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公开(公告)号：CN101328609B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810103884.8
申请日：2008-04-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种简单的合成Sn掺杂ZnO纳米线的方法-气相沉积方法，这种方法不需要球磨设备。使用的氩气流量较小，加热温度偏低，加热时间较短，大大节约了生产成本。另外，制备过程中也不需要加入异质催化剂，因而可以完全避免杂质对纳米线性能的影响。结果分析表明本发明制备的产物纯度很高，没有形成杂质相，说明本发明的方法是合成高质量Sn掺杂ZnO纳米线的一种有效手段。
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公开(公告)号：CN101311386B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200810103466.9
申请日：2008-04-07
Applicant: 北京科技大学
Inventor： 常永勤
Abstract: 一种单晶硫化锌纳米线的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明是在管式炉中通入流量为108～113ml/min的氩气和氢气的混合气体；将ZnS粉末放在石英舟中作为蒸发源，和舟一起放在管式炉中，同时将清洗过的硅片放入炉中，硅片距离蒸发源25～30mm，其中蒸发源放在气流的入口方向，硅片放在气流的出口方向；将管式炉升温至890～910℃，保温时间为80～120min，炉内压强为0.015～0.03MPa。当炉子的温度降至室温后，在硅片上沉积一层ZnS纳米线白色薄膜。本发明合成温度比较低，而且没有采用外来催化剂。制备出的ZnS纳米线具有面心立方结构，纳米线尖端的直径只有20～30nm，长度为10～15μm。纳米线为单晶，结晶质量比较高。本发明操作工艺简便，原料易得，成本低，易于规模化生产。
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公开(公告)号：CN101372356B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810224592.X
申请日：2008-10-21
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G9/02
Abstract: 一种铝掺杂氧化锌纳米线的制备方法，属于光电信息功能材料领域。本方法以Zn粉和Al粉为蒸发源，相邻放置在三氧化二铝舟中，清洗后的硅片放置在蒸发源的正上方，距离源的垂直距离为1～2mm，然后将舟放入水平管式炉中；将管式炉升温至800℃～850℃，保温45～60min，在整个生长过程中，炉腔内始终充入40～50ml/min的氩气，生长结束后管式炉自然冷却到室温，取出硅片，在硅片表面沉积有Al掺杂ZnO纳米线。本方法无需真空设备，只需在常压条件下就可以合成出直径为40～370nm，长达30～150μm的Al掺杂ZnO纳米线，而且合成温度低，从而大大降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN100582014C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200810103464.X
申请日：2008-04-07
Applicant: 北京科技大学
Inventor： 常永勤
IPC: C01G9/08
Abstract: 一种Mn掺杂ZnS纳米结构的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明采用化学气相沉积的方法，在管式炉中通入流量为108～113ml/min氩气和氢气混合气体，将ZnS粉末和MnCl2粉末在氩气和氢气混和气氛下蒸发。蒸发源放在氩气和氢气混合气流的入口方向，硅片放在氩气和氢气混合气流的出口方向，硅片和蒸发源的水平距离为3～6mm；管式炉升温至900～920℃，保温60～200min，保持炉内压强0.015～0.03MPa，在空白硅片上沉积Mn掺杂ZnS纳米结构。该方法不需要催化剂，就可获得高纯度、高结晶质量的Mn掺杂ZnS纳米材料，而且制备方法简单，成本低、易于操作。
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公开(公告)号：CN101554993A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910084730.3
申请日：2009-05-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备主相为NaZn13型结构的大磁熵材料氢化物的方法，属于磁制冷材料技术领域，其特征在于：将具有变磁转变的主相为NaZn13型结构的大磁熵材料在低于一个大气压的热处理气氛中进行氢气气氛热处理，使得氢原子进入材料的间隙占据间隙位置，形成主相为NaZn13型结构的大磁熵材料氢化物，在磁场变化为1T下，磁熵随温度变化的曲线上，最大磁熵变化值大于3J/kg.K；最大磁熵变化值的一半对应的温度宽度ΔT乘以最大磁熵变化值大于60J/kg。由于氢原子在低压的条件下进入材料的间隙，使得在低场下同时具有大的磁熵变和宽的温度范围ΔT，并且降低了磁制冷材料在磁制冷循环中的损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101497425A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910079154.3
申请日：2009-03-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种氧化锌径向同质结及其制备方法，属于纳米材料和纳米技术领域，特别涉及一种氧化锌径向同质结及其制备方法。本发明采用化学气相沉积(CVD)方法在硅衬底上沉积氧化锌掺杂薄膜，以镓或氧化铟作为氧化锌中掺杂元素的蒸发源，将锌粉、镓或氧化铟与石墨粉以1∶7～1∶3的摩尔比混合后形成的混合源，放入石英舟中；将等体积的45～150mM的硝酸锌[Zn(NO3)2·6H2O]和45～100mM的六亚甲基四胺[C6H12N4]配成溶液，采用溶液法在CVD制备的产物上沿径向生长氧化锌包覆层，能够实现通过在掺杂氧化锌径向方向包覆一层未掺杂氧化锌，形成径向同质结，并且工艺简单，可以大量制备。
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公开(公告)号：CN100501882C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710099377.7
申请日：2007-05-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高温低磁场大磁熵材料化合物及其制备方法，属于磁制冷材料技术领域。化合物的化学组成为La(FeyCo1-y)13-xAlx，1.50≥x≥1.2，y的取值从0.075到0.15。该材料的M2随μ0H/M变化的曲线在居里温度是线性的，并且居里温度大于305K，在磁场变化为2T下，最大磁熵变化值的绝对值大于3J/Kg.K。制备方法为：将La、Fe、Co，、Al原材料按化学组分进行配比，放入熔炼炉中，抽真空至4×10-3Pa以上，通入氩气，熔炼冷却后得到成份均匀的化合物。将熔炼获得的化合物在900～1100℃下均匀化处理120～360小时，然后放入冰水中。其优点在于：制备工艺相对简单，低磁场高温下磁熵变大，可以和Gd组成复合材料应用于磁制冷空调中。
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公开(公告)号：CN101372358A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810224591.5
申请日：2008-10-21
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G19/02
Abstract: 本发明提供的常压气相沉积制备氧化锡纳米线的方法，属于氧化物半导体纳米材料领域，是将Sn粉和Fe粉均匀混合后放入刚玉舟中作为蒸发源，清洗后的空白硅片作为接收衬底放置在蒸发源的正上方；在水平管式炉中通入流量为70～90ml/min的氩气，然后将管式炉升温至880～910℃，到达设定温度后，将放有蒸发源和硅片的舟放入管式炉中，保温时间为20～30min，在炉子的温度降至室温后取出硅片，硅片上沉积一层白色SnO2纳米线薄膜，纳米线的直径约25～160nm，长度达10～30μm。该方法采用的设备简单，易于操作，成本低廉，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN101328609A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810103884.8
申请日：2008-04-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种简单的合成Sn掺杂ZnO纳米线的方法－气相沉积方法，这种方法不需要球磨设备。使用的氩气流量较小，加热温度偏低，加热时间较短，大大节约了生产成本。另外，制备过程中也不需要加入异质催化剂，因而可以完全避免杂质对纳米线性能的影响。结果分析表明本发明制备的产物纯度很高，没有形成杂质相，说明本发明的方法是合成高质量Sn掺杂ZnO纳米线的一种有效手段。
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公开(公告)号：CN101311365A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810103180.0
申请日：2008-04-01
Applicant: 北京科技大学
Inventor： 常永勤
Abstract: 一种室温铁磁性Fe掺杂ZnO纳米线的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域，本发明采用气相沉积的方法在ZnO纳米线制备过程中进行原位掺杂，将ZnO、C和Fe粉作为蒸发源，硅片作为接收衬底，放置在刚玉舟上，且硅片处于蒸发源的正上方，与蒸发源的垂直距离为2～4mm。其后，一起放入管式炉中，在炉中通入300～350ml/min的氩气，5～8min后将氩气流量改为120～160ml/min；将管式炉加热到950～1050℃，炉子内压强维持在0.03～0.05Mpa，保温140～160min后自然冷却至室温，得到大面积均匀分布的Fe掺杂ZnO纳米线。本发明解决了在ZnO纳米线中合理掺入磁性元素Fe的问题，获得的Fe掺杂ZnO纳米线具有室温铁磁性。本方法原料廉价，工艺简单，能耗低，产率高，对环境无污染，适于工业化生产。
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