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公开(公告)号：CN113676150A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110987508.5
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种兰姆波器件及其制备方法。该兰姆波器件包括由下至上依次设置的支撑衬底、布拉格反射层、压电薄膜和叉指电极结构；该布拉格反射层包括交替层叠的低声阻抗层和高声阻抗层；该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一总线的第一端与该第二总线的第一端相对，且存在预设距离；该第一叉指电极设于该第一总线上；该第二叉指电极设于该第二总线上；该第一叉指电极的形状和该第二叉指电极的形状为弧形。
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公开(公告)号：CN113541636A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110864026.0
申请日：2021-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器及其制备方法，所述声波谐振器包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面，其中所述压电层包括贯通槽、边缘支撑结构、接合臂及N个有效压电结构；N个底电极，形成于N个所述有效压电结构和所述支撑衬底之间，并通过底电极连通结构相互连通；N个顶电极，形成于N个所述有效压电结构的上表面，并通过N个顶电极引出结构一一引出。其中，N为大于等于2的正整数。通过本发明提供的声波谐振器及其制备方法，解决了现有技术中横纵电场激发产生杂波的问题以及声波谐振器频率调节的问题。
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公开(公告)号：CN110138356B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201910576571.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高频声表面波谐振器及其制备方法，所述高频声表面波谐振器包括：高波速支撑衬底，位于所述高波速支撑衬底上表面的压电膜，及位于所述压电膜上表面的顶电极；其中，所述高波速支撑衬底中传播的体波波速大于所述压电膜中传播的目标弹性波波速。通过本发明提供的高频声表面波谐振器及其制备方法，解决了现有声表面波谐振器的工作频率较低的问题。
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公开(公告)号：CN119420314A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411316587.7
申请日：2024-09-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声表面波谐振器，所述声表面波谐振器的结构包括：提供一支撑衬底；位于所述支撑衬底上方的复合压电薄膜；位于所述复合压电薄膜上方的电极层；其中，所述复合压电薄膜包括上层压电薄膜和下层压电薄膜；所述上层压电薄膜和下层压电薄膜的切向相反，上层压电薄膜和下层压电薄膜的晶圆切边方向之间存在夹角。本发明在保持主模式机电耦合系数基本不变的情况，大幅度的抑制其他杂散模式，使得滤波器具有较好的带外抑制，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119395907A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411450935.X
申请日：2024-10-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成复用的多物理场声光交调波导及其制备方法，所述多物理场声光交调波导包括：提供一支撑衬底；位于所述支撑衬底上的介质层；位于所述介质层上的压电薄膜；位于所述压电薄膜上的图案化金属结构；对所述压电薄膜进行刻蚀，以在所述介质层上方形成波导；对所述压电薄膜进行刻蚀，以在所述支撑衬底上形成第一光栅耦合器和第二光栅耦合器；所述图案化金属结构包括第一压电换能器、第二压电换能器、第一调制电极和第二调制电极；所述第一调制电极和第二调制电极位于所述波导两侧且平行于波导。本发明把声场和光场限制到一个波导，同时传播两种物理场并进行调制，可以增加信息传播的密度，以及增加调制的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119254174A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411274341.8
申请日：2024-09-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种兰姆波谐振器及其制备方法，包括：提供一压电薄膜；位于所述压电薄膜上方的叉指电极和汇流条；位于所述压电薄膜下方的功能散热薄膜；位于所述功能散热薄膜下方的支撑衬底；所述功能散热薄膜底部设有周期排布或非周期排布的高深宽比凹槽；所述叉指电极对应的压电薄膜区域悬空。本发明通过设置鳍片散热式结构，大大增加薄膜与空气接触的面积，显著增强谐振器的散热能力，进而增强其功率容量和热稳定性；同时，该结构还可以通过对声波的散射，抑制杂散模式在谐振器中的谐振，起到抑制杂散模式的作用，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113676152B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202110987487.7
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种弹性波谐振器及其制备方法。该弹性波谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜和叉指电极结构；该支撑衬底上设有孔；该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一总线的第一端与该第二总线的第一端相对，且存在预设距离；该第一叉指电极设于该第一总线上；该第二叉指电极设于该第二总线上；该第一叉指电极的形状和该第二叉指电极的形状为弧形。从而使得该弹性波谐振器不仅能够有效获得高阶兰姆波的模式，且有效抑制其他杂散模式的基础上，提高器件的功率容量。
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公开(公告)号：CN113676150B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110987508.5
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种兰姆波器件及其制备方法。该兰姆波器件包括由下至上依次设置的支撑衬底、布拉格反射层、压电薄膜和叉指电极结构；该布拉格反射层包括交替层叠的低声阻抗层和高声阻抗层；该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一总线的第一端与该第二总线的第一端相对，且存在预设距离；该第一叉指电极设于该第一总线上；该第二叉指电极设于该第二总线上；该第一叉指电极的形状和该第二叉指电极的形状为弧形。
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公开(公告)号：CN115021705B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210742047.X
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，本发明公开了一种高频声波谐振器及应用其的滤波器。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、底电极、压电薄膜和叉指换能器；该叉指换能器包括第一汇流条和多个间隔设置的第一电极；该多个第一电极的同一侧与该第一汇流条连接；该多个第一电极中相邻的第一电极的中心之间的间隔距离与目标模式的频率之积小于该支撑衬底的声速；该目标模式为该高频声波谐振器在纵向电场作用下激发的高阶模式；本申请提供的该声波谐振器建立在异质集成衬底上，具有结构简单且压电薄膜强度高，仍能够保证声波谐振器的品质的特点。
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公开(公告)号：CN114362705B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202111466618.3
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及微电子器件技术领域，特别是涉及一种声波谐振器及其制备方法，方法包括：提供单晶压电层；对单晶压电层的上表面进行镀膜处理形成第一预设深度的缓冲层；在缓冲层的目标注入区域注入离子，以自单晶压电层的上表面至单晶压电层第二预设深度处形成改性压电层；对缓冲层进行去膜处理，以去除缓冲层；在改性压电层的上表面形成图案化电极，得到声波谐振器。本申请通过对单晶压电层进行离子注入，在单晶压电层的高度方向上形成了材料性质不同的改性压电层，利用改性压电层不同的改性压电材料特性，提高了声波谐振器的工作频率和品质因数，并且降低了声波谐振器的器件损耗。
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