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公开(公告)号:CN201089245Y
公开(公告)日:2008-07-23
申请号:CN200720087377.0
申请日:2007-09-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: B41J2/14
Abstract: 本实用新型公开一种基于碳纳米管微气泡发生器的喷印阀。喷印阀由制作有碳纳米管微气泡发生器的玻璃衬底或硅衬底和经微加工的硅基底键合而成。碳纳米管、二个金电极以及二氧化硅层构成碳纳米管微气泡发生器;碳纳米管架设于金电极之间;碳纳米管与金电极的接触部位覆盖二氧化硅层;硅基底上开有通孔作为进液管,在硅基底的表面开有与进液管相连的凹槽;衬底与硅基底键合,使碳纳米管微气泡发生器与凹槽的位置相对,形成喷嘴。本实用新型克服了传统微气泡发生器功耗大的缺点,并具有良好的高密度集成的潜力,在先进制造领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN2664286Y
公开(公告)日:2004-12-15
申请号:CN200320115574.0
申请日:2003-10-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种恒温晶体振荡器,特点是采用了新的恒温槽结构和控温方式。恒温槽由槽体及槽盖构成,电阻丝缠绕在恒温槽上,在槽体内开有腔,腔内放置谐振器Y1,在槽体中部一侧面开有槽,其内放置热敏电阻RT,振荡电路的电路板在槽体上,然后用槽盖加以密封。采用集成芯片ADN8830控温,它以PWM脉宽调制方式输出一定占空比的方波到开关驱动电路,该占空比由PID补偿电路加以控制,从而控制加热电阻丝的加热功率,以达到控温的目的。本实用新型不仅频率稳定度高,而且体积小。
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公开(公告)号:CN2511047Y
公开(公告)日:2002-09-11
申请号:CN01273470.5
申请日:2001-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03H9/00
Abstract: 本实用新型公开的微机温度补偿晶体振荡器,由依次相连的测温电路、8位或8位以上的单片机、滤波电路和压控晶体振荡器组成,单片机包含PWM方波模块。并向滤波电路输出PWM方波,滤波电路向压控晶体振荡器输出直流控制电压。测温电路可采用数字温度传感器,晶体振荡器可以由反相器、三极管或专用振荡芯片构成。本实用新型生产成品率高、可生产性好;能够实现全自动调试和校准;生产成本低;产品可靠性良好。本实用新型还可使用批量在线编程方式对MCXO进行频率和参数微调,全自动、大批量、高速地校准MCXO。
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公开(公告)号:CN2472453Y
公开(公告)日:2002-01-16
申请号:CN01212560.1
申请日:2001-02-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: H05B41/298
Abstract: 本实用新型公开了一种荧光灯用电子镇流器,该电子镇流器由电磁干扰抑制电路、主谐波吸收电路、缓启动触发电路、异常状态自保护电路、开关电路及负载谐振电路组成,缓启动触发电路及异常状态自保护电路采用集成电路芯片及分立元件组合成厚膜集成电路,电子镇流器的性能及可靠性符合国家标准要求,且成本低,经济及社会效益显著。
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公开(公告)号:CN206664000U
公开(公告)日:2017-11-24
申请号:CN201720321370.4
申请日:2017-03-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: B41J2/16
Abstract: 本实用新型公开了一种基于石墨烯-碳纳米管复合结构的热喷印头,采用ICP工艺以及PDMS填充深沟的表面平坦化工艺,在硅片衬底上制备主通道、喷墨腔室、进墨通道、喷嘴、喷墨通道;采用阳极键合工艺,以石墨烯碎片作为中间层,将玻璃基底和硅片衬底键合。主通道和喷墨腔室通过进墨通道连通,进墨通道深度小于喷墨腔室深度;喷嘴设置在喷墨腔室底部;碳纳米管-石墨烯复合结构微气泡发生器阵列和碳纳米管温度传感器阵列制备在玻璃基底对应喷墨腔室的区域,且朝向喷墨腔室设置。该喷头进液关闭可靠、键合强度高、不易污染喷印腔室,制备时精度易于控制。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN200976351Y
公开(公告)日:2007-11-14
申请号:CN200620157557.7
申请日:2006-11-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/115
Abstract: 本实用新型公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容,该铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成;二氧化钛粘结层的厚度为10~30nm;下电极金属层的厚度为100nm~200nm;下缓冲层的厚度为5~20nm;铁电薄膜层的厚度为200nm~500nm;上缓冲层的厚度为100nm~200nm;上电极金属层的厚度为80nm~150nm;下缓冲层、上缓冲层的材料为LSMO超大磁电阻材料,铁电薄膜层的材料为掺Ta的PZT。本实用新型铁电薄膜电容疲劳速率小,漏电流较小。
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公开(公告)号:CN2623906Y
公开(公告)日:2004-07-07
申请号:CN03241229.0
申请日:2003-04-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: F04B43/04
Abstract: 本实用新型公开了一种无阀薄膜驱动型微泵,该微泵是一种单膜双腔结构,双腔中间由基底膜与功能膜构成的驱动膜完全隔离,每个泵腔通过各自的锥形扩散管与进水孔相连,通过各自的锥形收缩管与出水孔相连。本实用新型采用单膜双腔结构,利用信号控制两个腔体容积的变化,使两个腔体容积变化得到实时互补,输出流量稳定,且具有结构及制备工艺简单、响应快、驱动频率宽、可控性强、能耗低、寿命长等特点。此外,本实用新型可采用微细加工和微机械技术相兼容的材料和工艺制造,具有体积小、成本低、容易和其它微检测和微控制元件集成等特点,适应于大批量生产,具有可观的应用前景。
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