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公开(公告)号：CN103985788A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410217764.6
申请日：2014-05-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/08 , H01L31/0352 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1808 , H01L31/0352 , H01L31/1085
Abstract: 本发明提供一种张应变锗光电探测器及其制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底并在其上依次形成牺牲层及锗层；S2：在所述锗层上形成一金属层，所述金属层对所述锗层提供应力；S3：将所述金属层图形化，形成一对金属主基座及一对金属次基座；S4：将所述锗层图形化以在所述金属主基座及金属次基座下分别形成锗主基座及锗次基座，并在每一对锗次基座之间形成至少一条锗桥线；S5：腐蚀掉所述锗桥线下方及所述锗次基座下方的牺牲层，以使所述锗桥线及所述锗次基座悬空，该悬空的锗次基座在所述金属层的应力作用下卷曲使所述锗桥线拉伸，得到张应变锗MSM光电探测器。本发明可提高MSM光电探测器的光电探测性能。
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公开(公告)号：CN103820387A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410086554.8
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种锗基石墨烯的成骨促进用途。锗基石墨烯能够明显促进骨髓间充质干细胞早期的碱性磷酸酶表达及后期的骨钙素表达，具有明显的促进骨髓间充质干细胞向成骨方向分化的能力。可以将锗基石墨烯负载到硬组织植入体表面并植入人体或动物体，提高成骨性能和使用效果，促进植入体与骨头的骨整合，促进新骨头的长出。也可以将锗基石墨烯作为成骨促进成分用于治疗骨缺损药物的制备，或者将锗基石墨烯作为成骨促进成分用于治疗骨质疏松药物的制备。此外，锗基石墨烯中的Ge元素还具有抗癌抗衰老的保健功能。
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公开(公告)号：CN103560157A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310583275.8
申请日：2013-11-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , B81B3/0072 , B81C1/00666
Abstract: 本发明提供一种应变结构及其制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次形成一牺牲层及一第一应力层；S2：将所述第一应力层图形化，形成桥状结构；所述桥状结构包括形成于所述牺牲层表面的一对基座及连接该一对基座的至少一根桥梁；S3：在一对所述基座表面形成第二应力层；S4：采用湿法腐蚀去除所述桥梁下方及所述基座相向两端下方的牺牲层，以使所述桥梁及一对所述基座相向两端悬空，该悬空的两端卷曲使所述桥梁拉伸，得到应变结构。本发明可以给一定范围内的任意材料施加高张应力，方法简单有效、与半导体工艺兼容，具有成本低，且制作速度快的优点。
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公开(公告)号：CN103219275A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210017889.5
申请日：2012-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/36 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法。根据本发明的方法，先在衬底的单晶表面进行离子注入后，再形成包含由Si1-xGex/Ge或Si/Si1-xGex形成的超晶格结构的多层材料层；随后，在已形成多层材料层的结构表面低温生长Si1-yGey和/或Si后，进行退火处理，以使表层的Si1-yGey层发生弛豫现象；最后再采用智能剥离技术将已发生弛豫现象的结构中的至少部分层转移到含氧衬底的含氧层表面，以形成SGOI或sSOI结构；由此可有效避免现有超厚缓冲层在材料和时间方面的浪费及现有先长后注对外延层的影响。
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公开(公告)号：CN103065932A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110324589.7
申请日：2011-10-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法首先在GaAs衬底上分别外延出InxGa1-xAs层和顶层Ge薄膜，所述InxGa1-xAs层中In组分x为0﹤x≤1，并使所述InxGa1-xAs层的厚度不超过其生长在所述GaAs衬底上的临界厚度，使所述顶层Ge薄膜的厚度不超过其生长在所述InxGa1-xAs层上的临界厚度，以制备出Ge薄膜的样品；其次，对所述样品进行氦离子或氢离子注入，并使氦离子或氢离子的峰值分布在所述InxGa1-xAs层与GaAs衬底相结合的界面下10～1000nm；最后对所述样品进行快速热退火，退火后得到弛豫的InxGa1-xAs层和张应变Ge薄膜，进而达到了用低成本制备出具有张应变、高迁移率Ge薄膜，并能减小InxGa1-xAs缓冲层的厚度、降低其穿透位错密度的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103021927A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210575312.6
申请日：2012-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种混合共平面SOI衬底结构及其制备方法，所述混合共平面SOI衬底结构包括背衬底、位于背衬底上的埋氧化层以及位于埋氧化层上的顶层硅膜；所述顶层硅膜上形成有若干第一区域和若干第二区域，所述第一区域与第二区域间隔排列，并通过隔离墙隔离，所述隔离墙底部到达所述顶层硅膜表面或所述顶层硅膜内；所述第一区域包括锗硅缓冲层及位于其上的应变硅层或弛豫的锗层；所述第二区域的材料为锗或III-V族化合物。本发明利用SiGe缓冲层技术、刻蚀工艺以及图形衬底外延等技术制备低缺陷密度、高晶体质量的锗，III-V族材料或者应变硅混合共平面的SOI衬底结构，能同时提升不同类型MOS（PMOS或NMOS）器件的性能，在光电集成领域也有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102842496A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210376814.6
申请日：2012-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/20
Abstract: 本发明提供一种硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法，该方法利用化学催化腐蚀法制备出硅基纳米阵列图形化衬底，然后在所述硅基纳米阵列图形化衬底上外延Ge或III-V族化合物，从而可以得到低缺陷密度、高晶体质量的Ge或III-V族化合物外延层。此外，本发明的制备工艺简单，成本低，有利于推广使用。
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公开(公告)号：CN102633258A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210144356.3
申请日：2012-05-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提出了一种无需衬底转移的制备石墨烯的方法，该方法通过在一衬底上沉积催化金属层，然后利用离子注入技术将碳离子注入所述催化金属层中形成一碳原子饱和面，控制注入的能量使该碳原子饱和面位于靠近所述衬底与催化金属层界面的位置，然后对所述衬底进行高温退火，在所述催化金属层与衬底界面析出碳原子层即为石墨烯薄膜，最后去除所述催化金属层，从而在所述衬底上的制备出石墨烯薄膜。该方法简化了制备石墨烯的工艺步骤，可以无需转移的直接在任何衬底上制备石墨烯，从而不会造成石墨烯结构的破坏和污染，实现了高质量石墨烯直接在所需衬底上的应用，因此该制备方法将能更快地推动石墨烯在不同领域的广泛应用。
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公开(公告)号：CN105140171B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201510532134.2
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种制备绝缘体上材料的方法，包括以下步骤：S1：提供一衬底；S2：在所述衬底表面依次外延第一材料层、硼掺杂第一材料层及第二材料层；S3：重复步骤S2至少一次；S4：进行离子注入，使离子注入到最远离所述衬底的所述第一材料层中；S5：提供一表面形成有绝缘层的基板，将所述绝缘层与位于顶层的第二材料层键合，形成键合片；S6：对键合片进行退火处理，使位于离子注入层上的所述硼掺杂第一材料层吸附离子形成微裂纹而剥离，得到绝缘体上材料。本发明中，所述衬底可以重复利用，从而降低了生产材料成本，并简化了工艺流程；且离子注入剂量更低，有利于提高晶体质量，减少注入成本；本发明得到的绝缘体上材料表面非常光滑，无需抛光。
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公开(公告)号：CN103972148B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410222756.0
申请日：2014-05-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
CPC classification number: Y02P80/30
Abstract: 本发明提供一种超薄膜绝缘体上材料的制备方法，包括步骤：1)在所述第一衬底表面外延第一掺杂单晶层、缓冲层、第二掺杂单晶层以及待转移层；2)低剂量离子注入至所述第一掺杂单晶层与第一衬底的界面以下预设深度；3)键合所述第二衬底的绝缘层与待转移层；4)退火剥离所述缓冲层与第一衬底；5)低剂量离子注入至所述第二掺杂单晶层与缓冲层的界面以上预设深度；6)键合所述第三衬底的绝缘层与缓冲层；7)退火剥离所述缓冲层与待转移层，获得两种绝缘体上材料。本发明采用两次注入剥离技术在制备超薄绝缘体上待转移层材料的同时，通过第二次剥离，还制备了另外一种绝缘体上材料，即，缓冲材料，这使得整个制备过程中几乎没有材料损耗。
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