的控制阀，设置在控制阀下游侧的节流孔对应阀，设置于前述控制阀与节流孔对应阀之间的压力检测器，设置于节流孔对应阀的阀动机构部下游侧的节流孔，在根据前述压力检测器的检测压力P1将流量作为Qc＝KP1(式中K为常数)进行运算、同时将流量指令信号Qs与运算流量Qc的差作为控制信号Qy向控制阀的驱动部输出的运算控制装置。
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公开(公告)号：CN1613279A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN02826884.9
申请日：2002-10-11
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32238 , H01J37/32192
Abstract: 通过提高微波的传播效率，得到能扩宽可形成等离子体加工条件范围的等离子体加工装置和处理装置。等离子体加工装置是具有用等离子体进行处理的处理室(1，2)和将微波导入处理室的微波导入单元(3a～6a，3b～6b，19a，19b)的等离子体加工装置，微波导入单元(3a～6a，3b～6b，19a，19b)包括使微波透过的电介质构件(5a，5b，19a，19b)。与微波透过的电介质构件的透过方向大致垂直方向上的电介质构件的断面形状，是可使大致单一模式的微波透过的形状。在设透过电介质构件的单一模式的微波的波长为λ，任意整数为m时，透过方向上的电介质构件的厚度T，满足(λ×(2m+0.7)/4)≤T≤(λ×(2m+1.3)/4)这样的条件。
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