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公开(公告)号：CN116794123A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310035759.2
申请日：2023-01-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N27/26 , G01N27/30 , G01N33/569
Abstract: 本发明公开了一种适用于全血液的中和抗体电化学传感器及其使用方法，其包括可折叠式的引流区、反应区以及吸附区。所述反应区的工作电极涂有PEDOT:PSS导电水凝胶材料，再通过PEG对其进行‑OH基团修饰，使其可以固定特异性生物识别分子。本发明检测装置可及时快速地对中和抗体浓度进行定量检测，可用于全血检测，可实现极低浓度的检测，灵敏度高，检测效果好。
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公开(公告)号：CN113390950B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202110591501.1
申请日：2021-05-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N27/626
Abstract: 本发明属于微纳米热‑电耦合诱导结构成型技术领域，具体涉及便捷式热‑电耦合诱导聚合物成型实验装置及其实验方法。包括滚珠丝杠、丝杠、千分尺滑台、连接件、装夹件、基板、下导电板、氧化铝陶瓷槽、直流稳压电源、高温加热平台、诱导模板和上导电板；所述滚珠丝杠与丝杠组合连接；所述装夹件与连接件固定连接；所述氧化铝陶瓷槽置于高温加热平台上方；所述下导电板置于氧化铝陶瓷槽中；所述基板置于下导电板上方；所述诱导模板固定于装夹件下方；所述装夹件底部设有凹槽，所述上导电板位于装夹件底部的凹槽中。本发明具有能够提高实验安全性和便捷性的特点。
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公开(公告)号：CN113478088B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202110727219.1
申请日：2021-06-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B23K26/362 , B08B3/08 , B08B3/12
Abstract: 本发明属于微纳米技术领域，具体涉及一种改善激光烧蚀微孔、槽内表面粗糙度的方法，包括以下步骤，S1:使用激光雕刻机对聚合物PMMA基板进行雕刻烧蚀处理，制备所需要的烧蚀孔和烧蚀槽；S2:将雕刻完成的聚合物PMMA基板放置于三氯甲烷溶液；S3:将带有三氯甲烷溶液的聚合物PMMA基板置于超声场；S4:将聚合物PMMA基板从超声场中取出，进行光照处理；S5:待三氯甲烷挥发充分后，使用乙醇溶液清洗聚合物PMMA基板。本发明能够有效改善聚合物PMMA基板微孔、槽表面的粗糙度，提高聚合物PMMA基板微孔、槽内表面的光滑度。
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公开(公告)号：CN115266878A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210905353.0
申请日：2022-07-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/49
Abstract: 本发明公开一种检测氯丙嗪的印迹电化学传感器及其制备方法。以饱和甘汞电极作为参比电极，铂丝电极作为对电极，不锈钢针灸针为工作电极。以不锈钢针灸针为基底，在其针尖表面通过电沉积金属依次修饰上铜、金纳米颗粒，得到Au/Cu/ANE电极。将电极浸泡在含有3‑氨基苯硼酸和氯丙嗪的聚合溶液中通过循环伏安法电聚合形成印迹聚合膜，最后再通过洗脱剂将电极表面聚合膜内的氯丙嗪分子提取出来，使聚合膜上形成能够特异性识别氯丙嗪分子的印迹空腔。本发明所制备的传感器能够快速检测溶液中的氯丙嗪含量，传感器表面的聚合膜能够为氯丙嗪氧化提供众多印迹位点。并且其抗干扰能力强，灵敏度高，稳定性高，成本低，制备工艺简便。
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公开(公告)号：CN113406169B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110529233.0
申请日：2021-05-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/48
Abstract: 本发明公开一种检测多巴胺的针灸针印迹电化学传感器及其制备工艺。所述基于分子印迹的电化学传感器包含工作电极、参比电极和对电极，其中，所述工作电极的基底电极为不锈钢针灸针电极，其表面修饰了一层金纳米材料，通过Au‑S键的高亲和力将4‑巯基苯硼酸修饰在电极表面，然后在含有酸性铬蓝K和多巴胺的缓冲溶液中采用循环伏安法电聚合得到聚合物膜修饰电极，最后在硫酸介质中洗脱多巴胺得到了具有双重分子识别性能的针灸针印迹电化学传感器。本发明所制备的传感器能够实现对多巴胺的快速响应，具备抗干扰能力强，灵敏度高且工艺简单、成本低、稳定性好等一系列优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114300355A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111637888.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/322 , H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法，本发明的一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法通过对湿法刻蚀后的硅基材料进行预热处理和施加直流电场，以此来修正硅基材料自身的晶格缺陷以及其在湿法刻蚀过程中产生的晶格缺陷，在高温条件下配合电场力产生的电子风力作用在相关电子以及原子上，使硅基材料恢复其原本的状态，从而提高硅基材料的品质因数，提升其应用性能并增大其应用前景。
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公开(公告)号：CN112802739A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011619697.2
申请日：2020-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/263 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法，通过设置超声波换能器探头与电磁铁，电磁铁的磁力作用能够增强刻蚀的速率，提高刻蚀孔的垂直性，超声波和磁场耦合作用高深宽比刻蚀硅基，减少表面损伤，降低机械应力，能够有效保证刻蚀的精度以及侧壁的质量，形成合理的高深宽比的硅微通道，保证使用效果，有利于上述基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构在微纳米制造技术领域的推广及应用。
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公开(公告)号：CN111488715A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010279647.8
申请日：2020-04-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/33 , G06F115/04
Abstract: 本发明属于微纳米制造技术领域，具体涉及一种基于电场效应硅基内腔成形的方法，本发明基于电场耦合温度场建立硅基总自由能方程，并对方程进行数值求解及仿真分析，通过C语言编程仿真与可视化处理，观察总结基于电场效应硅基内腔成形的变化规律，为硅基内腔成形的稳定性与可控性的数值模拟提供了新的思路；解决目前硅基内腔在单一温度场作用下成形时存在形状大小不稳定，成形结构存在缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN107102052B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201710279857.5
申请日：2017-04-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N27/48
Abstract: 本发明公开基于含有活性铜碳点的尿酸电化学传感器及其应用。本发明将富含羧基的高分子聚合物、含二价铜盐加入到反应容器中，置于水热反应釜中，200～240℃下反应2～18h，离心，透析纯化，得到含有活性铜碳点溶液；采用三电极体系，以玻碳电极为工作电极，铂丝电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，将上述预处理过的玻碳电极置入上述含有活性铜碳点的溶液中，利用电沉积法在0～2V的电位范围50～500mV/s的扫速下循环扫描。与现有技术相比，本发明利用含有活性铜碳点这种纳米材料不仅具有碳点大的比表面积和高的电子传递速率，还具有活性铜对电极界面上基质的电子转移速率的促进作用以及对尿酸的非常强的选择性。
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公开(公告)号：CN110016720A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910414264.4
申请日：2019-05-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C30B30/00
Abstract: 本发明属于微纳米制造技术领域，具体涉及一种内部球形缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法。包括：S1、在硅基光子晶体表面蚀刻规则排列的阵列微孔；S2、将蚀刻后的硅基光子晶体置于超声耦合高温成型装置，所述超声耦合高温成型装置包括高温加热器及其外部布设的超声波换能器；S3、调节超声波换能器产生的超声驻波的频率和功率，通过热-声耦合作用成型得到内部缺陷规则排列的硅基三维光子晶体。本发明针对恒温环境下硅基光子晶体内部空腔的成型常存在形状不定和位置偏移等问题，引入超声驻波来定位内部缺陷结构成型的位置，从而实现硅基内部产生周期性规则排列的空腔结构，为高Q值的硅基三维光子晶体内部腔体位置的调控提供新的思路。
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