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公开(公告)号：CN113773098A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010518716.6
申请日：2020-06-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565
Abstract: 本发明公开一种高电磁波屏蔽碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法。所述高电磁波屏蔽碳化硅陶瓷基复合材料包括碳化硅基体以及均匀分布在所述碳化硅基体周围的Al2O3/RE2O3透波相和SiBCN吸波相构成的透波/吸波网络；所述高电磁波屏蔽碳化硅陶瓷基复合材料中所述Al2O3/RE2O3透波相的质量百分含量为5~15wt%，所述SiBCN吸波相的质量百分含量为10~25wt%；RE为Dy、Y、Er或Yb，优选为Y。
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公开(公告)号：CN111662091A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010543816.4
申请日：2020-06-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/571 , C04B35/622 , B33Y70/10 , B33Y10/00
Abstract: 本发明涉及一种短碳纤维增强Csf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法，所述短碳纤维增强Csf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法包括：（1）将短碳纤维、分散剂、粘结剂和溶剂混合，得到短碳纤维浆料；（2）将所得短碳纤维浆料通过3D打印成型制备得到短碳纤维定向排列的增强体；（3）将所得增强体经过干燥和排胶后，再制备界面相和部分SiC基体，最后经过致密化工艺，得到所述短碳纤维增强Csf/SiC陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN111454073A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010326441.6
申请日：2020-04-23
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种高导热、强结合、耐烧蚀的超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，所述超高温陶瓷基复合材料的制备方法包括：（1）选取碳纤维编织成碳纤维预制体，所述碳纤维的热导率＞40W/m·K；（2）采用化学气相渗透法在碳纤维预制体中碳纤维表面沉积界面层；（3）通过溶胶凝胶法、浆料浸渍法、前驱体浸渍裂解法向碳纤维预制体中引入碳源和陶瓷相，再结合反应熔渗法实现致密化，得到所述高导热、强结合、耐烧蚀的超高温陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN107353004B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201710586771.7
申请日：2017-07-18
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/52 , C04B35/632 , C04B35/634 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y70/10 , B28B1/00
Abstract: 本发明涉及一种直接挤出型3D打印制备三维石墨烯的方法，包括：将石墨稀、分散剂分散于乙醇中，得到石墨烯悬浮液；将增稠剂和石墨烯悬浮液混合后，在70～90℃下水浴加热1～2小时，得到石墨烯浆料；将所得石墨烯浆料转移至打印成型设备中，根据三维模型逐层打印，得到所述三维石墨烯。本发明采用3D打印的方式可以对模型进行设计，获得周期性结构的多孔三维石墨烯，而且成型速度快，周期短，具有规模化的潜力。
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公开(公告)号：CN111253159A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010058459.2
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/569 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B35/80 , C04B35/81 , B33Y70/10 , C04B38/00 , C30B29/36 , C30B29/62 , C30B25/00
Abstract: 本发明涉及一种有序无序SiC纳米线/晶须结构体及其制备方法，所述有序无序碳化硅纳米线/晶须结构体的制备方法包括：（1）选用增材制造方式，实现一维碳化硅纳米线/晶须定向有序排列，得到有序结构体；（2）通过催化原位生长方式，在所得有序结构体上实现非定向无序碳化硅纳米线/晶须结构的生长，得到所述有序无序碳化硅纳米线/晶须结构体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105016761B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410177477.7
申请日：2014-04-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种C/SiC复合材料的钎焊连接方法，所述方法包括：1）将Cu粉、Al粉、Ti源混合均匀，得到钎料粉末，加入粘结剂配制成钎料膏，其中，Ti源为Ti粉或TiH2粉；2）将步骤1）中制备的钎料膏涂覆在经表面预处理的C/SiC复合材料之间，制成C/SiC‑钎料膏‑C/SiC结构的预连接件；3）将步骤2）中制备的预连接件干燥后，移至真空钎焊炉中进行钎焊。
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公开(公告)号：CN106588060A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610990055.0
申请日：2016-11-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/573
Abstract: 本发明涉及一种高致密的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法，包括：采用含有高产碳率树脂、低残碳率有机聚合物的前驱体液浸渍纤维预制体中，裂解后获得纤维/C熔渗预制体；以及将熔融的Si或熔融的Si与金属的合金渗入所述纤维/C熔渗预制体中进行熔渗反应，得到所述碳化硅陶瓷基复合材料。本发明通过添加低残碳率聚合物改变熔渗预制体中树脂裂解形成的碳的结构，促进反应熔渗时硅和碳的接触和反应，熔渗后金属在基体中呈弥散状分布并且有效避免了块状残余碳和块状残余金属的产生，从而显著提高复合材料的力学性能和热导率。
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公开(公告)号：CN105014257A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410177480.9
申请日：2014-04-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B23K35/30
CPC classification number: B23K35/302 , B23K2103/16
Abstract: 本发明涉及一种用于SiC基复合材料连接的钎料，所述钎料包含由Cu粉、Ti粉和/或TiH2粉、以及Al粉组成的钎料粉末，所述钎料粉末中，Al的重量百分含量为1～10wt%，Ti和/或TiH2的百分含量为4～18wt%，余量为Cu。
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公开(公告)号：CN104987099A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510348735.8
申请日：2015-06-19
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种三维双轴向衬纱间隔针织物增强陶瓷基体结构材料及其制备方法，所述材料包括三维预成型体、以及填充三维预成型体的陶瓷基体，其中，三维预成型体包括上表面织物、下表面织物、以及位于上下表面织物之间的间隔织物。
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公开(公告)号：CN105474791B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201218007106.6
申请日：2012-12-14
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提出一种纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，包括以下步骤：采用化学气相渗透在纤维预制体的纤维上沉积一层或多层连续界面相；利用陶瓷有机前驱体溶液浸渍沉积了界面相的纤维预制体；将浸渍后的纤维预制体在真空炉中进行裂解，形成碳化硅基复合材料基体；将上述步骤获得的具有稳定形状的纤维预制体去除工装，获得成形体；将成形体浸渍有机前驱体溶液干燥后在真空炉中裂解，转化为陶瓷基体；重复上述步骤6～8次，获得相对致密的成形体；利用化学气相渗透将所获得材料进一步致密化。上述方法有利于制备复杂形状的纤维增强陶瓷基复合材料或部件，所获得的材料具有良好的抗热震性，同时陶瓷基体具有结合强度高的特点。
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