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公开(公告)号：CN114279602B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202111614225.2
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于二维金属硫化物和压电薄膜的压力传感器及制备方法，压力传感器包括上层柔性结构和下层柔性结构，所述上层柔性结构包括上层柔性基底，上层柔性基底的下表面凸出有若干微结构，上层柔性基底的下表面附着有压电薄膜；所述下层柔性结构包括下层柔性基底，下层柔性基底的上表面附着有一层二维过渡金属硫化物导电涂层，二维过渡金属硫化物导电涂层上连接有电极，微结构处的压电薄膜与二维过渡金属硫化物导电涂层接触。二维过渡金属硫化物具有较高的载流子迁移率，对于外部电场变化具有较高灵敏度，将其与压电薄膜配合应用于本发明涉及的压力传感器，可以检测到更细微的压力，使压力传感器的响应范围更大，精度更高。
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公开(公告)号：CN118654800A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410966076.3
申请日：2024-07-18
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01L5/1627 , G01L1/22 , G01L25/00
Abstract: 本发明属于微机电系统技术领域，具体涉及基于SOI的硅纳米线压阻式三维力传感器及其制备工艺。传感器基于SOI硅片；SOI硅片中顶层硅包括受力体以及设于受力体四周且均匀分布的硅纳米线；受力体四个角处采用U型结构作为支撑梁；顶层硅上设有与体硅电连接的正电极和负电极。本发明的新型力传感器，由U型结构支撑梁和硅纳米线共同支撑受力体，采用具有巨压阻效应的单晶硅纳米线代替传统的使用压敏电阻的压阻式力传感器，能实现三维力的解耦以及更加敏锐地感知外界施加的力，实现对微小压力变化的高度响应。本发明具有稳定性高、可靠性高，且能够在小型化设备中实现高灵敏度力测量的特点。
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公开(公告)号：CN117870726A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410045239.4
申请日：2024-01-12
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01C25/00
Abstract: 本发明公开了一种带锁止功能的MEMS惯性振动平台。本发明包括压电振动台和静电锁止台。所述压电振动台为中心对称结构，包括支撑框、中心台面、L型梁以及传感器接口，所述传感器接口位于所述中心台面上表面，所述中心台面通过L型梁与支撑框直接接触；所述静电锁止台为中心对称结构，包括锁止凸台、限位器以及绝缘衬底，所述锁止凸台略大于压电振动台中心台面的长方体，所述限位器位于所述锁止凸台上表面，环绕整个锁止凸台；所述绝缘衬底位于锁止凸台下方，并与锁止凸台直接相连。本发明能够有效地提高MEMS惯性传感器的长期稳定性和测量准确性，降低校准过程的复杂性和成本，为多自由度惯性信息的准确采集提供了可靠的技术支持。
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公开(公告)号：CN114384141B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202111634045.0
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明提供了一种硅纳米线生物传感器及其制备方法和应用。首先通过硅烷化在硅纳米线表面接枝不同分子量的改性聚乙二醇，再通过脱水缩合反应将末端携带羧基的DNA探针稳定的固定在硅纳米线上。本发明通过不同分子量的聚乙二醇调节目标分子到硅纳米线表面的距离，进而克服德拜屏蔽效应，提高检测灵敏度，而且高分子量的聚乙二醇起到空间位阻作用，避免其他蛋白质或小分子核酸等杂物吸附在硅纳米线表面造成信号干扰，进而提高检测特异性和准确度。
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公开(公告)号：CN117571799A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311462845.8
申请日：2023-11-06
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于饮用水水质检测装置设备技术领域，具体涉及集成式家庭水质监测设备。集成式家庭水质监测设备包括缓冲池、控制主板、设于控制主板底部的pH传感器、游离氯传感器和浊度传感器；所述控制主板上设有主控芯片、放大电路电路板、WIFI传输电路以及LCD液晶显示屏；所述pH传感器、游离氯传感器和浊度传感器均与放大电路电路板电连接；所述放大电路电路板、WIFI传输电路以及LCD液晶显示屏均与主控芯片电连接；所述pH传感器、游离氯传感器和浊度传感器的检测部分进入缓冲池内。本发明具有设备体积小，节约成本，易安装，且能够使用户可在线监测家庭饮用水水质的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117547305A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311678946.9
申请日：2023-12-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种集成MEMS压力传感器的柔性超声血压测量装置及制备方法。该集成MEMS压力传感器的柔性超声血压测量装置，通过MEMS压力传感器实现压力的精确测量，可以根据压力值对血压测量进行实时补偿，使得测量结果更加准确可靠，最终实现带压力补偿的准确、实时、非侵入式的血压测量。该集成MEMS压力传感器的柔性超声血压测量装置，采用1‑3型压电复合材料提供了更好的压电性能并和人体组织的声学性能相匹配，Cu/PI蛇形电路的可延展性能赋予了器件具备柔性化和可穿戴化的特性，柔性衬底PDMS使器件更加柔软和弹性，增强器件的适应性和贴合性的同时也防止了器件被氧化损坏。
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公开(公告)号：CN116793546A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310008683.4
申请日：2023-01-04
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01L1/22
Abstract: 本发明公开了一种具有针状结构的高灵敏度阵列式触觉传感器。本发明包括金属电极、敏感单元、硅梁、压敏电阻和芯片框架；本发明采用具有支撑结构的质量块连接接触器顶部与微梁结构达到检测和分离垂直作用力与横向作用力的效果。采用微梁结构，改变原有扭转变形，通过直拉直压模式，将绝大部分的应力应变集中于梁上，贡献于压敏电阻的检测，与传统的压阻式传感器相比，很大程度的提高了传感器的灵敏度。采用压阻原理对摩擦力、压力等触觉力进行测量，法向力与剪切力的测量皆采用梁结构，在相同的负载下，相比于电容式传感器，在以不损耗灵敏度的前提下，实现芯片的小型化。
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公开(公告)号：CN115321474A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211096126.4
申请日：2022-09-06
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于SOI硅片的硅纳米线陀螺仪的制备方法，选取SOI硅片，在其顶层硅表面制备氮化硅薄膜，形成介质掩膜层；在介质掩膜层形成三个三角形图案，并刻蚀图案处的氮化硅形成三个三角形窗口；之后对三角形窗口处的硅进行干法刻蚀，制得三个深度一致的竖直三角形槽；刻蚀竖直三角形槽下的氧化层，接着再刻蚀底层硅；对竖直三角形槽进行各向异性湿法腐蚀，形成六边形腐蚀槽，且相邻的六边形腐蚀槽之间形成单晶硅薄壁结构，三个六边形腐蚀槽中间出现两个相对的锥体结构；100晶向的底层硅出现腐蚀槽将顶层硅上的相连的锥体结构释放构成质量块，得到氮化硅薄膜和三根硅纳米线共同支撑质量块。本发明的硅纳米线陀螺仪的灵敏度更高。
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公开(公告)号：CN114323395B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202111595510.4
申请日：2021-12-23
Abstract: 一种基于SOI工艺的MEMS六轴力传感器芯片及其制备方法，芯片由SOI器件层和玻璃器件层键合组成；SOI器件层包括顶层硅结构、埋氧层结构和衬底层硅结构；顶层硅结构包括第一中心质量块，第一中心质量块通过蟹腿型梁和顶层边框连接，顶层边框和中心质量块之间设有梳齿电容；埋氧层结构包括释放区和非释放区；衬底层硅结构包括第二中心质量块，第二中心质量块通过T型梁和衬底层边框连接，第二中心质量块中部设有安装腔体，外部的载荷传递立柱安装于安装腔体当中，将力/力矩传递到第二中心质量块；本发明实现六轴力的解耦检测，易于电路集成；以SOI晶圆和玻璃圆片为基础，结合光刻、浅刻蚀等工艺实现芯片的制备，工艺简单，易于批量制造。
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公开(公告)号：CN113210348B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110447883.0
申请日：2021-04-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于红外阵列测温的超声波在线除垢防垢智能系统。本发明以超声波电源驱动的超声波换能器为功率器件，向管道发生超声波，在管道和其中的液体介质中产生空化效应、高速微涡效应和剪切效应，较传统的高压水枪冲洗、人工清洁和化学试剂清理实现工作效率提高、清洁成本降低和环境污染减小；本发明以红外阵列测温传感器作为清洁效果反馈的输入端，较一般的超声波除垢设备，起到了实时监测除垢效果和不用停产和拆卸管道以检查清洁效果的功效；本发明结合红外阵列测温传感器提供的管道温度信息，实时调节换能器工作功率，较一般的超声波设备取得了节省能耗和延长清洁设备寿命等功效。
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