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公开(公告)号：CN114337582A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111465935.3
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种声表面波谐振器。该声表面波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜、叉指换能器和两个反射栅单元；叉指换能器的两侧分别设有一个反射栅单元；叉指换能器包括第一汇流条、第二汇流条和叉指电极单元；叉指电极单元包括第一电极、第二电极和第一阻碍结构；第一电极的第一端与第一汇流条连接；第二电极包括相对的第二端和第一自由端；第二端与第二汇流条连接；第一阻碍结构位于第一自由端与第一汇流条之间的区域。能够实现在抑制杂散模的同时保证主模特性的不变。
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公开(公告)号：CN114124023A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111440361.4
申请日：2021-11-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种多层同质的压电结构及制备方法，包括单晶压电层、设置于所述单晶压电层上表面的图案化电极换能器组件，以及位于所述单晶压电层中预设深度处的至少一层反射层；所述反射层与所述单晶压电层为同质材料，并且所述反射层由所述单晶压电层通过离子注入改性而成，以使得所述反射层与所述单晶压电层的声速不同。本发明仅利用离子注入技术，通过调控注入能量和注入剂量，即可在单晶压电层中插入至少一层同质但经由改性而成的反射层，增强对声波的纵向反射，减小能量损耗，提高谐振频率，增大器件的品质因数，大大简化制备工艺，降低成本。
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公开(公告)号：CN114070227A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111247949.8
申请日：2021-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及声波谐振器制备技术领域，特别涉及一种氮化铝声波谐振器的制备方法及谐振器。方法包括：获取氮化铝单晶晶片；对氮化铝单晶晶片进行离子注入，得到离子注入氮化铝单晶晶片；获取支撑衬底；将离子注入氮化铝单晶晶片与支撑衬底键合，得到异质键合结构；对异质键合结构进行退火处理，得到异质集成器件结构。AlN单晶薄膜具有继承了AlN单晶晶片的优异的晶体质量，从而大大提高AlN声波谐振器的器件性能。此外，为调控AlN的极化性能从而实现调控AlN声波谐振器的性能，选用的AlN单晶晶片的晶面不仅可以为常见的极性面，还可以选用半极性面、非极性面等晶面，使器件应用范围更广泛。
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公开(公告)号：CN111817678B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202010631496.8
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种单片式混合集成声波谐振器阵列及其制备方法，声波谐振器阵列包括支撑衬底；位于支撑衬底上表面的压电层；压电层包括多个厚度不相同的区域；压电层与支撑衬底接触的一面平整或压电层远离支撑衬底的一面平整；位于压电层上表面的叉指电极阵列；叉指电极阵列中几何特征相同的多个叉指电极与多个厚度不相同的区域一一对应；叉指电极阵列中几何特征不同的多个叉指电极在压电层上的对应区域的厚度相同；且几何特征不同的多个叉指电极对应的多个目标声波模式不同。本申请中声波谐振器阵列的工作频率可以同时覆盖低频、中频和高频频段，如此，可以解决实际应用中需要将分立声波谐振器进行系统级集成导致的工艺、设计复杂等问题。
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公开(公告)号：CN113676149A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110987489.6
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种声波器件及其制备方法。该声波器件包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指电极结构；该支撑衬底上设有能量反射结构；该叉指电极包括第一汇流条、第二汇流条、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一叉指电极包括第一圆弧段；该第一圆弧段的一端与该第一汇流条连接；该第二叉指电极包括第二圆弧段；该第二圆弧段的第一端与该第二汇流条连接；该第一圆弧段与该第二圆弧段共圆心。从而使得该声波器件在有效获得高阶兰姆波的模式的基础上，抑制其他杂散模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111880124B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010661706.8
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/00
Abstract: 本发明涉及磁场探测技术领域，本发明公开了一种高频可调节磁场探测器的制备方法。该探测器的制备方法具体如下，通过对具有二氧化硅介质层的碳化硅薄膜衬底进行图形化，进而得到待键合碳化硅薄膜衬底，并将该待键合碳化硅薄膜衬底与压电薄膜衬底进行键合，对键合后的薄膜衬底进行退火剥离，得到碳化硅‑压电薄膜结构，再通过刻蚀掉该碳化硅‑压电薄膜内部的部分二氧化硅介质层，之后通过制备叉指电极、低温快退火等工序，得到该磁场探测器。本申请提供的磁场探测器具有频率高和灵敏度高的特点。
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公开(公告)号：CN111865257B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010627339.X
申请日：2020-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种声波谐振器及其制备方法，制备方法包括：获取支撑衬底；在支撑衬底上通过离子束剥离和键合法形成单晶薄膜层；在单晶薄膜层上外延形成高声速层；在高声速层上形成压电层；在压电层上形成图案化电极；其中，高声速层中传播的体波声速大于压电层中传播的目标弹性波声速。本申请通过在压电层下设置高声速层，可以有效提高器件的工作频率和品质因子；且利用离子束剥离和键合技术可重复转移价格昂贵或无法直接在衬底上外延得到的单晶薄膜层，如此，可以降低制备成本；同时利用外延技术在单晶薄膜层上沉积高声速层，得到约束声波能量的最佳厚度的高声速层，如此，可以提高声波谐振器的带宽和品质因子。
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公开(公告)号：CN113300683A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110573352.6
申请日：2021-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声表面波谐振器及其制备方法，所述声表面波谐振器包括：衬底结构；压电薄膜，形成于所述衬底结构上表面；叉指电极，嵌埋于所述压电薄膜中；其中，所述压电薄膜的厚度大于所述叉指电极的厚度，且所述压电薄膜的电极嵌入面与所述衬底结构接触。通过本发明提供的声表面波谐振器及其制备方法，解决了现有声表面波谐振器工作频率低，无法满足5G通信需求的问题。
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公开(公告)号：CN111217359A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201811403473.0
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明涉及一种Si基衬底异质集成石墨烯的制备方法，包括：提供一Si基衬底，在所述Si基衬底上表面形成介质层；提供一复合结构，所述复合结构包括牺牲衬底以及覆盖于所述牺牲衬底上表面的金属层；在所述复合结构上表面沉积石墨烯薄膜，形成覆盖所述金属层的石墨烯层；将所述Si基衬底覆盖有所述介质层的一面与所述复合结构上覆盖有所述石墨烯薄膜的一面进行键合；采用腐蚀工艺腐蚀所述金属层，以实现所述牺牲衬底的分离，使得石墨烯薄膜转移到Si基衬底上。本发明将石墨烯薄膜转移至Si基衬底上，解决了石墨烯薄膜与Si基衬底晶圆级集成的问题，为石墨烯在微电子器件领域的应用提供支撑。
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公开(公告)号：CN109192670A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810941708.5
申请日：2018-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种柔性半导体复合薄膜及制备方法，柔性半导体复合薄膜的制备包括：提供一异质复合结构，包括牺牲衬底以及位于牺牲衬底表面的异质薄膜，牺牲衬底具有一刻蚀面，牺牲衬底中形成有自刻蚀面向内延伸的凹槽结构，异质薄膜位于刻蚀面的表面；提供一柔性衬底，将柔性衬底与异质薄膜远离刻蚀面的一侧相结合；采用腐蚀工艺腐蚀牺牲衬底，实现异质薄膜与牺牲衬底的分离，得到柔性半导体复合薄膜。本发明的柔性半导体复合薄膜及制备，通过在牺牲衬底(如氧化层)中光刻凹槽结构，增加了后期腐蚀的速率，也保证制得柔性半导体薄膜的完整性；将离子注入剥离制备异质复合结构与化学腐蚀结合，使得该柔性单晶半导体薄膜的制备可以覆盖大部分半导体。
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