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公开(公告)号:CN219677211U
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202321221025.5
申请日:2023-05-19
Applicant: 中国科学院自动化研究所
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本实用新型涉及脑科学设备技术领域,尤其涉及一种离子束刻蚀电极装置,旨在解决基片取放不便的问题。本实用新型包括转动挡板、升降压板、载片台和电极;载片台放置于电极上,用于承载基片;升降压板可在竖直方向移动以向下压紧载片台;转动挡板设置于载片台上方并可在水平面内转动以远离载片台。本实用新型将基片放置于载片台,并通过升降压板在竖直方向的移动将载片台压紧在电极上,防止载片台因电极的角度调整以及旋转导致偏移滑动甚至脱落,影响正常工作。通过升降压板的竖直运动实现对载片台的松开和锁紧来代替粘接或螺丝紧固的方式,可极大提高载片台的拆装效率,节约了取送片的时间。
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公开(公告)号:CN219677209U
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202321223270.X
申请日:2023-05-19
Applicant: 中国科学院自动化研究所
Abstract: 本实用新型涉及脑科学设备技术领域,尤其涉及一种离子源结构装置,旨在解决离子源结构维护周期短,影响机台工艺效率的问题。本实用新型提供的离子源结构装置包括介质耦合窗、等离子体限制桶、内衬和多孔栅板;介质耦合窗与等离子体限制桶的上端连接,多孔栅板与等离子体限制桶的下端连接;内衬设置于等离子体限制桶内并与多孔栅板连接以形成容纳空间;内衬上开设有通孔。本实用新型通过在等离子体限制桶内设置内衬,内衬上开孔,多孔栅板和基片上的材料溅射出来生长到介质耦合窗和内衬的内表面,由于内衬的阻挡和分割,在内衬和介质耦合窗上形成不连续的金属薄膜,避免形成法拉第屏蔽,保证了离子源的稳定性,延长了维护时间。
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