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公开(公告)号：CN102637817A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210097407.1
申请日：2012-04-01
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲化铋基块体热电材料的制备方法，该方法将区熔工艺、热喷涂工艺与SPS烧结工艺相结合，即以商用碲、铋、锑等为原料，首先采用区熔法制备碲化铋铸锭，然后将铸锭粉碎成粉后采用热喷涂法获得层片状碲化铋基热电材料，再将其研磨后采用SPS烧结技术，通过控制温度、压力、时间等烧结成致密的块体热电材料。与现有的制备工艺相比，本发明通过显著提高碲化铋基粉粒的晶粒细化与趋向性，从而得到了热电性能优异的碲化铋基块体材料，是一种简单易行、具有良好应用前景的制备方法。
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公开(公告)号：CN102154692A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110046031.7
申请日：2011-02-25
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C30B28/08
Abstract: 本发明公开了一种In-Se基热电材料的制备方法，该方法首先采用熔炼法合成In-Se材料，得到元素分布均匀的In-Se化合物，然后采用区熔生长法，通过优化熔融温度、熔区宽度、生长速度等工艺参数，制备具有良好晶粒取向性的In-Se基大块多晶材料。与现有的熔炼、球磨结合热压或放电等离子烧结制备工艺相比，本发明的制备方法能够得到晶粒取向性好、热电性能高的In-Se基热电材料，同时能够缩短制备时间、降低能耗。
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公开(公告)号：CN119836211A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411867766.X
申请日：2024-12-18
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H10N10/80 , H10N10/01 , H10N10/852
Abstract: 本发明提供了一种用于碲化铋基热电器件的阻挡层、碲化铋基热电器件及其制备方法和应用，涉及热电器件技术领域。所述用于碲化铋基热电器件的阻挡层采用的材料包括NiSbTe3，由于NiSbTe3是Bi2/(Se,Te)3‑NiSbTe3‑Sb2Te3相区的热力学稳定相之一，NiSbTe3在473 K以上温度时，不会与碲化铋热电材料在界面处发生反应生成其它有害杂质相；此外，NiSbTe3本征电阻率低且其与碲化铋线性热膨胀系数相近，烧结制备的阻挡层与碲化铋材料之间具备强结合力和低接触电阻率等优点。采用NiSbTe3阻挡层的碲化铋基热电器件具有优异的热电转换性能和极优异的热稳定性。
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公开(公告)号：CN119320277A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411438911.2
申请日：2024-10-15
Applicant: 宁波市镇海中学 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C04B35/505 , C04B35/622 , H10H20/851 , C09K11/78
Abstract: 本发明公开了一种黄色荧光陶瓷及其制备方法和应用，属于荧光陶瓷材料制备技术领域。本发明公开的黄色荧光陶瓷，通过精细调控YAG:Ce荧光陶瓷中的发光离子浓度与陶瓷本身的厚度，实现了光源色温的连续可调，赋予了LED照明前所未有的灵活性与适应性，能够满足多样化应用场景对色温灵活调控及更高发光品质的需求，可作为颜色转换器的关键材料，在高功率LED照明领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118439647A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410542148.1
申请日：2024-04-30
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C01F17/294 , C01F17/10 , C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645 , C09K11/77
Abstract: 本发明公开了一种高熵硫氧化物粉体、陶瓷及制备方法和应用，属于高熵陶瓷材料技术领域。主要成分为RE2O2S(RE选自Gd、Tb、Y、La、Eu、Nd、Ce、Er、Pr中的至少五种)，是一种均匀的高熵硫氧化物粉体或陶瓷；该粉体或陶瓷通过多元阳离子掺杂，使得高熵硫氧化物陶瓷具有优异的光输出性能和热稳定性。使高熵硫氧化物陶瓷在无损安全检查、医学成像和工业勘探等领域有更全能更深入的应用，具有很好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116675528B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202310480499.X
申请日：2023-04-28
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 中国计量大学 , 杭州科汀光学技术有限公司
IPC: C04B35/44 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供了一种绿色荧光陶瓷的制备方法，包括以下步骤：S1：前驱体粉体的制备：称取Lu、Ce、Al粉体，通过湿法球磨处理将粉体混合均匀，将混合后的粉体预烧结、过筛处理后得到前驱体粉体；S2：陶瓷素胚的制备：将所述前驱体粉体成型处理，得到陶瓷素胚；S3：荧光陶瓷的制备：将陶瓷素胚进行烧结，得到荧光陶瓷；所述烧结的条件为：将所述陶瓷素胚依次进行第一次加热、第二次加热、第三次加热，然后降温，保温后结束烧结；S4：退火：对所述步骤S3制备得到的荧光陶瓷进行退火处理，得到绿色荧光陶瓷。本发明还包括该绿色荧光陶瓷及其应用，通过本发明制备的荧光陶瓷的机械强度、耐激光辐照功率、发光效率都非常优秀。
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公开(公告)号：CN118147761A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410307832.1
申请日：2024-03-18
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C30B29/46 , C30B11/00 , C30B28/06 , C01B19/00 , H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/851
Abstract: 本发明公开了一种碲化铋基协同改性热电材料及其制备方法，属于热电材料技术领域。本发明公开的碲化铋基协同改性热电材料，采用的三元化合物易与成分中的基体材料碲化铋更好的发生活性掺杂均匀充分的反应，能够形成多尺度散射声子中心，有效的降低材料的晶格热导率；随后通过掺杂溴化银，对材料的电输运性能进行了优化，其迁移率和载流子浓度都保持在最佳水平，大大提高了塞贝克系数，提升了碲化铋材料的ZT值。本发明公开的制备方法，采用温度梯度法生长晶体，控制加热系统形成适当的温度梯度，使得碲化铋原料在该浓度梯度下熔化并结晶生长，制备地晶体具有良好结晶性和取向性，高织构度的晶体结构，增加了长期服役的稳定性。
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公开(公告)号：CN117756530A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211125900.X
申请日：2022-09-16
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/645 , C04B35/653
Abstract: 本发明涉及热电材料技术领域，申请公开了一种碲化铋基热电材料及其制备方法和应用。包括基体和掺杂材料；所述基体为碲化铋；所述掺杂材料选自二元化合物材料。本申请热电材料通过在基体材料中掺入二元化合物材料并结合区熔，超声剥离和热压烧结工艺，改善了电输运性能提升了功率因子，并引入众多的位错，晶界等缺陷有效降低了晶格热导率，优化了热电性能；与此同时极大的提升了碲化铋基热电材料的维氏硬度。
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公开(公告)号：CN113684029B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202010420832.4
申请日：2020-05-18
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本申请公开了一种近红外荧光粉、制备方法及应用，所述荧光粉选自具有式Ⅰ所示化学通式的物质中的至少一种。该近红外荧光粉可被蓝光有效激发，发射效率极高；基于蓝光LED芯片，可以获得辐射功率极高的近红外宽带LED光源；所述近红外荧光粉的制备方法具有成本低、工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN116253918A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310117711.6
申请日：2023-01-17
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本申请公开了一种自支撑聚苯胺基薄膜及其制备方法，属于热电薄膜材料领域。本制备方法将聚苯胺基颗粒在碱性溶液中浸泡处理后，获得脱掺杂聚苯胺，将脱掺杂聚苯胺溶于有机溶剂配置成饱和溶液涂覆在基底上，将薄膜面朝挥发性酸气体进行熏制至变色后实现其在水面的漂浮，而后将水更换成酸溶液继续漂浮，得到自支撑掺杂聚苯胺基薄膜，利用环状物对准待转移的自支撑掺杂聚苯胺基薄膜提拉出液面，得到所述自支撑聚苯胺基薄膜。本申请利用聚苯胺的疏水性，将涂有薄膜的基底浸入去离子水中，可以很容易地从基底上剥离得到无基底的聚苯胺基薄膜，同时对于薄膜的厚度可根据不同的涂制方法得以控制。
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