公开(公告)号：CN1732572A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200380107812.6

申请日：2003-12-19

申请人： 夏普株式会社

发明人： 岩田浩 ,  柴田晃秀

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8247

摘要： 半导体存储装置具有存储功能体(261，262)，存储功能体具有以下功能：将电荷保持在经由栅绝缘膜(214)而形成在半导体层(211)上的单一的栅电极(217)的两侧；存储功能体分别含有具有电荷存储区(250)的电荷保持膜(242)；电荷存储区(250)横跨沟道区(273)的一部分和配置在沟道区的两侧的扩散区(212，213)的一部分而存在；由于存储功能体独立于栅绝缘膜而形成在栅电极的两侧，因此可以进行2位的动作；进一步，由于各存储功能体由栅电极被分离，因此可有效地抑制改写时的干扰，并且可以使栅绝缘膜薄膜化，并抑制短沟道效果；因而存储元件易于实现微型化。

公开(公告)号：CN1589500A

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN02823154.6

申请日：2002-11-18

申请人： 夏普株式会社

发明人： 岩田浩 ,  柴田晃秀

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L29/66833 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/84 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/118 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/792 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体存储器件，它具有形成在半导体层中的第一导电类型区、形成在半导体层中且与第一导电类型区相接触的第二导电类型区、排列在半导体层上横跨第一和第二导电类型区的边界的存储功能元件、以及提供在第一导电类型区上且经由绝缘膜而与存储功能元件相接触的电极，以及一种包含此半导体存储器件的电子装置。借助于构成基本上一种器件的可选择的存储单元，本发明完全适应按比例缩小和高密度集成。

公开(公告)号：CN1551359A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410044576.4

申请日：2004-05-19

申请人： 夏普株式会社

发明人： 岩田浩 ,  足立浩一郎 ,  柴田晃秀

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/112 ,  H01L29/788

CPC分类号： G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/7923

摘要： 半导体存储装置具有：半导体基片，其在表面部分形成了元件分离区及未形成该元件分离区的活化区；在活化区形成的作为源极或漏极来动作的2个源极/漏极扩散区；在这2个源极/漏极扩散区之间确定的沟道区；在第1方向延伸的多个第1位线；在第1方向延伸的多个第2位线；在第2方向延伸并排列在该第2方向的活化区的沟道区上介于绝缘体来设置，在沟道区上作为栅电极来起作用的多个字线；对该栅电极，在源极/漏极扩散区的一方侧与另一方侧的侧壁形成，具有保持电荷或极化的功能的存储功能体。根据选择规定的字线及第1位线及第2位线而被特定的存储功能体中所保持的电荷或极化的多寡，流经沟道区的电荷量发生变化。

公开(公告)号：CN1521852A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200410003978.X

申请日：2004-02-12

申请人： 夏普株式会社

发明人： 岩田浩 ,  柴田晃秀 ,  矢追善史 ,  岩濑泰章 ,  那胁胜 ,  森川佳直 ,  田中研一

IPC分类号： H01L27/105 ,  G11C11/34

CPC分类号： H01L21/28273 ,  G11C16/0408 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/7923

摘要： 一种包括存储单元和放大器的半导体存储器件，此存储单元具有经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极、排列在栅电极下方的沟道区、排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的扩散区、以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元，存储单元和放大器被彼此连接成使存储单元的输出被输入到放大器。