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公开(公告)号：CN103469307A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310459769.5
申请日：2013-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体及其制备方法，它涉及一种铌酸钾钠基压电晶体及其制备方法。本发明要解决现有技术制备过程中铌酸钾钠基压电晶体生长困难、尺寸小的问题。四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体的化学式为[(K1-xNax)1-yLiy](Nb1-z-tTazSbt)O3，其中0.3
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公开(公告)号：CN102181287B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110072116.2
申请日：2011-03-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/68
Abstract: 镱铥双掺杂钨酸钙多晶粉蓝光上转换材料及其制备方法，它涉及一种稀土元素掺杂钨酸钙多晶粉蓝光上转换材料及其制备方法。它解决了基质材料中掺杂稀土元素，难以得到单一性很好的发射光，以及掺杂Tm3+产生的上转换蓝光强度微弱的问题。镱铥双掺杂钨酸钙多晶粉蓝光上转换材料的化学式为Ca0.99-xWO4:Ybx/Tm0.01，其中0.01≤x≤0.08。制备方法：一、按化学式的化学计量比称取；二、研磨、压片；三、高温烧结。本发明镱铥双掺杂钨酸钙多晶粉蓝光上转换材料在980nm激光泵浦、激发功率为300mW条件下能发出明亮的上转换蓝光，且发光均匀。
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公开(公告)号：CN102383186A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110357437.7
申请日：2011-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 提拉法在非化学计量比熔体中生长Ca12Al14O33单晶的方法，它涉及Ca12Al14O33单晶的生长方法。本发明要解决现有生长Ca12Al14O33单晶存在对铱坩锅的腐蚀比较严重，透光性大幅度的下降，晶格的畸变和开裂，尺寸限制大等技术问题。方法：一、分别称取CaO和Al2O3；二、然后混合研磨均匀，压片，放入刚玉坩埚中，恒温，降温至室温；三、重复步骤二操作2～3次；四、采用提拉法生长晶体，即得到Ca12Al14O33单晶。在光学方面由于C12A7材料的独特结构，C12A7掺杂材料在蓝光发射和白光的调谐方面可以用于半导体激光器材料。
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公开(公告)号：CN102191049A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110072098.8
申请日：2011-03-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/68
Abstract: 镱铒双掺杂钨酸钙多晶粉绿光上转换材料及其制备方法，它涉及一种稀土元素掺杂钨酸钙多晶粉绿光上转换材料及其制备方法。它解决了基质材料中掺杂稀土元素，难以得到单一性很好的发射光的问题。镱铒双掺杂钨酸钙多晶粉绿光上转换材料的化学式为Ca0.99-xWO4:Yb0.01/Erx，其中0.001≤x≤0.08。制备方法：一、按化学式的化学计量比称取；二、研磨、压片；三、高温烧结。本发明镱铒双掺杂钨酸钙多晶粉绿光上转换材料在980nm激光泵浦、激发功率为300mW条件下能发出明亮的上转换绿光，且发光均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102174323A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110064438.2
申请日：2011-03-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/80
Abstract: 镱铥双掺七铝酸十二钙多晶及其制备方法，它涉及七铝酸十二钙多晶及其制备方法。本发明解决了现有的蓝光材料蓝色光波长分布宽，不利于应用的技术问题。本发明的镱铥双掺七铝酸十二钙多晶是由氧化钙、氧化铝、氧化镱和氧化铥制成的，其中氧化钙和氧化铝摩尔比为12∶7，氧化镱的物质的量为氧化钙物质的量的0.042％～0.42％，氧化铥的物质的量为氧化钙物质的量的0.042％～0.21％。方法：将氧化钙、氧化铝、氧化镱和氧化铥粉末研磨、压片后在空气氛下烧结得到镱铥双掺七铝酸十二钙多晶。在980nm的光激发下得到460nm～490nm的单一蓝光发射。可用于光存储技术、光电子技术、传感技术及海底光纤通讯领域。
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公开(公告)号：CN101328613A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810064778.3
申请日：2008-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料及其制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体上转换材料及其制备方法。它解决了现有技术制备的Er掺杂铌酸锂晶体上转换材料存在发光强度不高的问题。本发明光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料由Li2CO3、Nb2O5、ZnO和Er2O3制成。方法：1.称取所需成分；2.烧结；3.采用提拉法生长晶体；4.极化处理，即得光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料。本发明在Er掺杂铌酸锂晶体中掺杂元素Zn，使其上转换机制由双光子过程改变为光子雪崩机制，明显提高了铌酸锂晶体上转换材料的发光强度。
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公开(公告)号：CN101328612A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810064777.9
申请日：2008-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。它解决了现有技术制备掺杂的酸锂晶体存在响应时间慢和抗光损伤能力低的问题。本发明In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、CuO和In2O3制成。方法：一、称取所需成分；二、烧结；三、采用提拉法生长晶体；四、极化处理；五、氧化处理或还原处理，即得In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体。本发明在铌酸锂晶体中掺杂元素铟(In)、铁(Fe)和铜(Cu)，在保留铌酸锂晶体原有优良性能的基础上，明显提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力和响应时间。
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公开(公告)号：CN1320146C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200510009615.1
申请日：2005-01-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C29/00
Abstract: IB-IIIA-VIA2黄铜矿类固溶体化合物，它涉及一种晶体材料，特别是一种黄铜矿类化合物。现有黄铜矿类化合物的吸收带边都是固定的，限制了这些材料的应用范围。本发明IB-IIIA-VIA2黄铜矿类固溶体化合物为，在原有黄铜矿类化合物IB-IIIA-VIA2中，由(1)S和Te，或者是(2)Se和Te共同占据上述化学式中VIA元素的位置所形成的固溶体化合物，该化合物的分子式为IB-IIIA-(S1-xTex)2或IB-IIIA-(Te1-xSex)2，其中x的取值范围为：0＜X＜1，IB族元素为任选一种的Cu、Ag元素，IIIA族元素为任选一种的Al、Ga、In元素，通过调节X取值，可以改变化合物组成和化合物吸收带边，从而增加了这些材料的应用范围，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN1648272A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510009615.1
申请日：2005-01-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C29/00
Abstract: IB－IIIA－VIA2黄铜矿类固溶体化合物，它涉及一种晶体材料，特别是一种黄铜矿类化合物。现有黄铜矿类化合物的吸收带边都是固定的，限制了这些材料的应用范围。本发明IB－IIIA－VIA2黄铜矿类固溶体化合物为，在原有黄铜矿类化合物IB－IIIA－VIA2中，由S、Se、Te任选其中两种共同占据上述化学式中VIA元素的位置所形成的化合物，该化合物的分子式为IB－IIIA－(S1－xSex)2或IB－IIIA－(S1－xTex)2或IB－IIIA－(Te1－xSex)2，其中x的取值范围为：0＜X＜1，通过调节X取值，可以改变化合物组成和化合物吸收带边，从而增加了这些材料的应用范围，利于推广应用。
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