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公开(公告)号：CN102583224A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210060342.3
申请日：2012-03-08
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS和IC单片集成方法，先在基片上完成除金属互连以外的所有IC工艺，然后依次淀积氧化硅层和氮化硅层作为IC区域的保护层；再采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；刻蚀去除IC区域的氮化硅保护层之后，刻蚀氧化硅保护层形成引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后去除MEMS区域的牺牲层，释放MEMS可动结构。该方法不需要专用的低应力氮化硅生产设备，采用IC-MEMS交叉工艺，通过选择性去除氮化硅保护层来控制集成化片内应力，从而降低集成化工艺对IC电路性能的影响，工艺简单可靠。
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公开(公告)号：CN102206580A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110074962.8
申请日：2011-03-28
CPC classification number: C12M35/02
Abstract: 一种流式细胞电融合仪包括：细胞一对一融合部分、融合细胞检出分选部分和单细胞收集部分；细胞一对一融合部分上设有多对平行的细胞定位通道，通道末端可吸附不同的细胞，在电流作用下两种细胞可靠近并发生融合。融合后细胞经放置质膜完全融合后，进入融合细胞检出分选部分，融合细胞检出分选部分主要由激光光源、荧光检测器和偏转板构成，发生融合的细胞既红绿荧光双染的细胞被收集到收集管，每收集一个细胞，检测器液滴将停止流动，安装于收集管上部的细胞培养液贮存器向收集管加入200μl细胞培养液，200μl细胞培养液使收集管末端打开，液体进入下方96孔板的一个孔中。此时，流动室液体继续开启，将下一个融合细胞放入96孔板下一孔中。本发明可一次性连续完成细胞一对一电融合，融合后融合子可正确检出并将每个融合子分别培养。
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公开(公告)号：CN102174391A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110058143.4
申请日：2011-03-10
Abstract: 本发明涉及一种细胞电融合芯片，可以准确高效的完成细胞一对一电融合，可在生物医学工程领域的科研中应用。本细胞电融合芯片由细胞融合室，细胞定位通道和细胞吸取通道组成。细胞吸取通道连接注射泵，两种不同细胞分别被吸附并定位在位于细胞融合室的细胞定位通道末端。细胞融合室间距允许两个细胞轴向排列。细胞吸取通道外端加电极，通以交流电和直流电，使细胞融合室中两个异种细胞之间发生两两融合。本发明可大大提高异种细胞配对和融合的概率，操作简单，一次可完成大量细胞融合，并具有易于观测的特点。
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公开(公告)号：CN102157352A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110070276.3
申请日：2011-03-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种微纳结构的湿法腐蚀方法及其腐蚀装置，其方法包括：A、将表面具有微纳结构的待蚀刻基片置于腐蚀液容器的基座上；B、将腐蚀液注入腐蚀液容器中，腐蚀液液面淹没基片表面；C、通过腐蚀液容器侧面设置对应的进出液口或通过在腐蚀液容器下设置摇床使腐蚀液水平流动，和/或使基座转动；D、在腐蚀液水平流动和/或基座转动的情况下湿法腐蚀基座上的待蚀刻基片表面微纳结构。腐蚀装置包括腐蚀液容器和基座，基座置于腐蚀液容器内，腐蚀液容器两侧设有进/出液口或腐蚀液容器下设有摇床；基座可转动。本发明通过腐蚀液水平流动或/和基座转动，保证腐蚀液的均匀搅拌，使腐蚀均匀性得到了有效的控制，保证了微纳结构的蚀刻效果。
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公开(公告)号：CN101717062B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910237300.0
申请日：2009-11-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及用于生物MEMS领域的悬空聚对二甲苯薄膜结构及其制备工艺。本发明的悬空聚对二甲苯薄膜结构是在有孔衬底上化学气相沉积聚对二甲苯形成聚合物悬空薄膜，因此其薄膜厚度可以精确控制，并且，由于沉积聚对二甲苯时的要求很低，不需要牺牲层填充物，对制备有孔衬底的材料并无具体的限制，孔径尺寸和深宽比亦无特殊要求，故可以根据实际需要和成本考量选取适当材料，使得工艺的应用范围大大扩展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101559916B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910082984.1
申请日：2009-04-28
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种掩蔽微结构的制备方法，属于微电子机械系统技术领域。该方法包括：在硅基片表面制成厚度为1～2μm的二氧化硅掩膜，并图形化，对硅进行深刻蚀，形成微槽或微开口结构；对微槽或微开口结构进行表面钝化；刻蚀去掉微槽或微开口结构的底部钝化层，对微槽或微开口结构的底部进行预刻蚀；接着继续各向同性刻蚀，形成微结构；然后，去掉硅片表面的掩膜和微槽或微开口结构侧壁的钝化层；回填形成掩蔽微结构。本发明利用厚掩膜很好的保护了硅片表面，不会出现针孔和钻蚀的现象。且掩蔽微结构的各向同性刻蚀在预刻蚀之后进行，可控制掩蔽微结构的截面形状，免去了复杂的工艺参数调整，也可避免对精密刻蚀设备的依赖。
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公开(公告)号：CN101962614A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010251182.1
申请日：2010-08-11
IPC: C12M3/00
Abstract: 本发明公开了一种生物芯片及其制备方法，该生物芯片包括离心分离器、富集器和进样口，所述离心分离器和富集器上分别具有排放口，所述离心分离器上具有离心分离器出口，所述富集器上具有富集器入口，所述离心分离器出口与所述富集器入口相连接；其中，所述离心分离器包括涡旋式微流体通道和沿流体流动方向布置于所述微流体通道内的若干微立柱，所述微立柱将微流体通道分成内流道和外流道。本发明生物芯片的结构紧凑，芯片的总面积减小，分离效率提高。该芯片的分离、富集过程耗时短，支持原位培养，减少细胞消化次数，该芯片还可以用于其他功能微粒分离。
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公开(公告)号：CN101857836A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200910237335.4
申请日：2009-11-10
Applicant: 北京大学
IPC: C12M1/42
Abstract: 本发明公开了一种流式电穿孔装置及系统，该系统包括：流式电穿孔装置，其中包括：基板，以及制作在基板上的电极，所述的电极，是交叉布置的，每两个电极为一对，每对电极包括相对设置的阳极和阴极；置于电极之上的限制流体流动的通道；所述通道上方制作有流体入口及出口的顶盖；注射泵，由管道连接到所述流式电穿孔装置中顶盖的入口及出口，用于控制流体的流速；电压源，由电连接件连接电极，用于设定并产生脉冲电压。流式电穿孔系统利用流体通道以及相连接的注射泵来实现各种悬浮液在流体通道中的连续流动，从而使细胞被电穿孔的过程能够持续进行实现快速处理大量样品。
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公开(公告)号：CN101086009B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610012116.2
申请日：2006-06-06
Applicant: 北京大学
IPC: C12Q1/68
Abstract: 本发明公开了一种带温控矩阵的生物芯片及其加工方法。本发明生物芯片，包括键合在一起的芯片基质和盖片：在所述芯片基质背面设有温控矩阵，所述温控矩阵至少含有2×1个节点，每个节点集成有电阻加热器和电阻温度传感器，各节点之间以凹槽隔开；在盖片与芯片基质相接触的表面上设有微槽道，在盖片上设有至少一进口和出口，均与微槽道相连通。本发明生物芯片具有成本低、体积小、速度快、性能好等优点，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN101540295A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910082236.3
申请日：2009-04-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/312 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种TSV通孔的侧壁绝缘层的制备方法。属于微电子封装技术。该方法包括：在普通硅片、SOI片或表面加工有集成电路的标准硅片上刻蚀的TSV通孔内淀积一绝缘层；在绝缘层上淀积一有机薄膜；利用各向异性刻蚀，去除TSV通孔底部的有机薄膜；然后刻蚀掉TSV通孔底部的绝缘层；再次利用各向异性刻蚀，将剩余的有机薄膜全部去除，从而获得完整的TSV通孔的侧壁绝缘层。本发明利用了有机薄膜作为刻蚀保护层，极大的提高了TSV通孔侧壁绝缘层的质量和性能，很好的保证了通孔内金属与硅片之间的绝缘性能，从而提高了TSV互连的可靠性。
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