一种铁基纳米晶带材及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117230361A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311216847.9

    申请日:2023-09-20

    摘要: 本发明涉及磁性功能材料领域,具体涉及一种铁基纳米晶带材及其制备方法和应用。本发明提供一种铁基纳米晶带材,所述铁基纳米晶带材材料的化学式为FeaSibBcNbdCueTifTgEhMi;其中,T选自碱金属中的至少一种;E选自卤族元素中的至少一种;M选自稀土金属中的至少一种;a、b、c、d、e、f、g、h、i为对应元素的原子百分数,a+b+c+d+e+f+g+h+i=100at%,76at%≤a≤82at%,3at%≤b≤6at%,8at%≤c≤12at%,1at%≤d≤3at%,0.5at%≤e≤1.5at%,0.5at%≤f≤2.5at%,0.5at%≤g≤1.5at%,0.5at%≤h≤1.5at%,0.5at%≤i≤2.5at%,g=h。通过选定可特定的成分,并限定各成分的含量,可提高材料的非晶形成能力,并可在后续晶化过程可控,得到晶粒细化的纳米晶带,从而使材料制备出更薄更宽的铁基纳米晶带,并且使制备得到的铁基纳米晶带具有高饱和磁感应强度、低高频损耗。

    一种低损耗中高频铁基纳米晶变压器铁芯的热处理方法

    公开(公告)号:CN104451071B

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201410639637.5

    申请日:2014-11-13

    IPC分类号: C21D6/00 C21D9/00 H01F41/02

    摘要: 本发明公开了一种低损耗中高频铁基纳米晶变压器铁芯的热处理方法,其特征在于:取铁基纳米晶带材绕制成占空系数≥75%的铁芯,在氮气或氩气保护气氛或真空环境下对上述铁芯进行第一次热处理,第一次热处理采用三段保温法,将经第一次热处理后的铁芯在20kHz、0.5T的条件下进行铁芯损耗测试,损耗≤22W/kg的为一类铁芯,损耗>22W/kg的为二类铁芯,对上述两类铁芯分别进行第二次热处理。经过第二次热处理后的铁芯即为低损耗中高频铁基纳米晶变压器铁芯。这是一种使用批量生产相对较厚的普通铁基纳米晶带材也能够制备出满足用户要求的中高频变压器磁芯,而且合格率比现有方法有较大的提高的热处理方法。

    一种低损耗中高频铁基纳米晶变压器铁芯的热处理方法

    公开(公告)号:CN104451071A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410639637.5

    申请日:2014-11-13

    IPC分类号: C21D6/00 C21D9/00 H01F41/02

    摘要: 本发明公开了一种低损耗中高频铁基纳米晶变压器铁芯的热处理方法,其特征在于:取铁基纳米晶带材绕制成占空系数≥75%的铁芯,在氮气或氩气保护气氛或真空环境下对上述铁芯进行第一次热处理,第一次热处理采用三段保温法,将经第一次热处理后的铁芯在20kHz、0.5T的条件下进行铁芯损耗测试,损耗≤22W/kg的为一类铁芯,损耗>22W/kg的为二类铁芯,对上述两类铁芯分别进行第二次热处理。经过第二次热处理后的铁芯即为低损耗中高频铁基纳米晶变压器铁芯。这是一种使用批量生产相对较厚的普通铁基纳米晶带材也能够制备出满足用户要求的中高频变压器磁芯,而且合格率比现有方法有较大的提高的热处理方法。

    双通道解耦且具有强抗偏移能力的磁耦合器及设计方法

    公开(公告)号:CN118157339A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410346508.0

    申请日:2024-03-25

    IPC分类号: H02J50/10 H02J50/90

    摘要: 本发明涉及无线电能传输技术领域,公开了一种双通道解耦且具有强抗偏移能力的磁耦合器及设计方法,磁耦合器包括:相互解耦的第一通道和第二通道,第一通道包括一组田字型线圈,第二通道包括一组平面方形线圈,其中,一组田字型线圈包括一个设置在发射端的田字型线圈以及一个设置在接收端的田字型线圈,一组平面方形线圈包括一个设置在发射端的平面方形线圈以及一个设置在接收端的平面方形线圈,两个平面方形线圈设置在两个田字型线圈之间,田字型线圈包括四个依次串联的绕组且每个相邻绕组流过的电流的方向相反,本发明实施例可以实现在偏移工况下两通道具有相似的偏移特性,保证两通道解耦且具有强抗偏移能力。