水热条件下相分离法获得Na0.5Bi0.5TiO3及Na-Ti-O纳米线的方法

    公开(公告)号:CN104986795B

    公开(公告)日:2016-09-14

    申请号:CN201510425326.3

    申请日:2015-07-19

    Abstract: 水热条件下相分离法获得Na0.5Bi0.5TiO3及Na‑Ti‑O纳米线的方法属于新型功能材料的制备技术领域。本发明通过反应原料浓度控制,同时生成了Na0.5Bi0.5TiO3及Na‑Ti‑O一维纳米结构;并首次利用物相分离技术,成功将二者分离,有利于目标产物及中间产物的单一化及结构、性能研究,推动了水热技术的实质性发展。本发明将硝酸铋在研钵里充分研磨成细的粉末;按摩尔比为Bi:Ti=1:2的化学计量关系,称取二氧化钛粉体;加入到配好的氢氧化钠溶液后200‑220℃温度下,反应60‑70h;反应结束后,以10℃/h的速率降至室温,使反应物由于密度不同发生相分离;离心、洗涤干燥,得到纯净的Na‑Ti‑O纳米线和Na0.5Bi4.5TiO3纳米粉。

    一种多孔WO3/rGO复合薄膜的Sol-Gel配制方法

    公开(公告)号:CN105839084A

    公开(公告)日:2016-08-10

    申请号:CN201510398971.0

    申请日:2015-07-08

    Abstract: 一种多孔WO3/rGO复合薄膜的Sol-Gel配制方法,属于功能材料技术领域。在WO3溶胶中加入适量所制备的还原氧化石墨烯(rGO)分散液,充分搅拌得稳定的混合溶胶。本发明配制的溶胶比较稳定,可以用于制备多孔WO3/rGO复合薄膜,工艺简单,可重复性高,而且其所制备的薄膜具有良好的电致变色和光学性能,为发展节能、高效、低成本的WO3薄膜技术提供新思路。而且有利于发展高效的电致变色器件,为电致变色材料的普及和智能建筑材料的快速发展提供动力。

    一种提高烧结钕铁硼磁体防腐性能的方法

    公开(公告)号:CN105839045A

    公开(公告)日:2016-08-10

    申请号:CN201610237819.9

    申请日:2016-04-17

    CPC classification number: C23C8/26 C23C8/02

    Abstract: 一种提高烧结钕铁硼磁体防腐性能的方法属于稀土磁性材料及表面处理领域。本发明包括预处理,将钕铁硼磁体进行打磨、清洗;把预处理后的钕铁硼磁体放入真空炉内密封,通过真空泵抽取真空,炉内气压降到20pa以下时,充入0.1~0.2Mpa氮气,再抽真空,如此反复2~3次进行洗气。然后对真空炉升温,温度达到400~750℃后,充入氮气,使其压力保持在1×103~1×105pa的范围,处理时间控制在2~24h,待完成防腐处理后,随炉冷却,会在磁体表面生成一层厚度为1~50μm含有氮元素的化合物耐腐蚀层。本发明不仅操作简单,无污染,且处理过的钕铁硼磁体耐腐蚀性能强,适合于批量生产,且对磁体的大小和形状没有限制。

    一种工业制备钙钛矿负载型催化剂的装置

    公开(公告)号:CN105688893A

    公开(公告)日:2016-06-22

    申请号:CN201610115334.2

    申请日:2016-03-01

    CPC classification number: B01J23/34 B01J23/002

    Abstract: 一种工业制备钙钛矿负载型催化剂的装置,属于催化材料的制备领域。主要由储液池、漏液箱、淋液传送台、沥干传送台、鼓风机,胶液回收池、过滤池和机械泵组成。储液池通过机械泵与漏液板相连,将淋液传送箱置于漏液板正下方,沥干传送台与淋液传送台相连,将鼓风机置于沥干传送台正上方,将胶液回收池置于两个传送台的下方,并通过过滤池,与储液池相连。本装置采用淋液浸渍的方式,提高了胶液的利用率,采用传送台移动载体,降低了劳动强度,从而降低生产成本。

    一种NiO纳米晶电致变色薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN105293950A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510824861.6

    申请日:2015-11-24

    Abstract: 一种NiO纳米晶电致变色薄膜的制备方法,属于功能材料技术领域。采用注入法制备出NiO纳米晶,加入适量的正己烷,超声分散后充分搅拌得到稳定的墨水。然后采用提拉法制备NiO纳米晶电致变色薄膜。本发明配制的墨水比较稳定,可以用于大面积制备NiO电致变色薄膜,为发展绿色环保、低成本、高变色性能的NiO电致变色薄膜技术提供新思路,可促进NiO电致变色薄膜材料及智能窗产业化快速发展。

    一种多晶硅薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103266352B

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201310163296.4

    申请日:2013-05-06

    Abstract: 一种低成本高效多晶硅基薄膜的制备方法,属于晶硅薄膜太阳能电池领域。其工艺流程包括薄膜沉积和固相晶化两部分。首先,采用等离子增强型化学气相沉积法,在玻璃衬底上生长500-2000nm的前驱体硅基薄膜,通过调节反应气体中硅烷与氢气的比例,在薄膜内部引入不同含量的结晶成分;随后,将薄膜样品在500-600℃下退火处理4-12小时,薄膜内的非晶成分逐渐晶化,最终得到结晶性良好的多晶硅薄膜材料。本发明中,由于在前驱体硅基薄膜内引入结晶成分,固相晶化过程中不需要形核,有效降低了薄膜的晶化温度,缩短了晶化所需时间。

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