一种添加复合晶核剂的中碳钢无氟保护渣

    公开(公告)号:CN107584090A

    公开(公告)日:2018-01-16

    申请号:CN201710798888.1

    申请日:2017-09-07

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明一种添加复合晶核剂的中碳钢无氟保护渣,所述保护渣的组分及其质量百分含量如下:CaO 30%~45%,SiO225%~35%,Al2O34%~10%,MgO 1%~3%,B2O36%~10%,(Na2O+Li2O)8~12%,TiO22%~4%,Cr2O31%~2%;且1≤CaO/SiO2≤1.5,3.5≤CaO/B2O3≤7,3≤SiO2/B2O3≤5.5。本发明的中碳钢无氟保护渣,具有良好的理化性能,结晶矿相主要为硼硅酸钙,具有良好的控制传热的效果;同时通过添加TiO2和Cr2O3促进硼硅酸钙析出并细化其晶粒和增强其稳定性。本发明组份设计合理,污染小,便于工业化应用。

    一种含ZrO2汽车用TWIP钢保护渣及其应用

    公开(公告)号:CN107498014A

    公开(公告)日:2017-12-22

    申请号:CN201710796846.4

    申请日:2017-09-06

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了含ZrO2汽车用TWIP钢连铸结晶器保护渣及其应用,所述保护渣由以下质量百分比含量的氧化物组分组成:CaO 20%~40%,SiO2 8%~20%,Al2O313%~30%,Na2O 5%~12%,Li2O 1%~6%,BaO3%~16%,MnO2%~8%,F-4%~13%,ZrO2 1.5%~3.5%,(CaO+BaO)/Al2O3为1.3~2.4,CaO/SiO2为1.9~2.5,Al2O3/SiO2为1.6~2.2。本发明所设计的保护渣能够很好地应用于Mn质量百分含量在15~25%、Al质量百分含量在2~4%范围内的TWIP钢的连铸过程。

    一种高铝钢连铸结晶器用无氟保护渣

    公开(公告)号:CN107297475A

    公开(公告)日:2017-10-27

    申请号:CN201710518289.X

    申请日:2017-06-29

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明涉及一种高铝钢连铸结晶器用无氟保护渣;所述保护渣由以下质量百分比含量的氧化物组分组成:CaO 30%~45%,SiO2 10%~25%,Al2O3 20%~35%,MgO 2%~10%,B2O3 4%~10%,(Na2O+Li2O)8%~15%,1.1≤CaO/(SiO2+Al2O3)≤1.3,3.5≤CaO/B2O3≤7,1≤SiO2/B2O3≤1.7。该类保护渣渣钢反应程度较低,结晶性能良好,结晶矿相主要为硼硅酸钙。形成的硼硅酸钙能固定保护渣熔体中的SiO2,因此从反应动力学上减弱其与钢中Al元素的反应,极大提高了保护渣稳定性;且硼硅酸钙晶体可有效地控制保护渣的传热效果。

    含化学气相共沉积硼化锆/铪‑硼化钽的复合涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN106699233A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201611034977.0

    申请日:2016-11-23

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明提供了两种含化学气相共沉积硼化锆/铪‑硼化钽的复合涂层及其制备方法。本发明是采用化学气相沉积(CVD)方法制备了含有ZrB2‑TaB2固溶体的共沉积复合涂层(Zr(Ta)B4),另一种含有HfB2‑TaB2固溶体的共沉积复合涂层(Hf(Ta)B4),这两种共沉积复合涂层比单一CVD ZrB2涂层或CVD HfB2具有更高的抗氧化和抗烧蚀性能。如具有Zr(Ta)B4复合涂层的C/C复合材料在氧‑乙炔中烧蚀60s后,其线烧蚀率由‑11.8×10‑4mm/s变为6.1×10‑5mm/s,质量烧蚀率由1.08×10‑3g/s变为4.2×10‑5g/s。其具有优异的抗烧蚀性能,可作为石墨、碳基、陶瓷基复合材料的高温保护涂层。

    一种兼具忆阻忆容特性的记忆器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN118574507A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410603659.X

    申请日:2024-05-15

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明提供了一种兼具忆阻忆容特性的记忆器件,包括上电极和下电极,还包括位于上电极和下电极之间的异质结构,所述异质结构由上自下依次为n型金属氧化物半导体层和绝缘体层。本发明解决了现有技术存在记忆器件无法同时实现忆阻忆容的问题,构建M‑I‑S(金属‑绝缘体‑半导体)异质结构器件,利用强电场的激发来实现对势垒区的调制,进而可实现对电阻电容的调控。从而实现电阻电容的记忆行为。

    一种卧床辅助肢体锻炼装置
    67.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118236672A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410561783.4

    申请日:2024-05-08

    Abstract: 本发明公开了一种卧床辅助肢体锻炼装置,包括:上肢锻炼装置和下肢锻炼装置;上肢锻炼装置由固定座、伸缩柱、滑轮、牵拉结构、阻力部分构成;所述固定座上连接伸缩柱,伸缩柱上端安装滑轮;绕过滑轮连接牵拉结构;牵拉结构连接阻力部分;阻力部分上包括阻力调节结构;下肢锻炼装置由固定座、支撑柱、气动部分、脚踏部构成;所述固定座上连接支撑柱,支撑柱上安装气动部分,由气动部分提供锻炼阻力;该装置可以进行床旁安装,拆卸灵活,尤其适用于术后需要卧床的患者进行锻炼;另外,除了对下肢进行锻炼之外,还可以同时对上肢力量进行锻炼,使得四肢锻炼协调发展;锻炼方式非完全机械式锻炼,考虑患者体能适应性的同时,使锻炼有交互性和趣味性。

    一种连续蒸馏回收锗的装置及回收方法

    公开(公告)号:CN117926016A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202311858861.9

    申请日:2023-12-30

    Abstract: 本发明涉及锗蒸馏回收领域,具体涉及一种连续蒸馏回收锗的装置及回收方法,包括:罐体,所述罐体上方开设有进料口,本发明通过两组蒸馏箱对锗废液进行蒸馏处理,并通过单向电磁阀依次输送到工作的精馏箱内,在蒸馏加热过程中搅拌杆可以对锗废液进行搅拌,并通过输送水泵将高温废液输送经过锗废液内部进行预加热,提高热能的利用率,使锗废液后期的蒸馏加热效率提高,同时降低高温废液的热量,并且通过冷凝水泵将废液进行二次降温并冷凝输送到第一连接腔和第二连接腔内,对蒸汽进行冷凝,使废液降温后提高废液后期处理的效率,提高设备的持续蒸馏效率和废液的利用率,且通过转动外六角套筒可同时带动多组螺栓从螺纹孔内脱离,提高管道的更换效率。

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