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公开(公告)号：CN110875303B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201811014100.4
申请日：2018-08-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种瞬态电压抑制器件及其制造方法，所述瞬态电压抑制器件包括：衬底；第一导电类型阱区，设于衬底中，包括第一阱、第二阱；第三阱，设于衬底上，第三阱的底部延伸至衬底；第四阱，设于第一阱中；第一掺杂区，设于第二阱中；第二掺杂区，设于第三阱中；第三掺杂区，设于第四阱中；第四掺杂区，设于第四阱中；第五掺杂区，从第四阱中延伸至第四阱外，且位于第四阱外的部分位于第一阱中；第六掺杂区，设于第一阱中；第七掺杂区，设于第五掺杂区下方、第一阱中。本发明可直接通过芯片正面的金属连线层将泄放电流引出，避免由于在衬底背面增加金属引出线，导致寄生的电阻和电感影响芯片性能。
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公开(公告)号：CN107785367B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201610793855.3
申请日：2016-08-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L29/10 , H01L29/66 , H01L29/808 , H01L21/265 , H01L21/8234
Abstract: 本发明涉及一种集成有耗尽型结型场效应晶体管的功率器件及其制造方法，所述器件包括：阱区，为第二导电类型且形成于第一导电类型区内；JFET源极，为第一导电类型且形成于阱区内；JFET源极的金属电极，形成于JFET源极上且与JFET源极接触；横向沟道区，为第一导电类型，形成于两相邻JFET源极之间且两端与两相邻JFET源极接触；JFET金属栅极，形成于阱区上。本发明可以通过调节横向沟道区的注入剂量和能量，得到不同档位的夹断电压，因而与传统的纵向沟道形成的JFET相比，其夹断电压调控更加方便。同时由于横向沟道浓度更加均匀，其夹断电压也会更加稳定。
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公开(公告)号：CN113130646A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911395825.7
申请日：2019-12-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括:半导体衬底，所述半导体衬底中形成有第一漂移区；所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构的一部分覆盖所述第一漂移区的一部分；所述第一漂移区内形成有第一凹槽，所述第一凹槽底部的半导体衬底中形成有漏区。根据本发明提供的半导体器件及其制作方法，通过在漂移区内形成凹槽，并在凹槽底部的半导体衬底中形成漏区，纵向延长了漂移区的长度，提高了半导体器件的承受电压，同时减小了半导体器件的面积。
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公开(公告)号：CN111048587B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201811195273.0
申请日：2018-10-15
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种沟槽栅耗尽型VDMOS器件及其制造方法，所述器件包括：漏极区；沟槽栅，包括沟槽内表面的栅绝缘层，和填充于沟槽内且被栅绝缘层包围的栅电极；沟道区，位于栅绝缘层周围；阱区，位于沟槽栅两侧；源极区，位于阱区内；漂移区，位于阱区和漏极区之间；第二导电类型掺杂区，位于沟道区和漏极区之间；第一导电类型掺杂区，位于第二导电类型掺杂区两侧，且位于漂移区和漏极区之间。本发明在沟槽底部形成第二导电类型掺杂区和第一导电类型掺杂区的PN结构。在耗尽管开态，电流通过导电沟道进入PN结构后，在此区域电子和空穴形成电荷平衡，相比漂移区电阻更低，因此器件单个元胞开态的导通电阻大大降低。
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公开(公告)号：CN112992663A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911300194.6
申请日：2019-12-16
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/08 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件和电子装置。所述方法包括：步骤S1，提供半导体衬底；步骤S2，在所述半导体衬底上形成从下到上层叠的栅介电层和栅极材料层；步骤S3，在所述栅极材料层上形成第一图案化掩膜层，以所述第一图案化掩膜层为掩膜刻蚀所述栅介电层和栅极材料层，以形成第一栅极结构并露出所述半导体衬底上拟形成第一源漏极的区域；步骤S4，执行离子注入工艺，以形成第一源漏极，其中，所述离子注入工艺以所述第一图案化掩膜层、以及剩余的所述栅介电层和所述栅极材料层为掩膜。根据本发明，能够满足高压CMOS器件高静态击穿电压、超低特征导通电阻、高动态击穿电压以及大的安全工作区的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109980010B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201711465166.0
申请日：2017-12-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法和集成半导体器件，所述方法在半导体器件制造过程中在外延层上形成介质岛，在耗尽型器件形成沟道的过程中，由于介质岛的存在阻挡了沟道离子的注入，介质岛下方的离子浓度低，使得器件在开态下的击穿可靠性大大提高；同时，由于介质岛的存在，使得栅介电层的厚度增加，降低了栅极电容，减小器件的开关损耗。同时，在制造过程中以介质岛作为掩膜，可以自对准形成第一掺杂类型源区，节省了一块光刻版，使得工艺成本下降。
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公开(公告)号：CN107785366B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201610793832.2
申请日：2016-08-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法，所述器件的JFET区包括：JFET源极，为第一导电类型；第一阱，为第二导电类型，设于第一导电类型区内且形成于JFET源极两侧；JFET源极的金属电极，形成于JFET源极上，与JFET源极接触；JFET金属栅极，设于JFET源极两侧的第一阱上；钳位区，位于JFET金属栅极的下方、第一阱内，为第二导电类型且离子浓度大于第一阱的离子浓度。本发明通过第二导电类型的钳位区提高了第一阱的离子浓度，增强了沟道区的耗尽能力，使得JFET夹断电压稳定性会有一定程度的提高。同时钳位区的存在会增强该处电场强度，改变雪崩电流的路径，提升了器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN107785411A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610794437.6
申请日：2016-08-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L27/085 , H01L21/8232
Abstract: 本发明涉及一种集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法，所述器件包括：第一阱，为第二导电类型且形成于所述第一导电类型区内；第二阱，为第二导电类型且形成于所述第一导电类型区内，离子浓度大于所述第一阱的离子浓度；JFET源极，为第一导电类型；JFET源极的金属电极，形成于所述JFET源极上且与所述JFET源极接触；第二导电类型埋层，形成于所述JFET源极和第二阱下方。本发明利用了P型埋层与第二阱形成的横向沟道，使沟道浓度更加均匀，通过版图设计出较长的横向沟道，其夹断电压也会更加稳定。
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公开(公告)号：CN107785367A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610793855.3
申请日：2016-08-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L29/10 , H01L29/66 , H01L29/808 , H01L21/265 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/265 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/10 , H01L29/66 , H01L29/808 , H01L27/0617 , H01L21/26513 , H01L21/823412 , H01L29/1058 , H01L29/66893 , H01L29/8086
Abstract: 本发明涉及一种集成有耗尽型结型场效应晶体管的功率器件及其制造方法，所述器件包括：阱区，为第二导电类型且形成于第一导电类型区内；JFET源极，为第一导电类型且形成于阱区内；JFET源极的金属电极，形成于JFET源极上且与JFET源极接触；横向沟道区，为第一导电类型，形成于两相邻JFET源极之间且两端与两相邻JFET源极接触；JFET金属栅极，形成于阱区上。本发明可以通过调节横向沟道区的注入剂量和能量，得到不同档位的夹断电压，因而与传统的纵向沟道形成的JFET相比，其夹断电压调控更加方便。同时由于横向沟道浓度更加均匀，其夹断电压也会更加稳定。
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公开(公告)号：CN107785305A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610796651.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L27/085
CPC classification number: H01L21/76 , H01L21/762 , H01L27/085
Abstract: 本发明涉及一种集成耗尽型结型场效应晶体管的器件，包括JFET区、功率器件区、设于器件背面的第一导电类型的漏极、及设于漏极朝向器件正面的面上的第一导电类型区，JFET区和功率器件区共享漏极和第一导电类型区，JFET区和功率器件区的交界处形成有隔离结构，隔离结构包括第二导电类型的隔离阱和设于隔离阱表面的绝缘注入阻挡层。本发明在JFET区和功率器件区的交界处采用一个较深的第二导电类型的隔离阱进行隔离，在推阱时使其有着足够的结深，这样漏电路径大大加长，起到了良好的隔离效果，该隔离阱的横向距离可以做到很短，大大节约了整个集成器件的面积。该隔离阱可以与结终端扩展技术相兼容，无需增加额外的光刻版。
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