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公开(公告)号：CN106153567A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610456984.3
申请日：2016-06-22
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明公开了基于BP神经网络压力补偿的红外气体传感器及检测方法，包括红外气体传感器、压力传感器和嵌有BP神经网络算法的微处理系统，红外气体传感器包括采样气室，采样气室的顶部的左端设置有进气口，采样气室的顶部的右端设置有出气口，采样气室内部的左端设置有电调制红外光源，采样气室内部的右端设置有滤光轮，滤光轮的左侧表面的中间位置设置有滤光片组，滤光片组包括两个不同波长的滤光片且两个滤光片上下对称，滤光轮的右侧表面的中间位置设置有双元热释电探测器；本发明具有精度高、结构简单、适用性更强、网络训练速度快、可实现全额补偿等特点。
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公开(公告)号：CN105842228A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610328132.6
申请日：2016-05-17
Applicant: 南京信息工程大学
CPC classification number: G01N21/658 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离激元效应的纳米环形腔SERS基底，包括基片，基片上设置有纳米级单层PS微球阵列，PS微球阵列中填充有SiO2或者TiO2前驱物溶液形成的凝胶层，凝胶层的厚度小于微球直径，PS微球顶部与凝胶层之间设有纳米级环形凹腔，在基片的表层还覆有金属层，覆有金属层的环形凹腔形成金属环形腔阵列。将待检测样品填充在环形凹腔内，光照时金属环形腔内形成圆柱形表面等离激元，形成强烈的局域电场增强，待检测样品借助增强的电场激发出能够检测到的拉曼信号，结构简单，易于加工制备。本发明还公开了一种SERS基底的制作方法，采用纳米微球和旋涂方法在平面基片制备环形腔阵列，方法简单，易于规模化生产。
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公开(公告)号：CN104807556A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510243770.3
申请日：2015-05-13
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01K11/30
Abstract: 本发明公开了基于PPMgLN晶体的大范围温度测量装置及方法，该装置包括LD激光二极管、Nd:YVO4晶体、PPMgLN晶体、精密旋转平台、带通滤波片以及光功率计；LD激光二极管、Nd:YVO4晶体、PPMgLN晶体、带通滤波片、光功率计从左到右依次排列，Nd:YVO4晶体和PPMgLN晶体位于同一水平面且相互分离，PPMgLN晶体放置于所述精密旋转平台上，精密旋转平台用于带动PPMgLN晶体旋转。本发明的大范围温度测量装置及方法，采用PPMgLN晶体化学性能稳定、非线性系数大、透光范围宽、熔点较高的特点，实现高效率的光光转换；且测量的温度范围大，能够满足某种特殊领域的测温需求，大大增强了温度测量装置的实用性。
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公开(公告)号：CN104374743A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410649079.0
申请日：2014-11-17
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种浊度传感器，属于液体参数测量技术领域。该浊度传感器包括壳体、光源、光电接收模块，所述壳体为具有一个平面状底面的桶状壳体；所述光源设置于靠近所述底面的壳体侧壁内侧，可向所述底面发射与所述底面的夹角为20°的平行光；所述底面上嵌设有沿光源出射光方向依次排布的两个透明窗镜：第一窗镜、第二窗镜，其中第一窗镜位于光源所发射光线与底面的交点处；所述光电接收模块包括设置于所述壳体内部空间中的两个光电探测器：第一光电探测器、第二光电探测器，分别用于检测从第一窗镜、第二窗镜射入的与光源所发射平行光垂直的光线强度。本发明还公开了一种浊度测量装置。本发明具有结构设计简单、精度准确、测量范围宽的优点。
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公开(公告)号：CN103151692B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201310043347.X
申请日：2013-02-05
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了基于PPLN的多波长中红外激光发生装置及其控制方法，属于激光技术领域。所述基于PPLN的多波长中红外激光发生装置包括：泵浦源发生器、信号源发生器、波分复用器、第一聚焦透镜、PPLN晶体、第二聚焦透镜、滤波片。所述控制方法通过对PPLN晶体进行分段温度控制，实现多QPM峰的产生与调控，进而根据准相位匹配原则确定基频光激光器波长，获得多波长中红外激光同步辐射。本发明只需通过改变PPLN子段晶体的温度即可实现多波长激光的大范围调谐输出；根据实际应用需要灵活设置分段晶体温度以使中红外激光波长处于目标谱线位置，克服了现有方法中红外波长无法大范围调谐的劣势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103825182A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201310553740.3
申请日：2013-11-11
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01S3/10 , H01S3/0941
Abstract: 本发明公开了一种宽调谐中红外差频产生激光发生装置的控制方法，属于激光技术领域。所述控制方法通过增加PPLN晶体两端的温度梯度大幅度提高了中红外闲频光的QPM波长接受带宽。在保持PPLN晶体两端的温度梯度的前提下，通过调节PPLN晶体起始端、末尾端的温度实现闲频光QPM带位置的大范围平移，最终获得宽调谐的中红外激光输出。
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公开(公告)号：CN114965302B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202210630771.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01N21/25 , G01N21/552 , C25D1/04 , B82Y40/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明公开了湿度传感器技术领域的一种纳米陀螺形结构阵列的湿度传感器及其制备方法，包括：包括能够引起的F_P模式的纳米陀螺形结构阵列，且纳米陀螺形结构阵列中部设置有能够引起圆盘SPP模式的圆盘阵列，所述纳米陀螺形结构阵列的F_P模式和圆盘阵列的圆盘SPP模式叠加形成Fano模式，所述纳米陀螺形结构阵列中还设置有吸水材料，且吸水材料在不同湿度的空气中，通过自身吸水量的变化改变纳米陀螺形结构阵列的谐振模式，进而使纳米陀螺形结构阵列在光照下反射出不同颜色的光。本发明解决现有传感器寿命短，稳定性差，精度低，可重复性差的缺陷。
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公开(公告)号：CN119987102A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510341584.7
申请日：2025-03-21
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G02F1/35
Abstract: 本发明公开了一种基于低温相变异质结构的非线性光学开关及其制备方法，所述器件包括二维多层半导体、二氧化钒相变薄膜及基底，其中二氧化钒相变薄膜具有低温的绝缘体‑金属可逆相变特性，二维多层半导体具有本征或人工设计的反转对称性破缺特性。本发明所述基于低温相变异质结构的非线性光学开关通过二氧化钒薄膜的低温相变实现对二维多层半导体非线性光学响应的动态调控，呈现可逆的非线性光学开关特性，同时本发明通过构建普适性的界面光场叠加的物理模型，综合考虑二维多层半导体中每一层的非线性光场产生、层与层之间的传播和转角叠加以及多重反射与干涉效应，对二维多层半导体/VO2的低温相变异质结构在金属态和绝缘态下非线性光信号强度和开关比进行定量计算，实现高开关比宽谱响应的低温相变异质结构非线性光学开关的具体结构参数设计。
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公开(公告)号：CN119674684A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411784530.X
申请日：2024-12-06
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01S3/08031 , H01S3/067 , H01S3/094
Abstract: 本发明提供了一种高功率超窄线宽光纤激光源模块，所述激光源模块包括了多纵模的光纤激光器、光纤环行器、光纤分束器和高品质因子光纤环形腔；多纵模光纤激光器输出的激光依次通过光纤环形器第二端口和第三端口到达光纤分束器的输入端口；从光纤分束器第一输出端口输出的激光作为整个激光源模块的输出；从光纤分束器第二输出端口输出的激光依次通过高品质因子光纤环形腔的第一端口、第四端口并从光纤环形器第一端口返回到多纵模光纤激光器的谐振腔中，形成光反馈环路。相对于传统的超窄线宽光纤激光源，本发明可以突破传统超窄线宽光纤激光源对单频光纤激光器的依赖，且进一步具有输出功率高、光谱线宽窄和全光纤系统集成性好的优势。
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公开(公告)号：CN119300441A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411428321.1
申请日：2024-10-14
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种对称的氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)结构及其制备方法，HEMT结构包括向上晶面为非极性面的GaN层、掩膜层、GaN立体三角岛、AlxGa1‑xN层、绝缘介质层以及各功能电极。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得立体结构的GaN岛，此GaN岛因其晶体属性自然形成左右对称的结构，基于此特点成对制备的HEMT具有原子层面的一致性，并且左右对称的半极性面AlGaN/GaN异质结能够产生浓度方便控制的二维电子气(2DEG)，实现高质量、高性能、高一致性的成对GaN基HEMT，可以应用在镜像电流源、差分放大等电路中，相较于传统器件具有更好的一致性和稳定性。
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