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公开(公告)号：CN108249427A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201611245162.7
申请日：2016-12-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B32/19
Abstract: 本发明涉及一种微波结合溶胶‑凝胶工艺制备石墨烯薄膜的方法，所述方法包括：以鳞片石墨粉为原料，经微波处理后得到膨化的鳞片石墨粉；以所得膨化的鳞片石墨粉作为前驱体，以小分子胺类作为插层剂，加入酯类溶剂后，插层剥离后形成石墨烯溶胶；将所得石墨烯溶胶经陈化、在基体上成膜和干燥后，得到所述石墨烯薄膜。本发明的工艺特点是无需氧化/还原的过程、设备和原料成本低、工艺简单、易于控制。
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公开(公告)号：CN108060408A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711367584.6
申请日：2017-12-18
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56
CPC classification number: C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/56
Abstract: 本发明涉及原子层沉积法制备Mo掺杂VO2热致变色薄膜的方法，所述Mo掺杂VO2薄膜的化学组成为V1‑xMoxO2，其中0.02≤x≤0.1，所述Mo掺杂VO2薄膜通过原子层沉积法在衬底上交替循环沉积VO2和MoO3得到VO2/MoO3纳米叠层并经退火而得到。本发明的V1‑xMoxO2薄膜具有良好的可见光透过率以及热致变色特性，有望应用于智能窗等领域。
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公开(公告)号：CN102312201B
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201010214412.7
申请日：2010-06-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明属于透明导电薄膜领域，涉及Al掺杂的ZnO透明导电薄膜的制备方法，尤其涉及电感耦合等离子体增强物理气相沉积法(ICP-PVD)。该ICP-PVD法先制备Zn1-xAlxO(0.01≤x≤0.05)靶材；将清洁干燥衬底放入ICP-PVD系统中，控制ICP-PVD系统各工艺参数进行薄膜沉积得到Al掺杂的ZnO透明导电薄膜。该方法设备简单、易操作、可实现大面积、规模化的镀膜生产。该ICP-PVD系统与传统薄膜设备相比对等离子体中各种带电粒子起到约束和加速作用，从而提高了薄膜的结晶质量、施主掺杂的可控性，易得电阻率低、透过率高、重复性和稳定性好的ZnO薄膜，该薄膜可应用于光电子器件中。
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公开(公告)号：CN106342108B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200810075060.4
申请日：2008-03-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种钛合金表面低吸辐比热控涂层及其制备方法，属于航天器热控涂层技术领域。本发明利用等离子体电解氧化方法制备，采用次亚磷酸钠或次亚磷酸钾5-20g/l、钾水玻璃或钠水玻璃40-100g/l为电解溶液，采用交流脉冲电源控制钛合金的氧化过程，制备得到的涂层组分为二氧化硅，由α-方石英和非晶态氧化硅组成，两相在涂层内混合分布。本发明的钛合金表面低吸辐比热控太阳吸收比(在250-2500nm的太阳辐射区间)低于0.45，半球向红外辐射率大于0.8，太阳吸收比与半球向红外辐射率的比值小于0.5，能适应较复杂结构的零件表面的加工，与基体结合强度高，涂层空间稳定性好，很好地解决了航天器暴露在星外钛合金部件的温度控制问题。
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公开(公告)号：CN101478109A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910045114.7
申请日：2009-01-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01S3/042 , H01S3/16 , H01S3/0941
Abstract: 本发明涉及一种用于激光晶体的光学薄膜结构及其制备方法，其特征在于：在传统的用于激光晶体的介质/金属的复合膜系之间增加了一层硬质薄膜缓冲层，其作用是增加介质－金属复合膜系的结合力，并提高复合膜系的抗激光损伤阈值，适应了大功率激光器的发展需要。所述的缓冲层薄膜是通过电子束热蒸发制备的，生长过程是首先将TiN颗粒及清洗后的衬底置于真空生长室中；将生长室抽真空；利用电子束照射TiN颗粒，同时在真空室中通入一定量的氮气或是氮离子，TiN缓冲层薄膜就会沉积到衬底上。本发明TiN缓冲层可以显著提高复合膜系的结合力和抗激光损伤阈值，对于飞速发展的高功率激光器有着重大的理论和现实意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101429671A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810203001.0
申请日：2008-11-20
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种铝合金表面氧化锆涂层及其制备方法，属于涂层材料技术领域。本发明利用等离子体电解氧化方法控制电解溶液成分包括氧化锆或氢氧化锆1－100g/L，可溶性氢氧化物1－5g/L。制得的氧化锆涂层由四方相氧化锆、单斜相氧化锆、γ型氧化铝组成，主晶相为四方相氧化锆，涂层厚度为20微米～300微米。该涂层能适应较复杂结构的零件表面的加工，与基体结合强度高，涂层的硬度可达1700－1800HV。
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公开(公告)号：CN119529358A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311105618.X
申请日：2023-08-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种抗原子氧/防静电/耐紫外复合防护涂层及其制备方法和应用。所述抗原子氧/防静电/耐紫外复合防护涂层包括：聚合物基体，以及形成在聚合物基体表面的硫掺杂三元类水滑石防护层；硫掺杂类水滑石防护层包含硅烷偶联剂和硫掺杂三元类水滑石纳米片复合材料。
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公开(公告)号：CN117165101A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210574909.2
申请日：2022-05-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种核壳结构颜料Zn2SiO4@SiO2粉体及其制备方法和应用。所述核壳结构颜料Zn2SiO4@SiO2粉体包括：Zn2SiO4颗粒以及分布Zn2SiO4颗粒表面的SiO2层；优选地，所述Zn2SiO4颗粒的粒径为50 nm～2μm；优选地，所述SiO2层的厚度为16～37 nm；优选地，所述SiO2层为非晶相SiO2。
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公开(公告)号：CN115746368B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202211564823.8
申请日：2022-12-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C08J7/04 , C08J7/12 , C08L27/12 , C09D183/06 , C09D7/61
Abstract: 本发明涉及聚合物表面抗原子氧/截紫外改性膜层及其制备方法和应用。所述聚合物表面抗原子氧/截紫外改性膜层包含C、O、Si，以及Ti、Zn、Ce、Fe中的一种或多种元素组成；优选包含Si‑O‑Si、Si‑O‑Ti、Ti‑O‑Ti、Si‑O‑Zn、Zn‑O‑Zn中至少一种骨架构成的有机‑无机杂化材料。
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