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公开(公告)号：CN108461597A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810107474.4
申请日：2018-02-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/40
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管电极装置，该发光二极管电极装置包括N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极；N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极依次接触；其中N电极包括N电极电流扩展层和N电极欧姆接触金属层，N电极电流扩展层与N型半导体导电层直接接触；其中P电极包括P电极电流扩展层和P电极欧姆接触金属层，P电极电流扩展层与P型半导体导电层直接接触。本发明有利于提高器件的电光转换效率，方法简单，制造成本低。
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公开(公告)号：CN108389894A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810270885.5
申请日：2018-03-29
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管外延结构，包括硅衬底，在硅衬底上依次设有缓冲层、位错锐减结构、高阻层、沟道层、势垒层和盖层，所述位错锐减结构包括AlN应力层、GaN三维层和GaN合并层，所述GaN三维层为利用晶格常数差异在所述AlN应力层上形成的，所述GaN合并层为利用所述GaN三维层的侧向外延形成的。本发明在缓冲层和GaN高阻层之间引入一层位错锐减结构，即利用AlN与GaN之间的晶格常数差异形成的应力，在AlN应力层上直接生长GaN三维层，然后通过采用侧向外延技术在GaN三维层上形成GaN合并层，这样就无需二次外延，结构简单且实用性高，同时可以大幅地降低HEMT材料中的位错密度，提高晶体质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN105742450A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610210910.1
申请日：2016-04-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法及结构，其结构包括：基板层，生长衬底上的LED薄膜被转移至基板层之上；基板层与LED薄膜之间由上至下依次有互补电极层、反射金属接触层和粘结保护层；n电极位于LED薄膜之上。通过互补电极层、n电极的形状设计，结合金属反射率的差异，实现具有高反射率且能与LED薄膜形成欧姆接触的反射金属接触层所对应的芯片区域(或无互补电极区域)发光亮度高，具有低反射率且不易与LED薄膜形成欧姆接触的粘结保护层所对应的区域(或有互补电极区域)发光亮度低，使LED芯片可以照射出特定设计的平面几何图形光斑。平面几何图形为特定的图形或特定的“字”型。
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公开(公告)号：CN119468113A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411503887.6
申请日：2024-10-25
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: F21V7/04 , F21V7/05 , F21V5/04 , F21Y115/10
Abstract: 本申请实施例提供一种多基色LED的反射式灯具，所述反射式灯具包括：多基色LED光源；出光面盖板，位于所述反射式灯具底部；外壳，与所述出光面盖板形成容纳空间；支架，沿所述外壳纵向设置于所述容纳空间中，依次包括上端部、竖直部以及下端部，其中，所述上端部与所述外壳的中部连接，所述竖直部用于安装所述多基色LED光源，所述下端部至少包括第一反射结构；反光条，沿所述支架两侧对称设置于所述容纳空间中且所述反光条与所述支架之间具有空隙，所述反射条至少包括第二和第三反射结构；以及端盖，与所述外壳的开口端连接，至少用于封闭所述容纳空间。本申请实施例的反射式灯具具有高光效和高出光品质。
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公开(公告)号：CN117130084A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310589816.1
申请日：2023-05-24
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可见光波段可调双通道滤波器，包括可见光透明衬底和介质滤波器，介质滤波器由两组介质膜组成，记第一介质膜组A，第二介质膜组B；第一介质膜组A控制长波长通道的位置，第二介质膜组B控制短波长通道的位置；可以通过改变第一介质膜组A和第二介质膜组B中的介质材料层的厚度来任意调控双通道的位置，实现可见光波段的双通道滤波的效果。这种可见光波段可调双通道滤波器的通道窗口的透光率高，能够减少目标波长的损失，同时滤波通道的半高宽窄，可以满足彩色显示中对色纯度的滤波要求。这种可见光波段可调双通道滤波器可以直接贴合到彩色显示中，使显示的色纯度高和稳定性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116895681A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310803186.3
申请日：2023-07-03
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED全彩显示模组及制备方法，在一块驱动基板上集成有能自发白光的Micro‑LED阵列，每个像素均能独立地控制自发白光的Micro‑LED开关和亮度。这些自发白光的Micro‑LED被分成三组，其中第一组自发白光的Micro‑LED表面上设置有红色光子晶体滤波膜，第二组自发白光的Micro‑LED表面上设置有绿色光子晶体滤波膜，第三组自发白光的Micro‑LED表面上设置有蓝色光子晶体滤波膜。使自发白光的Micro‑LED经过滤波膜后发出的光分别为红色、绿色和蓝色，作为发光像素。红色、绿色、蓝三组像素均形成二维周期性排列，使每个周期内均包含有至少一个红色、一个绿色和一个蓝色像素，从而构成全彩像素。本发明能够降低Micro‑LED全彩显示像素转移难度，提高Micro‑LED全彩显示的色纯度和稳定性。
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公开(公告)号：CN109273573B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201811235636.9
申请日：2018-10-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED芯片及其制备方法，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极。本发明还公开了该LED芯片的反射电极及其制备方法，反射电极由第一电极和第二电极共同构成，第一电极依次包括第一电极接触层、低折射率介质层和高光反射金属层，低折射率介质层和高光反射金属层之间具有二者复合的特定排列的导电小孔，第一电极还包括可减少第二电极对其正下方区域发光遮挡的区域。本发明有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN116607210A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310369558.6
申请日：2023-04-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种消除Ⅲ族氮化物材料中掺Mg记忆效应的外延生长方法，采用金属有机源TMIn清洗和InGaN阻挡层相结合的方法，可以消除MOCVD外延生长Ⅲ族氮化物材料中掺Mg的记忆效应，阻挡Mg扩散至下一层影响光电性能。清洗MOCVD反应环境的主要特征是在TMIn的作用下，长时间吹扫MOCVD反应室和反应管道，清除反应环境中的Mg，并分解MOCVD反应室中已沉积的易分解的掺Mg氮化物，消除反应环境中Mg的记忆效应。InGaN阻挡层或InGaN/GaN超晶格阻挡层的主要特征是在合适的温度和缓慢的生长速率下生长，阻挡P型氮化物材料内部或表面的Mg扩散至下一层。通过本发明的两步法结合，能完全消除Mg的记忆效应，从而增加了Ⅲ族氮化物材料掺杂Mg后界面的陡峭性，提高材料性能。
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公开(公告)号：CN114388675A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111568088.3
申请日：2021-12-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种GaN基微型LED芯片及其制备方法，所述LED芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P型电极层、介质层、P型半导体层、有源层、N型半导体层、N型电极层。所述LED芯片的径向尺寸在40μm以下。在所述介质层上设有若干小孔，P型电极层通过小孔与P型半导体层接触。通过调整介质层表面的小孔边缘到台面边缘的距离，结合芯片边缘区域设置的电隔离区域，本发明能够实现高光反射率，且可以调制电流扩展长度，限制电流部分远离表面缺陷，减弱载流子在侧壁面产生非辐射复合，最终可以提高微型LED芯片的电光转换效率。
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