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公开(公告)号：CN118574507A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410603659.X
申请日：2024-05-15
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种兼具忆阻忆容特性的记忆器件，包括上电极和下电极，还包括位于上电极和下电极之间的异质结构，所述异质结构由上自下依次为n型金属氧化物半导体层和绝缘体层。本发明解决了现有技术存在记忆器件无法同时实现忆阻忆容的问题，构建M‑I‑S(金属‑绝缘体‑半导体)异质结构器件，利用强电场的激发来实现对势垒区的调制，进而可实现对电阻电容的调控。从而实现电阻电容的记忆行为。
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