-
公开(公告)号：CN102639464B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180004702.1
申请日：2011-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31 , C04B35/581 , C04B35/04
CPC classification number: H01L21/67 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/58 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C23C14/3414 , H01L21/6831 , H05B1/00 , H05B3/283 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明的陶瓷材料以镁、铝、氧及氮为主成分，主相为使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ＝47～50°的镁-铝氮氧化物相。
-
公开(公告)号：CN103857643B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201280049986.0
申请日：2012-10-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , C04B35/04 , C04B35/58
CPC classification number: H01L21/6831 , C04B35/053 , C04B35/58 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , H01L21/6833
Abstract: 本发明的陶瓷构件30包含有：以Al、N成分固溶于氧化镁中形成的Mg（Al）O（N）为主相的陶瓷基体32和配置在部分陶瓷基体32上、作为电极成分含有氮化物、碳化物、碳氮化物及金属中的任意1个以上的电极34。该陶瓷基体32也可以是使用CuKα射线时的所述Mg（Al）O（N）的（111）面、（200）面、（220）面的XRD波峰分别出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=36.9～39°，42.9～44.8°，62.3～65.2°。
-
公开(公告)号：CN103201235B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201180050721.8
申请日：2011-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/6833 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/5445 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9669 , C23C14/3414
Abstract: 静电卡盘（1A）～（1F）包括具有吸附半导体的吸附面（11a）的基座（11A）～（11F）、埋设在基座内的静电卡盘电极（4）。基座包括板状主体部（3）、面对吸附面的表面耐腐蚀层（2）。表面耐腐蚀层（2）为以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料，由以在氧化镁中固溶了氮化铝的MgO-AlN固溶体的结晶相作为主相的陶瓷材料构成。
-
公开(公告)号：CN102639463B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201180004701.7
申请日：2011-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/6833 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/5445 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9669 , C23C14/3414
Abstract: 本发明的陶瓷材料，是以镁、铝、氧及氮为主成分的陶瓷材料，主相为氧化镁中固溶了氮化铝的MgO-AlN固溶体的晶相。MgO-AlN固溶体，优选使用CuKα线时的(200)面及(220)面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ＝42.9～44.8°，62.3～65.2°，更优选(111)面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ＝36.9～39°。
-
公开(公告)号：CN114269972B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN201980098054.7
申请日：2019-09-02
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/16 , C23C16/40 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种α－Ga2O3系半导体膜，其能够明显地提高器件的成品率。该α－Ga2O3系半导体膜是：以具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构的结晶为主相的圆形的半导体膜。该半导体膜的表面的中心点X以及4个外周点A、B、C及D各自处的偏角的最大值θmax和最小值θmin满足θmax－θmin≤0.30°的关系。偏角定义为：沿着半导体膜的大致法线方向取向的结晶轴相对于半导体膜的膜面的法线的倾斜角度。外周点A、B、C及D以如下方式进行确定：i)将外周点A及外周点C连结的直线和将外周点B及外周点D连结的直线在中心点X处呈直角相交；且ii)外周点A、B、C及D距半导体膜的外缘的各最短距离为半导体膜的半径的1/5。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113614293B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202080006855.9
申请日：2020-02-18
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供高品质的基底基板，其具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，该取向层中的结晶缺陷(位错)显著降低。该基底基板具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，取向层的用于结晶生长一侧的表面由具有a轴长度和/或c轴长度比蓝宝石的a轴长度和/或c轴长度大的刚玉型结晶结构的材料构成，且在取向层中存在多个气孔。
-
公开(公告)号：CN118234899A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280075107.5
申请日：2022-03-28
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种偏角分布小的AlN单晶基板。该AlN单晶基板是具有半径r的圆形状的AlN单晶基板，在将AlN单晶基板划分为从AlN单晶基板的中心沿径向至0.4r的区域即中心部、从AlN单晶基板的中心沿径向至0.7r的区域中除中心部以外的区域即中间部以及从AlN单晶基板的整个区域中除中心部和中间部以外的区域即外周部这三个区域的情况下，中心部的位错密度Dc、中间部的位错密度Dm以及外周部的位错密度Dp满足Dm＞Dp＞Dc的关系。
-
公开(公告)号：CN114901875B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202080089055.8
申请日：2020-01-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/205 , C30B29/36
Abstract: SiC复合基板(10)具备SiC单晶层(20)和含有稀土的SiC层(30)。含有稀土的SiC层(30)含有稀土元素，该稀土元素的浓度在1×1016原子/cm3以上且1×1019原子/cm3以下的范围内。由于将稀土元素的浓度设定在该范围内，因此能够充分地降低在含有稀土的SiC层(30)上生长的SiC外延层的BPD密度。
-
公开(公告)号：CN115057711B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210702305.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/645 , C04B35/111 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种平坦片材，其中，用厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜夹持所述平坦片材后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，所述平坦片材的与所述不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。
-
公开(公告)号：CN114761629A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202180006615.3
申请日：2021-01-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B1/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/161
Abstract: 双轴取向SiC复合基板(10)具备：第一双轴取向SiC层(20)，其包含贯通螺旋位错以及基底面位错；以及第二双轴取向SiC层(30)，其与第一双轴取向SiC层(20)连续地形成，并含有1×1016atoms/cm3以上且1×1019atoms/cm3以下的稀土元素。第二双轴取向SiC层(30)的表面的缺陷密度小于第一双轴取向SiC层(20)的缺陷密度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
82
records
(took 0.031 seconds)
