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公开(公告)号：CN108155224A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711275976.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/36 , H01L21/336 , H01L29/778
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氮化镓外延片、外延方法及氮化镓基晶体管。氮化镓外延片包括：衬底；p型极化掺杂的隔断层，形成于所述衬底的上表面；氮化镓外延层，形成于所述隔断层的上表面。本发明提供的氮化镓外延片，由于在氮化镓外延层和衬底之间生长一层p型极化掺杂的隔断层，能够抑制衬底表面处的硅向氮化镓外延层扩散，同时补偿硅引入的电子，从而获得高阻氮化镓外延片，提高氮化镓外延片的质量，应用该氮化镓外延片制得的晶体管，能够获得良好的性能。
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公开(公告)号：CN107902650A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711146672.3
申请日：2017-11-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/28 , C01B32/184
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种超纳米金刚石表面上制备单层石墨烯的方法，该方法包括：将超纳米金刚石膜进行预处理，去除表面的杂质和表面应力；在经过所述预处理后的超纳米金刚石膜的形核面形成金属层，所述金属层为镍层和所述镍层上表面的铜层或所述金属层为铜镍合金层；将已生长所述金属层的超纳米金刚石膜进行高温退火处理，自组织形成单层石墨烯。本发明直接在超纳米金刚石膜上生长单层石墨烯，无需二次转移工艺，有效的避免了二次转移过程中引入杂质和晶格缺陷，并且，生长的单层石墨烯具有较小的晶格失配和表面变化。
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公开(公告)号：CN107689776A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710556856.0
申请日：2017-07-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/14
CPC classification number: H03B19/14
Abstract: 本发明一种太赫兹倍频器，包括：输入端波导结构、输出端波导结构和太赫兹倍频电路；输入端波导结构包括一个第一标准波导；输出端波导结构包括依次连接的至少一个第二标准波导和至少一个第一减高波导；太赫兹倍频电路包括通过传输线依次连接的第一E面微带探针、第一低通滤波器、肖基特二极管和第二E面微带探针。本发明可实现既减小了太赫兹倍频器输入端波导结构和太赫兹倍频电路的尺寸，以有利于太赫兹倍频器结构的小型化，同时输出端波导结构采用依次互相连接的多级波导结构减小了电路损耗。
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公开(公告)号：CN107528547A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710562339.4
申请日：2017-07-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03F1/02
CPC classification number: H03F1/0205 , H03F2200/451
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯射频放大器单片集成电路，涉及集成电路制造技术领域，包括输入电路、输入偏置电路、放大电路、输出电路和输出偏置电路；输入电路、输入偏置电路、放大电路、输出电路和输出偏置电路安装在同一衬底上，输入电路连接放大电路，放大电路连接输出电路，输入偏置电路连接输入电路，输出偏置电路连接输出电路；信号通过输入电路进入放大电路中，输入偏置电路对输入信号调节，信号在放大电路中进行放大，然后通过输出电路输出，输出偏置电路对输出的信号进行调节，由此该石墨烯射频放大器单片集成电路实现较高的增益，解决普通放大器增益低的问题。
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公开(公告)号：CN107500278A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710928128.8
申请日：2017-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种制备低褶皱密度石墨烯材料的生长方法，涉及石墨烯材料的制备技术领域。包括以下步骤：选择绝缘衬底，对绝缘衬底清洗，干燥；将清洗好的绝缘衬底放入CVD设备中，抽真空至≤10-4mbar；开启微波电源，真空环境升温，去除绝缘衬底表面吸附的气体；通入氩气和氢气作为载气，氩气流量为1-30L/min，氢气流量为1-60L/min；通入气态碳源，气态碳源流量与氢气流量之比控制在0.001％-50％之间；通入气态氮源，流量为0.005-2L/min；在生长温度在500-1800℃之间，保持气体压力为500-1000mbar，持续时间为1-100min，在绝缘衬底表面得到1-5层P型掺杂的石墨烯。该方法操作简单，成本低，可控制石墨烯材料表面褶皱密度，有助于制备表面形貌平坦，高质量的石墨烯材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105140150B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510470083.5
申请日：2015-08-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种高精度测量晶片横向对准误差的方法，涉及半导体器件与电路的制作方法技术领域。包括以下步骤：1）在光刻版上横向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为光刻版测量标尺；2）在晶片上横向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为晶片测量标尺；3）通过移动晶片，调整晶片与光刻板的相对位置，使晶片测量标尺与光刻版测量标尺在视野中重叠或平行；4）通过计算读取晶片横向误差。本发明通过对光刻版和晶片设置的测量标尺，高精度的读取了晶片相对于光刻版的偏差，误差精度取决于l1与l2的差值，其l1和l2相差不大于0.1，故实现对晶片横向误差高精度的读取。
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公开(公告)号：CN105140149B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201510469864.2
申请日：2015-08-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种高精度测量晶片纵向对准误差的方法，涉及半导体器件与电路的制作方法技术领域。包括以下步骤：1）在光刻版上纵向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为光刻版测量标尺；2）在晶片上纵向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为晶片测量标尺；3）通过移动晶片，调整晶片与光刻板的相对位置，使晶片测量标尺与光刻版测量标尺在视野中重叠或平行；4）通过计算读取晶片纵向误差。本发明通过对光刻版和晶片设置的测量标尺，高精度的读取了晶片相对于光刻版的偏差，误差精度取决于l1与l2的差值，其l1和l2相差不大于0.1，故实现对晶片纵向误差高精度的读取。
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公开(公告)号：CN107395125A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710556845.2
申请日：2017-07-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
CPC classification number: H03B19/16
Abstract: 本发明一种太赫兹奇次平衡式倍频器，包括：输入端波导结构、输出端波导结构和太赫兹奇次平衡式倍频电路；输入端波导结构包括一个第一标准波导，第一标准波导为输入端波导结构的末级波导；输出端波导结构包括依次连接的至少一个第二标准波导和至少一个第一减高波导，输出端波导结构一端的一个第一减高波导为输出端波导结构的末级波导；太赫兹奇次平衡式倍频电路包括通过传输线依次连接的第一E面微带探针、肖基特二极管和第二E面微带探针。本发明既能够减小输入端波导结构和太赫兹奇次平衡式倍频电路的尺寸，以有利于太赫兹奇次平衡式倍频器结构的小型化，同时输出端波导结构采用依次互相连接的多级波导结构减小了电路损耗。
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公开(公告)号：CN104865305B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510262128.X
申请日：2015-05-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种三维结构的氢终端金刚石场效应晶体管生物传感器及其制备方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述传感器包括金刚石基片，所述金刚石基片的上、下表面形成有氢端基金刚石层，每层氢端基金刚石层上形成有漏电极和源电极，所述漏电极和源电极之间的氢端基金刚石层上形成有捕获层，所述捕获层上形成有栅电极。所述传感器具有高效率、高灵敏度、分析速度快、体积小、试样用量少，成本低、易于大批量制备的优点。
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公开(公告)号：CN107170680A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710370209.0
申请日：2017-05-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，属于半导体器件技术领域。其是在生长衬底上外延生长高掺杂N‑型GaN层；在N‑型GaN层上外延生长高掺杂N+ GaN层；在所述的N+ GaN层上制作欧姆接触；在所述的N‑层上形成肖特基接触，通过空气桥将肖特基接触引到阳极。本发明能够降低器件的串联电阻，提高工作频率，解决电流拥挤的问题。
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