公开(公告)号：CN119987102A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510341584.7

申请日：2025-03-21

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 李元元 ,  孙宇 ,  黄晋豪 ,  尹乐天 ,  顾玉树 ,  张子健 ,  常建华

IPC: G02F1/35

Abstract: 本发明公开了一种基于低温相变异质结构的非线性光学开关及其制备方法，所述器件包括二维多层半导体、二氧化钒相变薄膜及基底，其中二氧化钒相变薄膜具有低温的绝缘体‑金属可逆相变特性，二维多层半导体具有本征或人工设计的反转对称性破缺特性。本发明所述基于低温相变异质结构的非线性光学开关通过二氧化钒薄膜的低温相变实现对二维多层半导体非线性光学响应的动态调控，呈现可逆的非线性光学开关特性，同时本发明通过构建普适性的界面光场叠加的物理模型，综合考虑二维多层半导体中每一层的非线性光场产生、层与层之间的传播和转角叠加以及多重反射与干涉效应，对二维多层半导体/VO2的低温相变异质结构在金属态和绝缘态下非线性光信号强度和开关比进行定量计算，实现高开关比宽谱响应的低温相变异质结构非线性光学开关的具体结构参数设计。