一种制备羟基氧化铟纳米线和氧化铟纳米颗粒的方法

    公开(公告)号:CN104058448B

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201410342197.7

    申请日:2014-07-18

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种制备羟基氧化铟纳米线和氧化铟纳米颗粒的方法,属于纳米材料制备的技术领域。制备是将InCl3·4H2O粉末溶解在油胺中,在超声条件下滴入无水乙醇至混合溶液澄清;混合溶液在升温速率4~8℃/min下至120~210℃反应12~24小时,制得羟基氧化铟纳米线或/和氧化铟纳米颗粒。本发明通过改变加热方式,在高升温速率下大大降低了反应需要的温度,缩短了反应时间,减少了能耗和高温对设备的损耗;能够通过改变升温速率或反应温度,实现对产物成分、形貌的控制;而且具有相对安全、方法简单可靠、可重复性好等优点。

    一种α相硫化锰纳米立方块的制备方法

    公开(公告)号:CN104724759A

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201510086473.2

    申请日:2015-02-17

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种α相硫化锰纳米立方块的制备方法,属于纳米材料制备的技术领域。将锰粉、硫粉混合均匀,压成压块;将压块置于石墨锅内,石墨锅放入直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中,钨棒阴极与铜锅阳极相对放置;冷凝壁和铜锅阳极通入循环冷却水;在氩气中进行放电反应,保持放电电压为18V、电流为100A,反应2~5分钟;再在氩气环境中钝化5小时,在冷凝壁上端收集绿色的粉末。本发明所制备的样品纯度高,结晶性好,形貌尺寸均一;制备过程中无需任何基片、模板、催化剂,对环境友好;制备时间短、能耗少、成本低、可重复性高。制备的产品在短波光电器件、太阳能电池、催化材料、大容量光存储器等方面具有应用价值。

    磷灰石结构锗酸镧电解质粉体及其低温熔盐制备方法

    公开(公告)号:CN103078127B

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201310016010.X

    申请日:2013-01-16

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的磷灰石结构锗酸镧电解质粉体及其低温熔盐制备方法属于中温固体氧化物燃料电池电解质材料的技术领域。以氧化镧和氧化锗为反应原料,以氯化钠为熔盐;将原料和熔盐混合并加入无水乙醇进行球磨;球磨后的原料和熔盐的混合物烘干后烧结;烧结产物用去离子水洗涤再烘干,得到理想的磷灰石结构的锗酸镧电解质材料La10-xGe6O27-1.5x(0≤x<0.40)粉体。本发明制备的磷灰石石结构的锗酸镧电解质粉体粒径小,分布均匀,无团聚,物相纯度高,具有优异的电学特性;使用的方法制备温度低,时间短,无Ge挥发,能量消耗少,工艺简单,成本低,对设备依赖性低,盐易分离可重复使用,适宜工业化应用。

    一种氮化钪立方晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN102874775B

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201210428159.4

    申请日:2012-10-31

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种氮化钪立方晶体的制备方法,属于稀土氮化物纳米材料制备的技术领域。所制备的氮化钪立方晶体由表面平整光滑、形貌尺寸均一的准立方体或长方体构成。制备方法采用直流电弧等离子体放电装置,在高温低气压系统条件以及等离子体辅助下,使高纯稀土金属钪与氮气直接发生反应,制备出带有金属光泽的、蓝绿色的粉体。本发明首次利用直流电弧等离子体放电装置合成出纯度高、形貌尺寸均一的氮化钪立方晶体结构;制备方法简单可靠、重复性好、反应时间短、耗能少、无需苛刻的真空条件、对环境友好、产物产量高;其优异的电学、力学以及机械等物理属性使其在半导体器件以及耐磨保护涂层等领域有着广阔的应用前景。

    一种高取向排列的氮化碳纳米棒阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN103539090A

    公开(公告)日:2014-01-29

    申请号:CN201310528610.4

    申请日:2013-10-30

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种高取向排列的氮化碳纳米棒阵列及其制备方法,属于化工新材料制备的技术领域。高取向排列的氮化碳纳米棒阵列由C,N两种元素组成,氮化碳纳米棒状结构构成同一取向阵列。制备是以三聚氰胺与三聚氰氯为原料,混合研磨压片;在密封的反应釜中190℃反应1小时,再加热到520℃煅烧6小时,制得高取向排列的氮化碳纳米棒阵列。本发明首次利用常见的三聚氰胺与三聚氰氯为原料,合成出纯度高、形貌尺寸均一的高取向排列的氮化碳纳米棒阵列结构;并且方法操作简单可靠、重复性好、反应时间短、耗能少、对环境友好,制备出的氮化碳纳米棒结晶良好、产物产量高。

    一种制备镁掺杂氮化铝纳米线的方法

    公开(公告)号:CN102627263A

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN201210118825.4

    申请日:2012-04-21

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种制备镁掺杂氮化铝纳米线的方法属于纳米材料制备的技术领域。以金属镁、金属铝、氮气和氨气为原料,在直流电弧放电装置的反应室中制备,反应室中有中空的铜锅为阳极,钨棒为阴极;将金属镁和金属铝混合压块放入铜锅,通入氮气和氨气;铜锅的中空部位通入循环冷却水,在电压为15~30V,电流为80~120A条件下放电,持续5~30分钟;放电结束继续通冷却水至反应室达到室温,在铜锅和钨棒上沉积的纯白色粉末即为镁掺杂氮化铝纳米线。本发明制备的镁掺杂氮化铝纳米线产量高、纯度高,在室温下具有铁磁性;制备方法简单,重复性好,且制备时间短,原料廉价成本低;由于无催化,无模板,所以对环境友好。

    一种制备锰掺杂氮化镓纳米材料的方法

    公开(公告)号:CN102431977A

    公开(公告)日:2012-05-02

    申请号:CN201110260564.5

    申请日:2011-09-05

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种制备锰掺杂氮化镓纳米材料的方法属于纳米材料制备的技术领域。以高纯金属锰为锰源,以氧化镓为镓源,以氮气和氨气的混合气体作氮源,在直流电弧放电装置中制备。充入混合气体,氨气在混合气体中的体积比例为20~50%。放电过程中通冷却水,电压为15~25V,电流为80~120A,反应5~30分钟,制得锰掺杂氮化镓纳米颗粒。本发明通过调节氨气在混合气体中的比例可以可控的获得不同锰含量的锰掺杂氮化镓纳米颗粒;本发明方法简单、环保、低成本;纳米颗粒制备具有产量高、反应迅速、可重复性高、样品纯度高等优点;制备的产品在发光,稳定性,应用上具有很大的潜力。

    一种Cu3Gd(OH)6Cl3晶体纳米材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115806306B

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202211544847.7

    申请日:2022-12-02

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种Cu3Gd(OH)6Cl3晶体纳米材料及其制备方法,属于磁性材料制备的技术领域。以氢氧化铜和六水氯化钆为原料,将称量好的原料放入研钵中充分研磨,然后在温度80℃‑180℃下密封加热1‑2小时,中途,每加热0.5小时,冷却至室温充分研磨后再继续加热,待反应结束冷却至室温,得到浅绿色的Cu3Gd(OH)6Cl3纳米材料。Cu3Gd(OH)6Cl3纳米材料,属于三方晶系,空间群为P‑3m1,由纳米尺度六棱柱状晶体颗粒构成,纳米晶底面边长为55‑125nm,对角线长度为70‑190nm,棱柱厚度为40‑90nm。本发明的制备方法简单易于操作,耗时短,成本低,制备的纳米晶具有粒径小,结晶度好,分散性好等优点。

    一种钒掺杂的羟基氧化铝纳米带及其制备方法

    公开(公告)号:CN115924946B

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202211539610.X

    申请日:2022-12-02

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种钒掺杂的羟基氧化铝纳米带及其制备方法属于ⅢA族羟基氧化物纳米材料的制备与掺杂技术领域,提供一种钒掺杂的羟基氧化铝纳米带及其制备方法。以无水AlCl3、无水VCl3和无水乙醇为原料,将无水氯化铝和无水乙醇混合均匀;然后加入无水VCl3混合均匀,倒入聚四氟乙烯内衬中,将内衬置于反应釜外壳中,设置温度为200℃的电热恒温干燥箱中,保温48小时后冷却到室温,取出聚四氟乙烯内衬中的产物,清洗、干燥、研磨后分别得到钒掺杂的羟基氧化铝纳米带粉末。纳米带的长度为50‑300nm,宽度为5‑55nm,厚度为2‑5nm,本发明的方法操作简单易行、重复性好、成本低廉且制备出样品具有产量高的优点。

    一种层状羟基氯化铜粉体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112897568B

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202110323216.1

    申请日:2021-03-26

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种层状羟基氯化铜粉体材料及其制备方法,属于准二维层状金属羟基卤化物晶体材料制备的技术领域。以纯的具有层状单斜结构的羟基氯化铜(Cu(OH)Cl)晶体粉末为初始原料,在高压装置(DAC)中对初始原料加压至18.7~28.4GPa,卸压至常压,得到两种不同结构的羟基氯化铜(Cu(OH)Cl)混合共存的粉末材料。本发明首次通过高压合成的方法得到了在常压下仍然能稳定存在的具有层状正交结构的羟基氯化铜Cu(OH)Cl晶体材料,有望在量子自旋液体、自旋电子学、阻挫磁性材料等领域获得应用;并且具有过程简单、室温合成、合成时间短、可重复性高等优点。

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