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公开(公告)号：CN111524862A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010366300.7
申请日：2020-04-30
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L23/047 , H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种芯片封装电极及其制备方法和芯片封装结构。该芯片封装电极，包括：电极板以及在所述电极板上层叠设置的第一钼铜合金层、弹性层和第二钼铜合金层，其中，所述第一钼铜合金层和第二钼铜合金层中钼的质量百分比沿背离所述电极板的方向上均逐渐增大，所述弹性层由铜和弹性体形成的复合材料制成。第一钼铜合金层和第二钼铜合金层中，铜保证该电极具有优良的导电性能，由于钼的热膨胀系数与芯片更匹配，从而降低了热膨胀系数不匹配对电极或芯片所造成的损害；弹性层中，铜保证了电极的导电性能，弹性体的添加增加了电极的弹性，进一步降低了对芯片的机械损伤风险。上述封装电极结构紧凑，电极与芯片距离适宜，保证了芯片的良好散热。
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公开(公告)号：CN111487514A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010312229.4
申请日：2020-04-20
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种IGBT动态参数测试电路杂散电容提取方法及系统，包括：测量IGBT器件在瞬态开通过程中的发射极实测电压和集电极实测电流，得到发射极实测电压在瞬态开通过程中的电压变化曲线和集电极实测电流在瞬态开通过程中的电流变化曲线；利用电压变化曲线计算发射极实测电压在瞬态开通过程的结束时刻与开始时刻的电压差；利用电流变化曲线计算在瞬态开通过程中集电极理想电量与实测电量的电量差；利用电量差除以电压差得到IGBT动态参数测试电路的杂散电容。本发明基于IGBT器件的开通瞬态波形，通过实测的方法计算动态测试平台的杂散电容，可以有效评估动态测试设备测量结果的准确性，为制定设备杂散电容的标准提供了依据。
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公开(公告)号：CN108172519B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201711155095.4
申请日：2017-11-17
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种刚性电极压接封装功率半导体器件封装方法、及系统，其中，方法可以包括：叠层组件的层叠方法，所述叠层组件包括按预定层叠顺序层叠的多种部件，其特征在于，所述方法包括：获取各个所述部件的厚度值；根据所述部件的厚度值计算叠层组件的厚度的方差；根据最小方差的层叠方式形成所述叠层组件。可以使组装标准一致，可以尽量减小叠层组件之间的高度差，使得各组件之间承受的压力较为均匀，各组件中的部件之间接触良好。可以有效减低芯片失效率，大幅度提高封装效率和产能。
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公开(公告)号：CN108387783B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201711432966.2
申请日：2017-12-26
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开一种基于IGBT器件开通的电感提取方法及装置，其中方法包括：获取待测IGBT器件在开通瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同开通电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同开通电压值；根据测试参数，分别建立至少四个电压关系式，其分别包含四个不同的设定参数，四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值；计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在开通瞬态下其集电极多个不同开通电流值和发射极与集电极之间的多个不同开通电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。
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公开(公告)号：CN107768364B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710790797.3
申请日：2017-09-05
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种IGBT集成器件，包括：PCB电路板、开关速度调节电路、多个IGBT芯片，其中，多个IGBT芯片并联组成多个子单元，各子单元中包含至少两个IGBT芯片；多个子单元分别与PCB电路板并联连接；开关速度调节电路设置于PCB电路板上，连接于子单元的栅极驱动电路输入口或输出口，通过开关速度调节电路调节各子单元的IGBT开关速度。每个子单元对应一个开关速度调节电路，确保所有子单元的开关过程一致性，实现芯片的并联均流，避免部分芯片因承受过大电流烧毁，从而使器件电流提升并提高器件可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110379777A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910519900.X
申请日：2019-06-17
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供一种用于半导体芯片的弹性封装结构，包括上电极、下电极、环形封装结构和多个芯片子单元；多个芯片子单元设置于上电极和下电极之间；环形封装结构密封设置于上电极、下电极侧边且与上电极、下电极构成封闭的管壳结构。本发明能够有效降低封装成本，提高了半导体芯片的环境适应性，且延长了半导体芯片的使用寿命，通用性强，且可最大程度降低半导体芯片失效的封装成本，显著提高半导体芯片封装的良率。本发明中管壳结构为密封结构，可大幅提升半导体芯片对应用环境的适应性，管壳结构内部填充有硅凝胶，可大幅提高半导体芯片绝缘耐压能力，使得半导体芯片的电压等级更高，可靠性更强。
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公开(公告)号：CN108231703A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711307492.9
申请日：2017-12-11
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/522 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供一种功率器件模组及其制备方法，该功率器件模组包括：功率芯片、第一金属膜及第二金属膜，第一金属膜与第二金属膜分别设置于功率芯片的上表面和下表面，解决了现有压接型功率器件接触热阻和接触电阻较高，从而导致功率器件散热性不佳的问题，减少了功率器件模组早期失效的现象。
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公开(公告)号：CN107845617A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710846539.2
申请日：2017-09-19
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L23/488 , H01L25/16 , H01L21/603
CPC classification number: H01L25/165 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L25/162 , H01L2224/2918 , H01L2224/83203
Abstract: 本发明公开了一种芯片烧结品、子单元、IGBT封装模块及制备方法。该芯片烧结品包括第一钼片和第二钼片以及设置于两者间的芯片，第一钼片和第二钼片中至少一个为预制钼片，预制钼片为表面设置预制纳米银膜的钼片，且芯片中至少一面与预制纳米银膜相接触，通过采用预制纳米银膜能有效提高后续加压烧结过程中纳米银颗粒的分布均匀性，避免“咖啡环效应”，降低了热阻。同时保证由其烧结得到的烧结层中分布均匀的纳米级孔洞，通过这些纳米级孔洞能有效降低芯片和钼片间产生的应力，提高芯片烧结品的剪切强度。采用该芯片烧结品的单元和IGBT封装模块具有低的热阻、高的剪切强度，由预制纳米银膜烧结得到的烧结层致密性高，且分布纳米级孔洞。
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公开(公告)号：CN107768364A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710790797.3
申请日：2017-09-05
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种IGBT集成器件，包括：PCB电路板、开关速度调节电路、多个IGBT芯片，其中，多个IGBT芯片并联组成多个子单元，各子单元中包含至少两个IGBT芯片；多个子单元分别与PCB电路板并联连接；开关速度调节电路设置于PCB电路板上，连接于子单元的栅极驱动电路输入口或输出口，通过开关速度调节电路调节各子单元的IGBT开关速度。每个子单元对应一个开关速度调节电路，确保所有子单元的开关过程一致性，实现芯片的并联均流，避免部分芯片因承受过大电流烧毁，从而使器件电流提升并提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN107731768A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710806890.9
申请日：2017-09-08
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及大功率IGBT模块封装技术领域，具体涉及一种IGBT模块封装结构，包括绝缘基板；至少两个IGBT芯片并联支路组，设于所述绝缘基板上；至少两个发射极汇流结构，与所述IGBT芯片并联支路组一一对应地设置于所述绝缘基板上，且多个所述发射极汇流结构之间相互绝缘，每个所述IGBT芯片并联支路组的发射极与其对应的所述发射极汇流结构电气连接；发射极端子母线，设于所述绝缘基板上，与每个所述发射极汇流结构电气连接。本发明提供的IGBT模块封装结构，能够有效抑制关断时刻高频拖尾振荡。
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