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公开(公告)号：CN108206220B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201711474465.0
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种金刚石肖特基二极管的制备方法，该方法包括：在第一厚度的重掺杂p型第一金刚石层的上表面形成第二厚度的轻掺杂p型第二金刚石层，其中，所述第二厚度小于所述第一厚度；在所述第一金刚石层的下表面形成电极；通过光刻和刻蚀工艺，在所述第二金刚石层的第一区域形成凹槽；在所述凹槽的表面形成N型异质半导体层；在所述N型异质半导体层的表面形成第二金属层；在所述第二金属层的表面和所述第二金刚石层的第二区域的上表面形成第三金属层。本发明能够显著提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN111599681A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010387667.7
申请日：2020-05-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/16
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构金刚石基金氧半场效晶体管及制备方法，属于半导体技术领域，包括：在高浓度重掺杂P型金刚石衬底的正面生长低浓度轻掺杂p型金刚石外延层；在缓冲层的上表面生长高浓度重掺杂p型金刚石外延层；光刻源区图形，刻蚀出柱状源区和栅区；在柱状源区的顶部形成源电极，在高浓度重掺杂P型金刚石衬底的背面形成漏电极，经过退火形成源极欧姆接触和漏极欧姆接触；在柱状源区的顶部、侧壁及周围沉积栅介质；在栅介质上形成栅电极；淀积钝化保护层；光刻制作电极图形。本发明提供的垂直结构金刚石基金氧半场效晶体管，具有很好的击穿电压和极佳的导热性，可以有效减小散热成本及体积，扩大了金刚石材料在金氧半导体上的应用。
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公开(公告)号：CN111547711A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010343552.8
申请日：2020-04-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅基扭曲多层石墨烯材料的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：采用化学气相沉积法在碳化硅基底上进行石墨烯材料的生长，以氢气作为载气，通入气态碳源，在1500-1700℃和910-990mbar下生长10-45min，得碳化硅基扭曲多层石墨烯材料，其中，相邻两层石墨烯之间形成了30°的扭曲夹角。本发明提供的在SiC衬底上生长石墨烯材料的方法，有助于制备表面均匀平坦、晶体质量高、电学特性优良的碳化硅基扭曲多层石墨烯材料，且具有无需衬底转移、易与Si基半导体工艺相结合的优点。
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公开(公告)号：CN110676169A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910837111.0
申请日：2019-09-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/16
Abstract: 本发明适用于石墨烯晶体管制备技术领域，提供了一种石墨烯胶囊封装晶体管的制备方法，包括：在第一预设衬底上生长h-BN薄膜并利用第一光刻胶制备h-BN台面样品；将h-BN台面样品去除第一预设衬底后通过热释放胶带转移到石墨烯上，并去除热释放胶带以及第一光刻胶，获得石墨烯样品；其中石墨烯样品包括h-BN台面；对石墨烯样品进行第一次刻蚀，获得较h-BN台面大的石墨烯台面；在石墨烯台面以及h-BN台面上分别制备源极、漏极以及栅极，获得石墨烯胶囊封装晶体管。本发明的石墨烯胶囊封装晶体管的制备方法，可以使源极和漏极与石墨烯台面形成水平面内电极接触，从而降低接触电阻，降低石墨烯胶囊封装晶体管的制备难度，提高成品率。
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公开(公告)号：CN110429030A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910696974.0
申请日：2019-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种纳米栅的制备方法，包括：根据第一介质层表面沉积的第一光刻胶上的光刻胶图形，对第一介质层表面光刻胶图形以外的区域进行第一次刻蚀，去除第一次刻蚀后的第一介质层表面沉积的第一光刻胶，获得衬底和第一次刻蚀后的第一介质层构成的台阶结构；在台阶结构的水平表面和垂直侧壁上沉积金属层，并在金属层的表面生长第二介质层；对金属层和第二介质层进行第二次刻蚀；在第二次刻蚀后的台阶结构上生长第三介质层，并对第三介质层表面进行抛光，使第三介质层上表面齐平并露出金属层对应的金属，获得纳米栅。本发明利用台阶垂直侧壁的金属层作为纳米栅，可以精确控制纳米栅的尺寸，降低纳米栅的制作难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110408990A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910702309.8
申请日：2019-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于半导体材料制备技术领域，提供了一种单晶石墨烯的制备方法，包括：在预设衬底上沉积铜和镍；将沉积了铜和镍的衬底在第一预设气体氛围以及第一预设温度下退火处理第一预设时间，得到铜镍合金衬底样品；将铜镍合金衬底样品在第二预设气体氛围以及第二预设温度下氧化第二预设时间，得到氧化衬底样品；将氧化衬底样品放置在化学气相沉积CVD炉中，将CVD炉中温度快速升温到第三预设温度后，在CVD炉中通入第三预设气体，在氧化衬底样品上生长第三预设时间后，停止通入第三预设气体，并采用第四预设气体保护，快速降温至第四预设温度，获得单晶石墨烯。本发明通过选取预设衬底和将铜镍合金表面经过预氧化，实现了单晶石墨烯的超快平整生长。
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公开(公告)号：CN109786256A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910044987.X
申请日：2019-01-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种自对准表面沟道场效应晶体管的制备方法及功率器件，属于微波功率器件领域，包括：淀积第一金属掩膜层；制备第一光刻胶层；形成源区域图形和漏区域图形；在源区域图形和漏区域图形部位淀积源金属层和漏金属层；剥离去除第一光刻胶；淀积第二金属掩膜层；制备第二光刻胶层，曝光、显影，形成至少一个栅区域图形，栅区域图形偏向源金属层；湿法腐蚀去除源金属层和漏金属层之间的第一金属掩膜层和第二金属掩膜层；在栅区域图形处淀积栅金属层；剥离去除第二光刻胶层。本发明提供的自对准表面沟道场效应晶体管的制备方法，栅偏源制备，可以兼顾饱和电流，提高器件击穿电压，获得高功率密度。
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公开(公告)号：CN109273354A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811045165.5
申请日：2018-09-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/04 , H01L29/417 , H01L29/45
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种金刚石器件及其制备方法。所述制备方法包括：在金刚石的源电极区和漏电极区沉积石墨烯催化层；将沉积石墨烯催化层的金刚石进行退火处理，在所述金刚石中的源电极区和漏电极区形成石墨烯层；在所述石墨烯层与源电极区对应区域的上表面沉积金属层形成欧姆接触源电极，在所述石墨烯层与漏电极区对应区域的上表面沉积金属层形成欧姆接触漏电极。本发明能够降低金刚石器件的源极和漏极的欧姆接触电阻，提高金刚石器件的频率性能，进而也提高了金刚石器件的性能。
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公开(公告)号：CN108760781A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810963084.7
申请日：2018-08-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N23/20008 , G01N23/203
CPC classification number: G01N23/2005 , G01N23/203
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法，该方法包括：将金刚石样品进行抛光处理；将抛光处理后的金刚石样品进行氢等离子体处理。本发明通过对金刚石样品抛光处理，使金刚石样品表面平整，通过对金刚石样品进行氢等离子体处理，能够降低金刚石表面残余应力，并能形成稳定的导电性氢终端，从而制备出表面平整、残余应力低、导电性良好的金刚石电子背散射衍射分析样品，能够满足电子背散射衍射分析的需求。
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公开(公告)号：CN108715450A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810904320.8
申请日：2018-08-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/984
Abstract: 本发明提供了一种二维SiC材料层的制备方法，属于碳化硅材料制备领域，包括步骤：将上表面放置有铜箔的硅衬底放置于反应腔室内；向所述反应腔室中通入第一气体；使所述铜箔被加热至预设反应温度，通入第二气体；通入甲烷气体，并在预设反应温度下保温预设时间；停止通入第二气体和甲烷气体，停止加热，再次通入第一气体，并使铜箔在预设冷却速度下冷却至室温；预设反应温度大于1083.4℃，所述第一气体为惰性气体，所述第二气体包括氢气。利用本发明提供的二维SiC材料层的制备方法制备的二维SiC材料，其厚度均匀，二维SiC材料性能均匀稳定，且操作步骤简单，效率高，有利于实现大尺寸二维SiC材料的快速制备。
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