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公开(公告)号：CN104058448A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410342197.7
申请日：2014-07-18
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种制备羟基氧化铟纳米线和氧化铟纳米颗粒的方法，属于纳米材料制备的技术领域。制备是将InCl3·4H2O粉末溶解在油胺中，在超声条件下滴入无水乙醇至混合溶液澄清；混合溶液在升温速率4～8℃/min下至120～210℃反应12～24小时，制得羟基氧化铟纳米线或/和氧化铟纳米颗粒。本发明通过改变加热方式，在高升温速率下大大降低了反应需要的温度，缩短了反应时间，减少了能耗和高温对设备的损耗；能够通过改变升温速率或反应温度，实现对产物成分、形貌的控制；而且具有相对安全、方法简单可靠、可重复性好等优点。
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公开(公告)号：CN103539090B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310528610.4
申请日：2013-10-30
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/082 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明的一种高取向排列的氮化碳纳米棒阵列及其制备方法，属于化工新材料制备的技术领域。高取向排列的氮化碳纳米棒阵列由C，N两种元素组成，氮化碳纳米棒状结构构成同一取向阵列。制备是以三聚氰胺与三聚氰氯为原料，混合研磨压片；在密封的反应釜中190℃反应1小时，再加热到520℃煅烧6小时，制得高取向排列的氮化碳纳米棒阵列。本发明首次利用常见的三聚氰胺与三聚氰氯为原料，合成出纯度高、形貌尺寸均一的高取向排列的氮化碳纳米棒阵列结构；并且方法操作简单可靠、重复性好、反应时间短、耗能少、对环境友好，制备出的氮化碳纳米棒结晶良好、产物产量高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105129749A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510468189.1
申请日：2015-08-04
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/06
Abstract: 本发明的高压制备氮化铟纳米晶粉体材料的方法，属于纳米材料制备的技术领域。以六方纤锌矿结构的InN纳米线为初始原料，在高压装置中对初始原料加压至22.2～35.5GPa，得到纯的立方岩盐矿结构的InN；卸压至常压可以得到立方岩盐矿结构和六方纤锌矿结构的InN纳米晶混合粉体材料。本发明方法首次通过高压合成的方法在常压下得到了稳定的立方岩盐矿结构的InN纳米晶材料，可以应用在光学、太阳能等领域；并且具有过程简单、室温合成、合成时间短、可重复性高等优点。
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公开(公告)号：CN102431977B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201110260564.5
申请日：2011-09-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种制备锰掺杂氮化镓纳米材料的方法属于纳米材料制备的技术领域。以高纯金属锰为锰源，以氧化镓为镓源，以氮气和氨气的混合气体作氮源，在直流电弧放电装置中制备。充入混合气体，氨气在混合气体中的体积比例为20～50％。放电过程中通冷却水，电压为15～25V，电流为80～120A，反应5～30分钟，制得锰掺杂氮化镓纳米颗粒。本发明通过调节氨气在混合气体中的比例可以可控的获得不同锰含量的锰掺杂氮化镓纳米颗粒；本发明方法简单、环保、低成本；纳米颗粒制备具有产量高、反应迅速、可重复性高、样品纯度高等优点；制备的产品在发光，稳定性，应用上具有很大的潜力。
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公开(公告)号：CN104058448B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201410342197.7
申请日：2014-07-18
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种制备羟基氧化铟纳米线和氧化铟纳米颗粒的方法，属于纳米材料制备的技术领域。制备是将InCl3·4H2O粉末溶解在油胺中，在超声条件下滴入无水乙醇至混合溶液澄清；混合溶液在升温速率4～8℃/min下至120～210℃反应12～24小时，制得羟基氧化铟纳米线或/和氧化铟纳米颗粒。本发明通过改变加热方式，在高升温速率下大大降低了反应需要的温度，缩短了反应时间，减少了能耗和高温对设备的损耗；能够通过改变升温速率或反应温度，实现对产物成分、形貌的控制；而且具有相对安全、方法简单可靠、可重复性好等优点。
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公开(公告)号：CN103539090A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310528610.4
申请日：2013-10-30
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/082 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明的一种高取向排列的氮化碳纳米棒阵列及其制备方法，属于化工新材料制备的技术领域。高取向排列的氮化碳纳米棒阵列由C，N两种元素组成，氮化碳纳米棒状结构构成同一取向阵列。制备是以三聚氰胺与三聚氰氯为原料，混合研磨压片；在密封的反应釜中190℃反应1小时，再加热到520℃煅烧6小时，制得高取向排列的氮化碳纳米棒阵列。本发明首次利用常见的三聚氰胺与三聚氰氯为原料，合成出纯度高、形貌尺寸均一的高取向排列的氮化碳纳米棒阵列结构；并且方法操作简单可靠、重复性好、反应时间短、耗能少、对环境友好，制备出的氮化碳纳米棒结晶良好、产物产量高。
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公开(公告)号：CN102431977A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110260564.5
申请日：2011-09-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种制备锰掺杂氮化镓纳米材料的方法属于纳米材料制备的技术领域。以高纯金属锰为锰源，以氧化镓为镓源，以氮气和氨气的混合气体作氮源，在直流电弧放电装置中制备。充入混合气体，氨气在混合气体中的体积比例为20～50％。放电过程中通冷却水，电压为15～25V，电流为80～120A，反应5～30分钟，制得锰掺杂氮化镓纳米颗粒。本发明通过调节氨气在混合气体中的比例可以可控的获得不同锰含量的锰掺杂氮化镓纳米颗粒；本发明方法简单、环保、低成本；纳米颗粒制备具有产量高、反应迅速、可重复性高、样品纯度高等优点；制备的产品在发光，稳定性，应用上具有很大的潜力。
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