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公开(公告)号：CN118248263A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410376775.2
申请日：2024-03-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/28 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种电场作用下微气泡迁移的研究方法，包括以下步骤：S1、选择透光的导电液体，并在导电液体中加入微气泡；导电液体的两侧分布有石墨电极；S2、对已导入微气泡的导电液体施加电场，通过对电场强度的改变以及微气泡尺寸大小，分别得到同一微气泡尺寸不同电场以及不同微气泡尺寸相同电场的迁移状况；S3、建立电场作用下微气泡在导电液体中迁移运动的系统模型；S4、对系统模型进行编译并仿真。本发明选用导电液体，注入微气泡并且施加适当强度的电场，进行微气泡迁移的研究，能够改善激光加工深度不够的问题，并且形态较为稳定；通过该方法能够有效地得到更高质量，更优质性能的微纳器件。
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公开(公告)号：CN113387323B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110564032.4
申请日：2021-05-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电场控制Ag2Ga纳米针阵列成形的制备方法，包括步骤：S1、通过光刻、蚀刻以在第一硅基板表面阵列形成针尖结构；S2、在针尖结构的尖端处镀一层镉薄膜和银薄膜，以形成探针阵列硅基底；S3、在第二硅基板表面涂覆一层镓膜，并进行加热以使镓膜成为液态，以形成镓膜衬底；S4、将镓膜衬底滑动连接于水平滑轨上；S5、将探针阵列硅基底滑动连接于垂直滑轨上；S6、对镓膜衬底与探针阵列硅基底接通直流电源，以形成电场；S7、通过控制电场强度，以及镓膜衬底、探针阵列硅基底于水平滑轨、垂直滑轨上的滑动方向、滑动速度，以在探针阵列硅基底与镓膜衬底之间形成相应形状的Ag2Ga纳米针。本发明实现了Ag2Ga纳米针阵列成形且形状可控。
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公开(公告)号：CN117178794A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311255758.5
申请日：2023-09-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: A01G13/02
Abstract: 本发明一种便捷高效自动遮荫装置，包括第一遮荫机构、第二遮荫机构，第二遮荫机构设置于第一遮荫机构的两侧，第一遮荫机构连接平面遮荫网，第一遮荫机构控制平面遮荫网的收展；第二遮荫机构连接侧面遮荫网，第二遮荫机构控制侧面遮荫网的收展。本发明采用了摆线组件和配重组件，其中摆线组件的曲柄滑块机构能够稳定引导动力线，配重组件用于维持引导线的张力，保证绕线过程的质量。并通过引线轮的布置使其能够更好地引导线材，确保线材在绕线过程中不会打结或跳线。配重组件中的重物和限位管设计有限位块，可以限制重物的位移和姿态，从而保证引导线的张力和稳定性，减少了线材绕线时可能出现的问题，如打结等，从而提高了工作效率和产品质量。
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公开(公告)号：CN116686507A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310804736.3
申请日：2023-07-03
Abstract: 本发明属于农业机器人技术领域，具体涉及具有扬尘抑制功能的智能施肥装置。装置包括：运输组件、抑尘施撒组件、预处理组件、固定组件和控制面板，运输组件的一端连接预处理组件，另一端连接抑尘施撒组件；运输组件用于执行肥料运输动作；抑尘施撒组件用于执行施撒和抑尘动作；预处理组件用于执行装载和打散动作；固定组件包括支架、抱箍、连接脚架和连接件；支架的一端与预处理组件连接，另一端与连接脚架连接；控制面板固定于支架上。本发明具有能够均匀施撒肥料，兼顾扬尘抑制，又能按照农户要求智能调节施肥量的特点。
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公开(公告)号：CN110008650B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN201910411740.7
申请日：2019-05-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明涉及一种三维光子晶体内部缺陷成型定位的建模方法，包括：定义硅基三维光子晶体上的二维阵列圆柱孔的尺寸参数；调节超声波的参数变量以定位硅基三维光子晶体内部缺陷中心位置；建立超声温度场数学模型方程；根据二维阵列圆柱孔的尺寸参数，调节超声波长以控制硅基原子的定向运动，且基于超声温度场数学模型方程，以控制硅基内部缺陷的成型。本发明利用声辐射力对硅基原子的定向运动机理，基于相场模型改变声辐射力的大小来控制内部缺陷的定位，建立了超声温度场数学模型，通过改变外加超声驻波的参数来调节声辐射力大小，研究三维光子晶体内部缺陷位置的变化机理，为周期性规则排列的三维光子晶体的数值模拟提供了新的思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112776325B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202011601163.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 三维超声阵列无支架细胞打印装置及其打印工艺，包括细胞输送机构、打印平台、平台驱动机构、输送驱动机构和三维超声阵列微势阱发生系统，打印平台安装在平台驱动机构上，细胞输送机构安装在输送驱动机构上，三维超声阵列微势阱发生系统与打印平台连接，在打印平台内形成平面声压微势阱，在打印平台上形成多个不同高度的平面声压微势阱，来实现对需要在不同高度打印的细胞进行定位，采用构建三维阵列声压势阱的方式构建细胞三维体系，可操控性更好，能用于多种细胞、多种环境下的细胞三维打印，具有极好的普适性。
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公开(公告)号：CN114273106A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111648510.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于流体力学技术领域，具体涉及气动微液滴发生器及其制备工艺。气动微液滴发生器包括进气板、底板、腔室芯板、第一超薄防水胶带和第二超薄防水胶带；所述进气板通过第一超薄防水胶带与腔室芯板粘合；所述腔室芯板通过第二超薄防水胶带与底板粘合。制备工艺包括S1，对腔室芯板进行激光烧蚀，使喷嘴微流通道和分支脉冲通道成型；S2，对喷嘴微流通道进行疏水处理；S3，将进气板通过第一超薄防水胶带与腔室芯板粘合；将腔室芯板通过第一超薄防水胶带与底板粘合，完成气动微液滴发生器制备。本发明具有能有效防止细胞损伤，且制备工艺简单，成本低廉的特点。
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公开(公告)号：CN113414498A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110649216.0
申请日：2021-06-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B23K26/362 , B23K26/402 , B23K26/70
Abstract: 本发明公开了一种超声辅助激光烧蚀聚合物表面成形的制备系统及方法，方法包括S1、将基板安装于三维微位移平台上表面，将聚合物安装于基板上表面，将基板与超生振动装置连接；S2、将保护罩安装于基板上表面以包围聚合物，闭合保护罩顶部，抽出罩内气体，真空后持续输入惰性气体至罩内；S3、打开超声振动装置以使基板产生超声振动，并将超声振动传递至聚合物；S4、打开保护罩顶部，控制激光发生装置发出相应角度激光以对聚合物进行烧蚀；S5、控制三维微位移平台位移，以间接控制激光烧蚀的扫描速率、方向，以在聚合物上制备相应的烧蚀结构。本发明优点为利用超声波效应释放聚合物残余内应力，使聚合物不同区域成分更加均匀，表面微结构成形更稳定。
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公开(公告)号：CN113390950A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110591501.1
申请日：2021-05-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N27/626
Abstract: 本发明属于微纳米热‑电耦合诱导结构成型技术领域，具体涉及便捷式热‑电耦合诱导聚合物成型实验装置及其实验方法。包括滚珠丝杠、丝杠、千分尺滑台、连接件、装夹件、基板、下导电板、氧化铝陶瓷槽、直流稳压电源、高温加热平台、诱导模板和上导电板；所述滚珠丝杠与丝杠组合连接；所述装夹件与连接件固定连接；所述氧化铝陶瓷槽置于高温加热平台上方；所述下导电板置于氧化铝陶瓷槽中；所述基板置于下导电板上方；所述诱导模板固定于装夹件下方；所述装夹件底部设有凹槽，所述上导电板位于装夹件底部的凹槽中。本发明具有能够提高实验安全性和便捷性的特点。
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公开(公告)号：CN111705361A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010543296.7
申请日：2020-06-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种内部球形空腔阵列稳定成形的三维光子晶体制备方法，包括步骤：S1：在硅基光子晶体表面离子刻蚀出规则排列的二维阵列微孔；S2：采用两块水平的钼板作为电场的两个电极板，钼板电极分别与直流电源连接；S3：将硅片样品放置在水平管式炉的高温加热区内，保证管内真空环境，向管内通入一定流量的纯氩气；S4：将钼板放置在水平管式炉的上下两侧；S5：调节直流电压控制电场强度，并进行热处理。本发明在温度场的基础上，拟通过引入电场，通过调节电场强度、方向、作用时间等参数，利用热-电耦合抵消内部机械应力，来保障硅基内部结构的稳定成形。
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