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公开(公告)号:CN101083098A
公开(公告)日:2007-12-05
申请号:CN200710105867.3
申请日:2007-06-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/00456 , G11B7/0053 , G11B7/24038 , G11B7/246 , G11B7/257 , G11B20/1217 , G11B2020/122 , G11B2020/1298 , G11B2220/235 , G11B2220/237 , G11B2220/2579
Abstract: 公开了一种光学记录介质、信息记录方法、及信息再现方法,提供层间串扰低且能获得稳定且高质量记录特性的光学记录介质。为此目的,在该光学记录介质中,在第一记录部分和第二记录部分中间提供了被控制其厚度变化以小于或等于预定值的中间层。
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公开(公告)号:CN101055736A
公开(公告)日:2007-10-17
申请号:CN200710095876.9
申请日:2007-04-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038
Abstract: 本发明提供了一种光盘、光盘设备以及光盘再现方法。根据一个实施例,一种多层光盘包括三个或更多记录层(L0、L1、L2),并满足下列条件之一:(1)Rn/((Rn-1+Rn-2)/2)>0.6;和(2)Rn×(100-Rn-1)2/(Rn-2×Rn-1×Rn-1)>30,这里Rn(%)是从再现光入射其上的表面(IS)看去时的第n层(n>2)的反射率。
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公开(公告)号:CN101013586A
公开(公告)日:2007-08-08
申请号:CN200710003356.0
申请日:2007-02-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/0013 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变光盘,其具有基片(1a,1b)和包括干涉膜、相变记录膜、分界面膜和反射膜的多层结构(19,20),在该相变光盘中可使用光可逆地把信息记录到记录膜上或从记录膜上擦除,构成相变记录膜的元素(例如,锗或碲)从接触相变记录膜(13a,13b)的部分(21a,21b)起在记录膜的厚度方向上具有偏析分布或浓度分布。
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公开(公告)号:CN1953073A
公开(公告)日:2007-04-25
申请号:CN200610142564.4
申请日:2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体,具有能利用光照射可逆地记录和擦除的相变型记录膜、和至少一层介电体膜,其特征在于:上述介电体膜的至少一层为含有Si、O和C的SiOC膜,其C浓度为0.1-30原子%。
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公开(公告)号:CN1311451C
公开(公告)日:2007-04-18
申请号:CN03159492.1
申请日:2003-09-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00718 , G11B7/257 , G11B7/258
Abstract: 根据本发明的一个实施例的相变光记录介质包括衬底(1)、反射光束的反射层(6)、相变记录层(4),该相变记录层位于衬底和反射层之间并且当用光束照射时在晶态和非晶态之间变化,位于衬底和反射层之间的第一介电层(2),以及位于衬底和第一介电层之间的第二介电层(3),该介电层的导热率低于第一介电层的导热率。
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公开(公告)号:CN1294582C
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200410063411.1
申请日:2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体,具有从光入射侧依次层叠第一介电体膜、相变型记录膜、第二介电体膜、反射膜而成的叠层结构,上述相变型记录膜利用光照射被可逆地记录和擦除,其特征在于:上述第一介电体膜是依次层叠高折射率介电体膜、低折射率介电体膜和高折射率介电体膜而成的层叠介电体膜,上述低折射率介电体膜为含有Si、O和C,且C浓度为0.1-30原子%的SiOC膜。
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公开(公告)号:CN1811943A
公开(公告)日:2006-08-02
申请号:CN200510119162.8
申请日:2005-11-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B27/24 , G11B7/00736 , G11B7/246 , G11B7/2467 , G11B7/2472 , G11B7/248 , G11B7/2495 , G11B7/2534 , G11B2007/24612 , G11B2220/2537
Abstract: 作为本发明一个例子的一种信息存储介质,包括由对第一波段光束和比第一波段短的第二波段光束具有预定或更高灵敏度水平的染料形成的记录层(1)。所述记录层包括同心的管理信息区(11)和同心的数据区(21)。所述管理信息区包括多个通过第一波段光束形成且沿圆周方向排列的条状图案。多个沿圆周方向排列的条状图案形成管理信息。所述数据区可以通过第二波段光束记录数据。
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公开(公告)号:CN1783236A
公开(公告)日:2006-06-07
申请号:CN200510109644.5
申请日:2005-09-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/0053 , G11B7/263
Abstract: 根据本发明的实施例的一种信息存储媒体包括同心的管理信息区域(1)。管理信息区域具有包括沿径向对准的多个凹槽(11)或标记(12)的集合的沿周向的多个条状图案(10)。沿周向对准的多个条状图案构成管理信息。
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公开(公告)号:CN1677527A
公开(公告)日:2005-10-05
申请号:CN200510062865.1
申请日:2005-04-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/246 , G11B7/2467 , G11B7/2472 , G11B7/2495 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B2007/24612
Abstract: 本发明公开了一种一次性写入式信息记录介质(28),包括具有在其上形成的同心或螺旋状的凹槽(21)和非凹陷部分(30)的透明树脂基材(20),和在透明树脂基材(20)的凹槽(21)和非凹陷部分(30)上形成的记录膜(24),其中记录标记在该介质上通过发射短波激光而形成,所述记录介质具有L到H特点,其中通过发射短波激光而形成的记录标记部分的光反射率高于在发射短波激光之前得到的光反射率。
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公开(公告)号:CN1614704A
公开(公告)日:2005-05-11
申请号:CN200410089695.1
申请日:2004-10-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体,具有配置在靠近光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第一信息层;配置在远离光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第二信息层;以及设置在上述第一信息层和第二信息层之间的层间分离层,第一信息层及第二信息层中的至少一个包含与层间分离层接触的噪声缓和膜,噪声缓和膜由SiOx(1≤x≤2)或SiOC形成。
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