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公开(公告)号：CN112362199B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202011194609.9
申请日：2020-10-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于压力传感器领域，更具体地，涉及一种介质插入型电容式压力传感器及其制备方法。该介质插入型电容式压力传感器包括基体、支撑层和感压层，基体包括衬底和梳状电极，感压层包括弹性薄膜和位于该弹性薄膜下方与之相连接的感压阵列，感压阵列的阵列单元正好位于梳状电极梳齿间隙的正上方，而弹性薄膜、衬底以及支撑层围成一个封闭的真空腔结构，使得弹性薄膜在压力作用下，带动感压阵列向下移动，而梳状电极的位置固定不变，从而使感压阵列插入到梳齿电极平行板电容的两极板之间，改变电极板间电介质的相对介电常数，进而引起电容的改变，再通过检测电容即可测得压力的大小。该电容式压力传感器可以在增加线性度的同时，提高其灵敏度。
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公开(公告)号：CN114674485A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210156339.5
申请日：2022-02-21
Applicant: 华中科技大学 , 孝感华工高理电子有限公司
Abstract: 本发明涉及压力传感器技术领域，提供了一种小量程MEMS电容式压力传感器的制备方法，包括如下步骤：S1，于衬底上淀积下电极层，并将所述下电极层刻蚀形成单个阵列的下电极；S2，在所述下电极上淀积介质层，所述介质层作为所述下电极的保护层；S3，于所述介质层上淀积牺牲层；S4，接着经光刻、刻蚀形成下电极引出孔；S5，继续沉积上电极，并在其表面形成牺牲层释放孔；S6，对所述牺牲层进行释放；S7，将所述牺牲层释放孔进行密封，从而形成密封腔体。还提供一种小量程MEMS电容式压力传感器，由上述的制备方法制得。本发明由于工艺成熟，其所形成的硅微结构机械性能良好，尤其使用淀积Al/Ti侧面释放孔所形成的腔体结构密封性能优异。
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公开(公告)号：CN108059455B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201810105008.2
申请日：2018-02-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种中介高品质τf近零的微波介质陶瓷及其制备方法，其中，微波介质陶瓷包括主晶相，所述主晶相的化学式为(ZrTi)1‑x(Mg1/3Sb2/3)2xO4，其中，0.10≤x≤0.36。本发明制备得到的微波介质陶瓷的介电常数为24.4～35.4，谐振频率温度系数为‑4.6ppm/℃～+6.7ppm/℃，品质因数为28000GHz～40200GHz。证明了本发明的微波介质陶瓷具有中介电常数、高品质因数和近零谐振频率温度系数。
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公开(公告)号：CN112362199A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011194609.9
申请日：2020-10-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于压力传感器领域，更具体地，涉及一种介质插入型电容式压力传感器及其制备方法。该介质插入型电容式压力传感器包括基体、支撑层和感压层，基体包括衬底和梳状电极，感压层包括弹性薄膜和位于该弹性薄膜下方与之相连接的感压阵列，感压阵列的阵列单元正好位于梳状电极梳齿间隙的正上方，而弹性薄膜、衬底以及支撑层围成一个封闭的真空腔结构，使得弹性薄膜在压力作用下，带动感压阵列向下移动，而梳状电极的位置固定不变，从而使感压阵列插入到梳齿电极平行板电容的两极板之间，改变电极板间电介质的相对介电常数，进而引起电容的改变，再通过检测电容即可测得压力的大小。该电容式压力传感器可以在增加线性度的同时，提高其灵敏度。
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公开(公告)号：CN109735807B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910145223.X
申请日：2019-02-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种负温度系数热敏薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)衬底的清洗；(2)热敏薄膜制备：采用磁控溅射法将Mn‑Co‑Ni系合金靶材溅射到衬底上得到Mn‑Co‑Ni系薄膜；(3)退火处理：将Mn‑Co‑Ni系薄膜在含有氧气的气氛下进行退火氧化处理，即可得到Mn‑Co‑Ni‑O系负温度系数热敏薄膜。本发明通过对制备方法整体流程工艺设计，尤其是关键溅射工艺所采用的靶材料进行改进，以Mn‑Co‑Ni系合金作为靶材，与现有技术相比能够有效解决磁控溅射法制备热敏薄膜时陶瓷靶材容易碎裂、利用率低的问题，制备方法操作简单，容易实现，重复性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110350275A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910529234.8
申请日：2019-06-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01P1/207
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，公开了一种4模SIW双通带滤波器，自下而上包括接地金属层、介质基板(1)及上金属层，在上金属层内设置有输入、输出耦合结构，通过设置金属化过孔利用在介质基板上被侧壁金属化过孔阵列(5)包围形成的区域与介质基板耦合金属化过孔阵列(6)、介质基板4n个微扰金属化过孔(7)由此配合构成SIW谐振腔结构。本发明通过对滤波器器件关键的内部构造及细节结构设置等进行改进，尤其通过设置微扰金属化过孔，与侧壁金属化过孔阵列、耦合金属化过孔阵列配合作用，得到的基于4模SIW谐振腔的双通带滤波器，采用单谐振腔结构，且具有两个双模工作的通带，三个传输零点，通带内插入损耗低，易于加工等特点。
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公开(公告)号：CN110336105A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910487302.9
申请日：2019-06-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于滤波器领域，公开了一种加载方盘型SSPP结构的SIW带通滤波器，包括第二层金属印刷层(1)、介质基板(2)、第一层金属印刷层(3)、2条微带线(4)，并形成有多个长方形金属印刷区域(6-2)，这些长方形金属印刷区域的投影整体以第一层金属印刷层(3)长方形投影中平行于长方形宽度方向的中心线呈轴对称形状；正是利用这些长方形金属印刷区域对应的方盘结构，构建得到加载方盘型SSPP结构的SIW带通滤波器。本发明通过对器件内部各个组件的结构及其设置方式等进行改进，得到加载方盘型SSPP结构的基片集成波导带通滤波器，与现有技术相比能够有效解决SPP-SIW带通滤波器的尺寸较大，加载缺陷型SIW带通滤波器带内损耗较差的问题。
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公开(公告)号：CN109761602A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910153087.9
申请日：2019-02-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低阻热敏陶瓷材料及制备方法与应用，属于电子陶瓷元件技术领域。该热敏陶瓷材料的主要成分的化学式为((Bi0.5Q0.5)xBam-x)TiO3；其中Q为碱金属元素Na或K；其中m的取值范围为1≤m≤1.007，x的取值范围为0.001≤x≤0.007。制备方法为将钛酸铋钠或钛酸铋钾陶瓷粉末与碳酸钡粉末、二氧化钛粉混合后进行煅烧，再依次通过流延、叠片、压片和切片，得到成型生坯；将成型生坯在温度大于等于280℃条件下分解流延过程中混入的有机物，再在还原气氛中煅烧，得到陶瓷块体；再将陶瓷块体再在含氧气氛中煅烧。本发明方法制得的片式钛酸钡基热敏陶瓷具有极低的室温电阻率，较高的升阻比，较高的温度系数。
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公开(公告)号：CN109206135A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811135337.8
申请日：2018-09-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷元件制备技术领域，更具体地，涉及一种具有高的正温度系数的热敏陶瓷材料及其制备方法。该热敏陶瓷材料的主要成分的化学式为(Ca0.03(Bi0.5Q0.5)xSryBa0.97-x-y)Ti1.01O3,其中Q为碱金属元素Na或K，x取值范围为0.01-0.06，y取值范围为0.01-0.2。本发明方法制得的钛酸钡热敏陶瓷具有较高的温度系数，开关温度可以调节，温度系数(α(10/25))大于30％。
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公开(公告)号：CN109112627A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811160371.0
申请日：2018-09-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于高能射线探测器材料领域，更具体地，涉及一种提高溴铅铯单晶电阻率的方法，其通过对溴铅铯单晶的Pb位进行一价阳离子Ag离子掺杂，补偿所述溴铅铯晶体内的施主型本征缺陷，以提高溴铅铯单晶的电阻率，由此解决熔体法生长的CsPbBr3晶体存在大量的本征缺陷，严重影响晶体的结晶质量，导致电阻率下降，探测效率低等的技术问题。
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