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公开(公告)号：CN101840307A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200910172876.3
申请日：2009-09-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7207 , G06F2212/7209
Abstract: 本发明涉及控制器和存储器系统。一种控制器(10；110)包括：用于转译表的存储器(32)，该转译表表明闪速存储器(11)中的逻辑地址和物理地址的彼此相对应；存储FAT信息和FAT信息标识符的另一存储器(34)，该FAT信息指示在每一个块中包含的每一个页中所存储的数据的状态，每一个FAT信息标识符识别这样的页所属于的块，这些页中的每一个都在其中存储有处于由FAT信息所指示的状态的数据，同时FAT信息和FAT信息标识符保持彼此对应；用于块管理表的又一存储器(36)，该块管理示出块标识符、使用状态判断信息以及FAT信息标识符且保持它们彼此相对应，其中使用状态判断信息指示对应的块为已使用/未使用，FAT信息标识符与通过使用状态判断信息指示为已使用的所有块相对应；以及控制器控制单元(28；128)，其通过使用转译表、FAT信息以及块管理表来管理在闪速存储器(11)中存储的数据。
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公开(公告)号：CN101632068A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200880008447.6
申请日：2008-12-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F3/0604 , G06F3/0616 , G06F3/0631 , G06F3/064 , G06F3/0656 , G06F3/0658 , G06F3/0679 , G06F3/0685 , G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7209 , G11C11/5628
Abstract: 一种半导体存储装置包括：配置在易失性半导体存储器中的第一存储器区11、配置在非易失性半导体存储器中的第二和第三存储器区12和13、以及执行下面的处理的控制器10。控制器10执行：第一处理，用于通过第一单位将多个数据存储在所述第一存储器区中；第二处理，用于通过第一管理单位将从所述第一存储器区输出的数据存储在所述第二存储器区中；以及第三处理，用于通过第二管理单位将从所述第一存储器区输出的数据存储在所述第三存储器区中。
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公开(公告)号：CN100565703C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610142990.8
申请日：2006-10-26
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 菅野伸一
CPC classification number: G06F11/1072 , G06F11/1068 , G11C11/5642 , G11C29/00 , G11C2029/0411 , G11C2211/5634
Abstract: 一种信息再生装置，包括：存储部件，存储电荷；读取部件，获得存储在存储部件中的电荷量，并通过确定基于电荷量和第一阈值的比较的值来读取信息；误差检测部件，确定所读取的信息是否有误差；阈值产生部件，当误差检测部件确定出所述信息具有误差时，产生第二阈值，第二阈值的值与用于读取所述信息的第一阈值的值不同。在误差检测部件确定所述信息有误差后，读取部件进一步通过确定基于电荷量和第二阈值的比较的值来读取信息。
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公开(公告)号：CN1936852A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610071563.5
申请日：2006-03-30
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 菅野伸一
CPC classification number: G11B20/1833 , G11B20/18 , G11B27/36
Abstract: 存储介质再现设备，包括存储单元、纠正历史存储单元、纠正历史实现单元和纠正单元。存储单元包括根据电荷量是否大于预定电荷量阈值而存储信息的多个信息存储单元，以及为存储在多个信息存储单元中的信息存储纠错码的纠错码存储单元。纠正历史存储单元存储包含用于使用纠错码纠正的信息存储单元的识别信息以及纠正内容的纠正历史。当从信息存储单元中读出信息时，纠正历史实现单元按照纠正内容纠正信息。纠正单元使用纠错码对纠正的信息实施纠正操作，并且记录纠正的信息存储单元的纠正历史。
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