公开(公告)号：CN113540299B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202110737398.7

申请日：2021-06-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 石增良 ,  陈天朗 ,  徐春祥 ,  李竹新

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/26 ,  H01L33/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种基于p‑GaN/CsPbBr3/n‑ZnO异质结的发光二极管及制备方法，二极管包括：n‑ZnO纳米棒阵列、CsPbBr3量子点、p‑GaN薄膜和合金电极；制备方法具体为：在硅衬底上生长ZnO纳米棒阵列，将CsPbBr3量子点均匀旋涂在ZnO纳米棒阵列上，然后在CsPbBr3量子点/ZnO阵列复合结构顶部加上GaN薄膜，并分别在n‑ZnO和p‑GaN上制备合金电极，构建p‑GaN/CsPbBr3/n‑ZnO异质结，构成完整的器件。本发明构建了p‑GaN/CsPbBr3/n‑ZnO异质结发光二极管，发光中心位于375nm和520nm，CsPbBr3量子点的引入抑制了ZnO的表面态，改变了异质结发光二极管的发光颜色，随着注入电流的变化，其发光颜色也发生了改变。

公开(公告)号：CN115683372A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211341527.1

申请日：2022-10-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  朱虹茜 ,  石增良 ,  贾娟

IPC: G01K7/02 ,  C01G9/03

Abstract: 本发明公开了一种基于氧化锌微米棒高灵敏低温传感器及其制备方法，低温传感器包括石英片衬底、ZnO微米棒、金属电极、银导线和环氧树脂封装材料。制备方法：采用化学气相沉积法制备ZnO微米棒；退火调节ZnO微米棒的缺陷，改善ZnO微米棒温度灵敏度；ZnO微米棒固定于石英片衬底上；ZnO微米棒两端融接铟粒；银导线分别融接进两端铟粒内；将ZnO微米棒、铟粒部分全部封装。导线与系统电路连接，信号接收系统通过无线发射装置在电脑端将电阻信号以可视化的温度信号输出。本发明符合良好的欧姆特性，低温下温度灵敏度为5.3×108Ω/K，具有灵敏度高、测温范围广、响应速度快、可实时监测的优点。

公开(公告)号：CN115400767A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202211053278.6

申请日：2022-08-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 王明亮 ,  王茹 ,  徐春祥 ,  石增良

IPC: B01J27/04 ,  B01J23/06 ,  B01J35/08 ,  C02F1/30 ,  C02F101/38 ,  C02F101/34 ,  C02F101/36

Abstract: 本发明公开了一种硫化铟锌微米球花/ZnO纳米颗粒复合光催化剂、制备方法及应用，所述复合光催化剂的载体为硫化铟锌ZnIn2S4，其表面附着ZnO纳米颗粒；制备方法为先合成ZnIn2S4微米球花，再以ZnIn2S4微米球花、Zn(OAc)2、NaOH为原料，通过水热沉积得到光催化剂前驱体，经过退火处理得到ZnIn2S4微米球花/ZnO纳米颗粒复合光催化剂；本发明通过将ZnO负载在ZnIn2S4表面，形成了具有Z型能带排布的异质结，提高光生载流子分离效率的同时，又保留了最高的氧化还原电位，反应分解的能力增强，提高催化剂在降解四环素类抗生素的效率。

公开(公告)号：CN114122909A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111319525.8

申请日：2021-11-09

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  李竹新 ,  石增良 ,  刘威

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/30

Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO微米线的波长可调的WGM紫外激光器及其波长调控方法，激光器包括：ZnO微米线、石英玻璃和金属电极，金属电极位于ZnO微米线两端，ZnO微米线通过金属电极固定在石英玻璃上，金属电极与电源通过导线连接；波长调控方法包括如下步骤：(1)通过CVD方法生长出结晶质量良好的ZnO微米线；(2)将单根ZnO微米线固定至石英玻璃上，沿ZnO微米线Z轴方向设置等间距的金属电极，用导线引出与电源相连；(3)将325nm飞秒激光通过微区系统聚焦至ZnO微米线表面，ZnO微米线受激发射，获得WGM紫外激光并通过光谱仪收集WGM紫外激光光谱；(4)给ZnO微米线施加不同的外加电压，获得不同的波长移动效果。本发明灵敏度高，调节速度快，调节效果稳定。

公开(公告)号：CN113479927A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110746503.3

申请日：2021-07-01

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  郭衡 ,  石增良 ,  陈金平 ,  朱益志

IPC: C01G3/04 ,  C09K11/61

Abstract: 本发明公开了一种在水中直接合成黄光发射卤素钙钛矿CsCu2I3粉末的制备方法。全无机卤素铜基钙钛矿是一种无毒、低成本、高质量的新型荧光材料，在照明、显示、通讯、传感、生物成像及探测等领域有着广泛的应用前景。本发明采用水相超声的方法，以碘化铯和碘化铜粉末为原料，2‑甲基咪唑作为反应辅助剂，在纯水中通过超声合成黄光发射CsCu2I3粉末，峰值约为575nm。本发明所采用的方法与现有CsCu2I3材料制备方法相比，具有原料来源广、操作简易、实验条件温和、无需加热与保护型气体及有机溶剂等优点。

公开(公告)号：CN112661654A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011501756.6

申请日：2020-12-18

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  张振华 ,  石增良

IPC: C07C209/68 ,  C07C211/04 ,  C01G21/00 ,  C09K11/06 ,  C09K11/66

Abstract: 本发明公开了一种原位连续调节钙钛矿材料，分子式为APbE3‑xFx，A为MA或Cs，E、F选自Cl、Br、I中不同的两种，x＝aln(t+t0)+c，其中，0≤x≤3，t为反应时间，a、c、t0为修正参数。本发明还公开了一种简易可控、成本低廉的调控的原位连续调节钙钛矿材料的制备方法，包括以下步骤：步骤一，制备钙钛矿前驱体；步骤二、将溴源或氯源或碘源固体粉末的石英舟放置在石英管中间，将前驱体钙钛矿放在石英管的炉塞口处；步骤三，向石英管通入保护气体排气；步骤四，将石英管加热到60～400℃，冷却至室温。本发明采用气相/固相阴离子交换方法，原材料成本低廉，并且该方法操作简易、可控程度高，工艺简单。

公开(公告)号：CN108648992B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201810385619.7

申请日：2018-04-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  赵杰 ,  游道通 ,  石增良 ,  朱烨

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种氧化锌石墨烯场效应管的制备方法，在金属基底上用化学气相法制备石墨烯薄膜；然后以石墨烯薄膜为沟道制备场效应管；最后石墨烯基场效应管的沟道上固定放置氧化锌微米棒。氧化锌微米棒作为混合异质结的一维材料直接固定于石墨烯场效应管的沟道中，作为提供寿命长的空穴以及光电接收材料，不会伤害氧化锌和石墨烯的表面；从而利用氧化锌对紫外光比较敏感的优异特性将二维石墨烯的超高载流子迁移率与一维氧化锌微米棒的超长载流子寿命的优势结合，制得性能优良的氧化锌石墨烯场效应管。

公开(公告)号：CN108192592B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201810015252.X

申请日：2018-01-08

Applicant: 东南大学

Inventor： 石增良 ,  段越 ,  徐春祥

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/85 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01K11/32 ,  C12Q1/02

Abstract: 本发明公开了一种核壳纳米晶细胞温度传感器的制备方法和应用方法，该核壳纳米晶细胞温度传感器为基于稀土掺杂NaYF4的核壳纳米晶细胞温度传感器，其制备步骤为先制备稀土掺杂的NaYF4核壳纳米晶，使其亲水化后配制成溶液，并在其中培养细胞，得到所述的核壳纳米晶细胞温度传感器。该传感器应用时，利用激光激发被标记待测细胞，测量其变温上转换荧光光谱，建立发光强度与细胞温度之间的函数关系。本发明通过巧妙设计核壳结构纳米晶将温度传感特性深入到细胞层面，大大提高细胞测温的分辨率，使其重现性好且细胞毒性低。

公开(公告)号：CN110137316B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201910338046.7

申请日：2019-04-25

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  刘威 ,  石增良 ,  李竹新

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/26

Abstract: 本发明公开了一种基于N‑ZnO/N‑GaN/N‑ZnO异质结的双向紫外发光二极管及制备方法，二极管包括：N‑ZnO微米线、N型GaN薄膜、PMMA保护层和合金电极；方法包括如下步骤：将两根N‑ZnO微米线平铺在N‑GaN薄膜上，旋涂PMMA保护层固定N‑ZnO微米线，至PMMA保护层漫过N‑ZnO微米线，在烘干台上使PMMA保护层凝固，然后利用O2将PMMA保护层刻蚀至N‑ZnO微米线露出，分别在不同的N‑ZnO微米线上制备合金电极，构建N‑ZnO/N‑GaN/N‑ZnO型异质结，构成完整的器件。本发明构建了N/N/N对称结构，器件正反向发光总量相同；器件由N型ZnO和N型GaN组成，器件发光位置为紫外区域，器件开启电压较小；N‑ZnO/N‑GaN/N‑ZnO异质结发光二极管发光中心位于371nm和385nm，紫外发光占比高于80％，器件可在交流电驱动下正常工作。

公开(公告)号：CN107845700B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201711122070.4

申请日：2017-11-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  游道通 ,  石增良 ,  秦飞飞

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长ZnO纳米棒阵列；采用磁控溅射法在ZnO纳米棒上溅射不同厚度的AlN鞘层薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列两端制备具有欧姆接触的金属电极，构成完整的器件。本发明通过简单的磁控溅射方法，控制溅射时间，在ZnO纳米棒上生长不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘层薄膜，制备的ZnO/AlN核鞘光探测器件不仅具有更好的紫外光响应，在360nm紫外光照射下，电压为5V时，明暗电流比为5.5×103，提高了一个数量级，同时具有更快速的响应和恢复时间，分别是0.883和0.956s。