公开(公告)号：CN102187482A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980141390.1

申请日：2009-10-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 住友隆道 ,  秋田胜史 ,  京野孝史 ,  善积祐介

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L21/0254 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种制造氮化物基半导体发光元件的方法，该方法在形成p型氮化镓基半导体区域和势垒层时可减少阱层的劣化。在生长出氮化镓基半导体区域(13)后，在衬底(11)上生长势垒层(21a)。势垒层(21a)在时刻t1～t2的期间内在生长温度TB下形成。生长温度TB(＝T2)在摄氏760度以上、摄氏800度以下的范围内。在时刻t2，势垒层(21a)的生长结束。在生长出势垒层(21a)后，不中断生长而在衬底(11)上生长阱层(23a)。阱层(23a)在时刻t2～t3的期间内在生长温度TW(＝T2)下形成。生长温度TW与生长温度TB相同，并且可在摄氏760度以上、摄氏800度以下的范围内。阱层(23a)的铟含量为0.15以上。继而，不中断生长而反复进行阱层和势垒层的生长。

公开(公告)号：CN102150288A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201080002596.9

申请日：2010-06-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  住友隆道 ,  足立真宽 ,  德山慎司

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3404

Abstract: 本发明的氮化物系半导体发光器件(LE1、LD1)的特征在于，具备：氮化镓衬底(11)，其具有主面(11a)，主面(11a)与基准平面(Sc)所成的角度α在40度以上且50度以下以及大于90度且在130度以下的范围内，其中，上述基准平面(Sc)与向c轴方向延伸的基准轴(Cx)正交；n型氮化镓系半导体层(13)；第2氮化镓系半导体区域(17)；及发光层(15)，其包括阱层(21)和势垒层(23)，其中，上述阱层(21)包括多个InGaN，上述势垒层(23)包括多个GaN系半导体；并且，多个阱层(21)的压电极化的方向为从n型氮化镓系半导体层(13)朝向第2氮化镓系半导体区域(17)的方向。

公开(公告)号：CN102124578A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN201080001340.6

申请日：2010-02-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  秋田胜史 ,  住友隆道 ,  足立真宽 ,  德山慎司

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01S5/3202

Abstract: 一种III族氮化物半导体光元件(11a)，包括：III族氮化物半导体基板(13)，具有与基准平面(Sc)成有限的角度的主面(13a)，基准平面(Sc)与c轴方向上延伸的基准轴(Cx)正交；和量子阱结构的活性层(17)，被设置于III族氮化物半导体基板(13)的主面(13a)上，并包含由III族氮化物半导体构成的阱层(28)及由III族氮化物半导体构成的多个势垒层(29)，主面(13a)显示半极性，活性层(17)具有1×1017cm-3以上且8×1017cm-3以下的氧浓度，多个势垒层(29)在与阱层(28)的III族氮化物半导体基板一侧的下部界面(28Sd)接触的上部界面附近区域(29u)含有浓度为1×1017cm-3以上且1×1019cm-3以下的氧以外的n型杂质。

公开(公告)号：CN102034910A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010501542.9

申请日：2010-09-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  善积祐介

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S2302/00

Abstract: 本发明提供III族氮化物半导体光元件、外延衬底及III族氮化物半导体发光元件的制作方法。III族氮化物半导体光元件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)从与沿该第一III族氮化物半导体的c轴延伸的基准轴Cx正交的面，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向第一III族氮化物半导体的m轴方向倾斜。有源层(17)产生580nm以上800nm以下的波长范围的光。有源层(17)的半导体外延层(19)包含含有铟作为III族构成元素的III族氮化物半导体。第二III族氮化物半导体包含InGaN等。半导体外延层(19)的铟含量为0.35以上0.65以下。半导体外延层(19)的膜厚方向相对基准轴Cx倾斜。

公开(公告)号：CN101958511A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010228912.6

申请日：2010-07-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  足立真宽 ,  德山慎司 ,  善积祐介 ,  住友隆道 ,  上野昌纪

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/20

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202

Abstract: 一种形成于半极性的主面上的长波长的III族氮化物半导体激光二极管，抑制活性层的结晶质量下降，并获得稳定的振荡模式。III族氮化物半导体激光二极管(11)具有：III族氮化物基板(13)，其具有半极性的主面(13a)；n型包层(15)，由含Al的III族氮化物构成；活性层(17)；p型包层(19)，由含Al的III族氮化物构成；第1导光层(21)，设置于n型包层和活性层之间；第2导光层(23)，设置于p型包层和活性层之间。导光层(21、23)包括由GaN构成的第1层(31、35)和由InGaN构成的第2层(33、37)，各导光层中的第1及第2层的总厚度大于0.1μm。

公开(公告)号：CN101661986A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910170459.5

申请日：2009-08-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明涉及制造氮化物半导体光学器件和外延晶片的方法。其中，在步骤S106中，在将生长炉内的温度保持为T W 的同时，在时刻t4和t5之间在半极性主面上生长In X Ga 1-X N阱层。在步骤S107中，在所述阱层的生长完成之后，立即在温度T W 下开始生长保护层以覆盖所述阱层的主面。所述保护层由氮化镓基半导体构成，所述氮化镓基半导体的带隙能量大于所述阱层的带隙能量且等于或小于阻挡层的带隙能量。在步骤S108中，在生长所述阻挡层之前，将所述炉子的温度由温度T W 变化至T B 。在将所述炉子的温度保持为温度T B 的同时，在时刻t8和t9之间在所述保护层上生长由氮化镓基半导体构成的阻挡层。

公开(公告)号：CN101626058A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910140218.6

申请日：2009-07-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供一种可以降低空穴从活性层的溢出而提高量子效率的III族氮化物类半导体发光元件以及用于该III族氮化物类半导体发光元件的外延晶圆。活性层(19)位于p型GaN类半导体区域(15)和空穴阻挡层(17)之间，因此空穴(H)从p型GaN类半导体区域(15)供给到活性层(19)。空穴阻挡层(17)的厚度(D17)小于GaN类半导体层(13)的厚度(D13)。空穴阻挡层(17)的带隙(G17)大于GaN类半导体区域(23)的带隙的最大值，因此空穴阻挡层(17)对要从活性层(19)溢出的空穴起到障壁(ΔG H )的作用。因此，空穴阻挡层(17)降低了从活性层(19)溢出并到达GaN类半导体区域(23)的空穴的量。

公开(公告)号：CN101548400A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200880000776.6

申请日：2008-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  京野孝史 ,  石桥惠二 ,  笠井仁

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 设置有源层以便发射具有在440到550nm范围内的发光波长的光。在预定轴(Ax)方向上布置第一导电类型氮化镓基半导体区域(13)、有源层(17)以及第二导电类型氮化镓基半导体区域(15)。有源层(17)包括由六方晶系InXGa1－XN(0.16≤X≤0.35，X：应变组分)构成的阱层，并且铟组分X由应变组分表示。六方晶系InXGa1－XN的a面在预定轴(Ax)方向被对准。阱层的厚度在大于2.5nm到10nm的范围内。当阱层的厚度被设定为2.5nm或以上时，可以形成具有440nm或以上的发光波长的发光器件。

公开(公告)号：CN101350333A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810130234.2

申请日：2008-06-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 长田英树 ,  笠井仁 ,  石桥惠二 ,  中畑成二 ,  京野孝史 ,  秋田胜史 ,  三浦祥纪

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/40

Abstract: GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法。提供一种具有两英寸或更大的大直径的GaN衬底、具有在GaN衬底上形成的外延层的衬底、半导体器件以及制造该GaN衬底的方法，通过该GaN衬底，可以在工业上以低成本得到半导体器件，如具有改进性能如发光效率、工作寿命等的发光元件。GaN衬底具有主表面，并包括低缺陷晶体区和邻近于低缺陷晶体区的缺陷集中区。低缺陷晶体区和缺陷集中区从主表面延伸到位于主表面的反向侧的后表面。面方向[0001]相对于该主表面的法线矢量在偏斜角方向上倾斜。

公开(公告)号：CN119790553A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202380060346.8

申请日：2023-05-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  松崎纯平 ,  伊藤真也 ,  中村勇贵

IPC: H01S5/02255 ,  G01C3/06 ,  G01S7/481 ,  G01S17/10 ,  G02B26/10 ,  H10F55/00 ,  H01S5/02257 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/062

Abstract: 一种光模块，具备：激光二极管，射出激光；扫描部，具有反射激光的反射镜，并使反射镜摆动而将激光输出到外部；保护容器，具有供激光透过的透过窗，并包围激光二极管及扫描部；控制部，进行控制，使得激光成为脉冲波；以及电子温度调整模块，调整激光二极管及扫描部的温度。