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公开(公告)号：CN110699752A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201911043221.6
申请日：2019-10-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及分步生长弱磁性Fe-V共掺杂SiC晶体的方法，所述方法包括：（1）将高纯SiC晶体块、Fe粉和V粉混合后置于坩埚底部作为晶料，并在所述晶料表面平铺一层碳化硅粉体，再以6H-SiC晶片作为籽晶，采用物理气相运输法开始晶体生长，得到过量Fe-V共掺杂SiC晶体，所述Fe粉和V粉的加入量＞Fe和V在SiC晶体中室温下的固溶度；（2）将所得过量Fe-V共掺杂SiC晶体切块处理后置于坩埚底部，以6H-SiC晶片作为籽晶，采用物理气相运输法开始二次生长，得到所述弱磁性Fe-V共掺杂碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN110405603A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910762125.0
申请日：2019-08-19
Applicant: 安吉圆磨机械科技有限公司 , 中国科学院上海硅酸盐研究所湖州先进材料产业创新中心
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体领域，尤其是一种碳化硅晶体专用整形一体机，针对现有的碳化硅晶体在在进行检测整形过程中，一般都是采用人工去完成，人工的工作效率低，且传统的碳化硅晶体在检测整形过程中，自动化程度低的问题，现提出如下方案，其包括床身，所述床身上设有立柱，立柱上设有托板，托板上设有两个主轴头，两个主轴头上均设有砂轮，砂轮的下方设有位于床身上的工作台，床身的一侧设有操作台，气动刹车打开，使整个工作台固定，然后外圆砂轮下刀进行磨削，工作台前后移动，在极性位置磨削毫米切口，可以活动移动的推车台，实现了自动化对碳化硅晶体进行检测整形，精准性高，使用方便。
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公开(公告)号：CN110306238A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910640864.2
申请日：2019-07-16
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种晶体生长装置及晶体生长方法，所述晶体生长装置包括：具有石墨顶盖的石墨坩埚，其中，石墨坩埚底部用于放置多晶原料，石墨顶盖朝向底部一侧固定有仔晶；包裹在石墨坩埚外周但露出至少部分石墨顶盖的外周保温层；生长炉，在所述生长炉的下部放置包裹有外周保温层的石墨坩埚，在且在该生长炉的下部的内周设置有用于调节生长炉内温度的多个感应线圈，所述生长炉还具有充放气接口以选择性地与真空源或惰性气体源连接；设置在所述石墨坩埚上方可升降的上保温层。
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公开(公告)号：CN108660511A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810534210.7
申请日：2018-05-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供一种高温相偏硼酸钡晶体的制备方法，包括：按钡硼原子比为1:（2 +x）配比称取碳酸钡和硼酸粉料后，再经混合、压块和烧结，得到原料块，其中x=0～0.01；在至少一个坩埚底部放入籽晶，然后装入所述原料块并密封；将至少一个坩埚置于温度梯度为20～60℃/cm的坩埚下降炉的高温区，调整坩埚位置使所述原料块在1050～1150℃的生长温度下保温5～10小时，使得原料块和籽晶的顶部融化；然后以0.1～0.5mm/h的速率下降的同时并保持生长温度以1～3℃/天的升温速率升温，直至原料块全部结晶后停止下降，随后冷却至室温，得到所述高温相偏硼酸钡晶体。
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公开(公告)号：CN108149315A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201810069412.9
申请日：2018-01-24
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法，所述坩埚是与制备的晶体侧面相接触的坩埚，所述坩埚具有环式非闭合拼接结构。该晶体生长用坩埚具有环式非闭合拼接结构，因此可以避免紧箍晶体，从而使晶体生长过程中在晶体内聚集形成的热应力得到有效释放，降低晶体的开裂率，提高晶体的成品率。
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公开(公告)号：CN108130594A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711421747.4
申请日：2017-12-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种分阶段实时调控SiC晶体生长界面温度和温度梯度的方法，采用物理气相传输方法在装有晶体生长原料和籽晶的坩埚内生长碳化硅单晶，晶体生长过程中分阶段上移坩埚位置，在第一生长阶段，生长时长为t1，保持坩埚位置不变，在第i生长阶段，生长时长ti=i×t1，且坩埚平均上移速率Vi＜前一生长阶段坩埚平均上移速率Vi-1。
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公开(公告)号：CN105161288B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510536030.9
申请日：2015-08-27
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
IPC: H01F41/14
Abstract: 本发明涉及一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法，以一定剂量的质子H+对ZnO基稀磁半导体薄膜进行辐照。本发明采用质子H+对ZnO基稀磁半导体薄膜进行辐照，以此实现对ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的增强。通过本方法处理后的ZnO基稀磁半导体薄膜的室温铁磁性的饱和磁化强度有相对于未经质子辐照的薄膜有40%的提高。
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公开(公告)号：CN103911662B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210593282.1
申请日：2012-12-31
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
Abstract: 本发明涉及硅酸镓镧压电晶体的制造方法及其制品，所述方法采用坩埚提拉法生长晶体，包括：在接种工序中，将原料加热至熔化并在高于熔化温度80℃～140℃下保温使熔体稳定，并将籽晶在高于熔化温度10℃～30℃下接触熔体；旋转籽晶并开始提拉生长晶体，其中包括缩颈工序、扩肩工序、等径工序和收尾工序；以及在原位退火工序中，提拉晶体使晶体脱离熔体后保持位置不变并旋转晶体、以10～30℃/h的速率使熔体温度降至1200～1400℃，保持10～30h后以10～30℃/h的速率降至室温。
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