垫片加热的高温高压实验装置

    公开(公告)号:CN101566543B

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN200910067014.4

    申请日:2009-05-26

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的垫片加热的高温高压实验装置属于高温高压的技术领域。结构有两个金刚石或白宝石材料的压砧(8)组成对顶砧,垫片(1)中心开孔作为样品加热腔(4),压砧(8)放置在压机(7)腔体内受压;垫片(1)中间部分制作成其宽度小于两端的宽度的形状;垫片(1)与压砧(8)砧面相对的位置垫云母片作为绝缘绝热层(2),垫片(1)两端分别焊有导线(5),给垫片(1)通直流电实现在高压设备中样品腔区域的局部加热。本发明结构简单、可重复性好,低成本,高压实验室可以轻松完成本系统的搭建,是一个很有潜力的高温高压技术。

    一种金属材料晶界应力的测量方法

    公开(公告)号:CN115586202B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202211233201.7

    申请日:2022-10-10

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明提供了一种金属材料晶界应力的测量方法,属于金属材料微观结构分析改良材料性能的技术领域。此方法包括建立原始数据集、对原始数据进行预处理、计算任意一点处晶界应力场和计算任意一点处晶界应力四个步骤。相比于传统的从宏观角度计算材料整体平均晶界应力的方法,本发明提供的方法是基于向错缺陷计算任意区域的晶界应力,并以此得到更为精确的材料整体晶界应力分布。应用本发明提供的方法可以得到更为精确合理的晶界应力定量计算结果,为从晶界应力角度调控材料性能以及合金检测领域提供了重要参考。

    一种制备镁掺杂氮化铝纳米线的方法

    公开(公告)号:CN102627263B

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201210118825.4

    申请日:2012-04-21

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种制备镁掺杂氮化铝纳米线的方法属于纳米材料制备的技术领域。以金属镁、金属铝、氮气和氨气为原料,在直流电弧放电装置的反应室中制备,反应室中有中空的铜锅为阳极,钨棒为阴极;将金属镁和金属铝混合压块放入铜锅,通入氮气和氨气;铜锅的中空部位通入循环冷却水,在电压为15~30V,电流为80~120A条件下放电,持续5~30分钟;放电结束继续通冷却水至反应室达到室温,在铜锅和钨棒上沉积的纯白色粉末即为镁掺杂氮化铝纳米线。本发明制备的镁掺杂氮化铝纳米线产量高、纯度高,在室温下具有铁磁性;制备方法简单,重复性好,且制备时间短,原料廉价成本低;由于无催化,无模板,所以对环境友好。

    基于光电导效应的阴影触发量子光学成像系统

    公开(公告)号:CN118870155A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410904643.2

    申请日:2024-07-08

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 基于光电导效应的阴影触发量子光学成像系统,属于光学系统技术领域和半导体感光技术领域,包括照相机镜头模组、感光系统转动系统、感光系统、激光准直系统、激光发射系统、电刷系统、激光发射系统底座、电磁阻尼系统以及底座;所述感光系统为圆形,分为两层,上层为滤光层,包括滤光片,以及设置在滤光片外圈的导体圈;下层为半导体与遮光片镶嵌层,包括半导体线、感光片、阴影传动装置以及电极。本发明采用了一种新型感光系统,利用感光晶体上各处光子概率分布而产生的电导率分布,通过连续测量感光系统不同位置的电导率获得感光片上光子概率分布进行成像;可实现将线形感光晶体旋转足够多次数后,达到二维平面纳米级别采样单元的成像。

    一种Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN109775672A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201910237206.9

    申请日:2019-03-27

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法,属纳米材料制备的技术领域。将Al粉与Mn粉混匀压块;将压块置于石墨锅内,放入卧式直流电弧放电装置的真空腔内作为阳极,阴极采用钨杆;阴极与阳极相对水平放置;将反应室内充入氮气,阳极和冷凝壁通循环冷却水。放电过程中旋转阴极钨杆,保持电压20~40V,电流80~200A,反应时间2~5分钟。之后在氮气中钝化6~7小时,在冷凝壁上收集黄色绒毛状粉末。本发明方法简单、反应快速、低成本、无污染、样品纯度高、可重复性好、无需催化剂和表面活性剂。制备的样品在紫光照射下,发出红光,是一种LED荧光材料;在室温下具有铁磁性,是一种稀磁半导体材料。

    垫片加热的高温高压实验装置

    公开(公告)号:CN101566543A

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:CN200910067014.4

    申请日:2009-05-26

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的垫片加热的高温高压实验装置属于高温高压的技术领域。结构有两个金刚石或白宝石材料的压砧(8)组成对顶砧,垫片(1)中心开孔作为样品加热腔(4),压砧(8)放置在压机(7)腔体内受压;垫片(1)中间部分制作成其宽度小于两端的宽度的形状;垫片(1)与压砧(8)砧面相对的位置垫云母片作为绝缘绝热层(2),垫片(1)两端分别焊有导线(5),给垫片(1)通直流电实现在高压设备中样品腔区域的局部加热。本发明结构简单、可重复性好,低成本,高压实验室可以轻松完成本系统的搭建,是一个很有潜力的高温高压技术。

    一种颗粒物质平均粒径的测量方法

    公开(公告)号:CN119715273A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411907875.X

    申请日:2024-12-24

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种颗粒物质平均粒径的测量方法,属于粒径测量技术领域,包括选择竖直放置的圆柱形平底筒仓,其底部带有可调直径的圆孔,筒仓直径大于圆孔直径的2.5倍;将颗粒物质混匀后装载入筒仓,颗粒堆积高度大于筒仓直径的1.2倍;设置圆孔直径的最大值Dmax作为定标直径D0,并测量对应的颗粒流量Q0作为定标流量;调整圆孔直径到不同的设定值D,对每个D值,测量单位时间内流出的颗粒质量Q,并记录数据;对测量得到的Q值进行归一化处理,计算q=Q/Q0,并构建q‑D关系图;使用软件拟合q‑D关系图,即可计算颗粒的平均粒径。该方法具有稳定性好、成本低廉、操作简便等优点。

    一种金属材料晶界应力的测量方法

    公开(公告)号:CN115586202A

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202211233201.7

    申请日:2022-10-10

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明提供了一种金属材料晶界应力的测量方法,属于金属材料微观结构分析改良材料性能的技术领域。此方法包括建立原始数据集、对原始数据进行预处理、计算任意一点处晶界应力场和计算任意一点处晶界应力四个步骤。相比于传统的从宏观角度计算材料整体平均晶界应力的方法,本发明提供的方法是基于向错缺陷计算任意区域的晶界应力,并以此得到更为精确的材料整体晶界应力分布。应用本发明提供的方法可以得到更为精确合理的晶界应力定量计算结果,为从晶界应力角度调控材料性能以及合金检测领域提供了重要参考。

    一种金属材料缺陷密度的测量方法

    公开(公告)号:CN115563436A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202211233191.7

    申请日:2022-10-10

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明提供了一种金属材料缺陷密度的测量方法,涉及金属材料缺陷密度定量分析调控材料性能的技术领域。此方法包括建立原始数据集、对原始数据进行预处理、判断晶界存在、计算弹性扭曲张量、计算位错密度和计算向错密度六个步骤。相比于传统的微观缺陷组织分析方法,本方法首次引入李代数数学工具对描述向错等晶体缺陷旋转特性和结构的旋转矢量如弗兰克矢量进行定量分析,突破现有材料缺陷密度测量方法和难以准确表述及计算旋转矢量的束缚,提出一种对旋转矢量的微分计算方法,并结合金属材料待测区域EBSD数据量化位错、向错等微观缺陷,为分析向错等晶体缺陷对材料性能的影响提供了重要参考。

    一种Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN109775672B

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN201910237206.9

    申请日:2019-03-27

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法,属纳米材料制备的技术领域。将Al粉与Mn粉混匀压块;将压块置于石墨锅内,放入卧式直流电弧放电装置的真空腔内作为阳极,阴极采用钨杆;阴极与阳极相对水平放置;将反应室内充入氮气,阳极和冷凝壁通循环冷却水。放电过程中旋转阴极钨杆,保持电压20~40V,电流80~200A,反应时间2~5分钟。之后在氮气中钝化6~7小时,在冷凝壁上收集黄色绒毛状粉末。本发明方法简单、反应快速、低成本、无污染、样品纯度高、可重复性好、无需催化剂和表面活性剂。制备的样品在紫光照射下,发出红光,是一种LED荧光材料;在室温下具有铁磁性,是一种稀磁半导体材料。

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