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公开(公告)号：CN114122909B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202111319525.8
申请日：2021-11-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO微米线的波长可调的WGM紫外激光器及其波长调控方法，激光器包括：ZnO微米线、石英玻璃和金属电极，金属电极位于ZnO微米线两端，ZnO微米线通过金属电极固定在石英玻璃上，金属电极与电源通过导线连接；波长调控方法包括如下步骤：(1)通过CVD方法生长出结晶质量良好的ZnO微米线；(2)将单根ZnO微米线固定至石英玻璃上，沿ZnO微米线Z轴方向设置等间距的金属电极，用导线引出与电源相连；(3)将325nm飞秒激光通过微区系统聚焦至ZnO微米线表面，ZnO微米线受激发射，获得WGM紫外激光并通过光谱仪收集WGM紫外激光光谱；(4)给ZnO微米线施加不同的外加电压，获得不同的波长移动效果。本发明灵敏度高，调节速度快，调节效果稳定。
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公开(公告)号：CN114024212A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111214135.4
申请日：2021-10-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于n‑ZnO/PEDOT/HfO2/p‑GaN的紫外激光二极管及制备方法，二极管包括：n‑ZnO纳米棒、p‑GaN薄膜、PEDOT薄膜、HfO2薄膜、PMMA保护层和金属电极；方法包括如下步骤：采用磁控溅射法在p‑GaN薄膜上沉积一定厚度的HfO2薄膜，然后在HfO2薄膜上旋涂PEDOT薄膜，再旋涂分散了ZnO纳米棒的乙醇溶液，加热烘干，旋涂PMMA保护层，至PMMA保护层漫过n‑ZnO纳米棒，加热使PMMA保护层凝固，然后利用氧等离子体刻蚀，将PMMA保护层刻蚀至n‑ZnO纳米棒露出，分别在p‑GaN薄膜和n‑ZnO纳米棒上制备金属电极，构成完整的器件。本发明能够有效降低界面处的光学损耗，增加载流子注入效率，实现电场驱动下的紫外激光行为。
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公开(公告)号：CN112781741A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110034151.9
申请日：2021-01-11
Applicant: 东南大学
IPC: G01K1/18
Abstract: 本发明公开了一种用于体温区间的高灵敏度负温度系数柔性传感器及测温方法，传感器包括柔性基底，柔性基底上固定有氧化锌材料，氧化锌材料上设有电极，电极与电源相连。将ZnO放置在柔性衬底上，在ZnO材料上制备等间距的电极，通过导线与电源和信号接收系统连接，信号接收系统通过无线发射装置将电流信号传输至信号处理系统，信号处理系统通过内部单片机程序将电流信号转化为可视化的温度信号。本发明构建了基于ZnO材料的温度传感器，具有灵敏度高，响应速度快，可即时显示等优点。
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公开(公告)号：CN110137316A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910338046.7
申请日：2019-04-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于N-ZnO/N-GaN/N-ZnO异质结的双向紫外发光二极管及制备方法，二极管包括：N-ZnO微米线、N型GaN薄膜、PMMA保护层和合金电极；方法包括如下步骤：将两根N-ZnO微米线平铺在N-GaN薄膜上，旋涂PMMA保护层固定N-ZnO微米线，至PMMA保护层漫过N-ZnO微米线，在烘干台上使PMMA保护层凝固，然后利用O2将PMMA保护层刻蚀至N-ZnO微米线漏出，分别在不同的N-ZnO微米线上制备合金电极，构建N-ZnO/N-GaN/N-ZnO型异质结，构成完整的器件。本发明构建了N/N/N对称结构，器件正反向发光总量相同；器件由N型ZnO和N型GaN组成，器件发光位置为紫外区域，器件开启电压较小；N-ZnO/N-GaN/N-ZnO异质结发光二极管发光中心位于371nm和385nm，紫外发光占比高于80％，器件可在交流电驱动下正常工作。
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公开(公告)号：CN113540299B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110737398.7
申请日：2021-06-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于p‑GaN/CsPbBr3/n‑ZnO异质结的发光二极管及制备方法，二极管包括：n‑ZnO纳米棒阵列、CsPbBr3量子点、p‑GaN薄膜和合金电极；制备方法具体为：在硅衬底上生长ZnO纳米棒阵列，将CsPbBr3量子点均匀旋涂在ZnO纳米棒阵列上，然后在CsPbBr3量子点/ZnO阵列复合结构顶部加上GaN薄膜，并分别在n‑ZnO和p‑GaN上制备合金电极，构建p‑GaN/CsPbBr3/n‑ZnO异质结，构成完整的器件。本发明构建了p‑GaN/CsPbBr3/n‑ZnO异质结发光二极管，发光中心位于375nm和520nm，CsPbBr3量子点的引入抑制了ZnO的表面态，改变了异质结发光二极管的发光颜色，随着注入电流的变化，其发光颜色也发生了改变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114122909A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111319525.8
申请日：2021-11-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO微米线的波长可调的WGM紫外激光器及其波长调控方法，激光器包括：ZnO微米线、石英玻璃和金属电极，金属电极位于ZnO微米线两端，ZnO微米线通过金属电极固定在石英玻璃上，金属电极与电源通过导线连接；波长调控方法包括如下步骤：(1)通过CVD方法生长出结晶质量良好的ZnO微米线；(2)将单根ZnO微米线固定至石英玻璃上，沿ZnO微米线Z轴方向设置等间距的金属电极，用导线引出与电源相连；(3)将325nm飞秒激光通过微区系统聚焦至ZnO微米线表面，ZnO微米线受激发射，获得WGM紫外激光并通过光谱仪收集WGM紫外激光光谱；(4)给ZnO微米线施加不同的外加电压，获得不同的波长移动效果。本发明灵敏度高，调节速度快，调节效果稳定。
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公开(公告)号：CN110137316B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201910338046.7
申请日：2019-04-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于N‑ZnO/N‑GaN/N‑ZnO异质结的双向紫外发光二极管及制备方法，二极管包括：N‑ZnO微米线、N型GaN薄膜、PMMA保护层和合金电极；方法包括如下步骤：将两根N‑ZnO微米线平铺在N‑GaN薄膜上，旋涂PMMA保护层固定N‑ZnO微米线，至PMMA保护层漫过N‑ZnO微米线，在烘干台上使PMMA保护层凝固，然后利用O2将PMMA保护层刻蚀至N‑ZnO微米线露出，分别在不同的N‑ZnO微米线上制备合金电极，构建N‑ZnO/N‑GaN/N‑ZnO型异质结，构成完整的器件。本发明构建了N/N/N对称结构，器件正反向发光总量相同；器件由N型ZnO和N型GaN组成，器件发光位置为紫外区域，器件开启电压较小；N‑ZnO/N‑GaN/N‑ZnO异质结发光二极管发光中心位于371nm和385nm，紫外发光占比高于80％，器件可在交流电驱动下正常工作。
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公开(公告)号：CN113540299A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110737398.7
申请日：2021-06-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于p‑GaN/CsPbBr3/n‑ZnO异质结的发光二极管及制备方法，二极管包括：n‑ZnO纳米棒阵列、CsPbBr3量子点、p‑GaN薄膜和合金电极；制备方法具体为：在硅衬底上生长ZnO纳米棒阵列，将CsPbBr3量子点均匀旋涂在ZnO纳米棒阵列上，然后在CsPbBr3量子点/ZnO阵列复合结构顶部加上GaN薄膜，并分别在n‑ZnO和p‑GaN上制备合金电极，构建p‑GaN/CsPbBr3/n‑ZnO异质结，构成完整的器件。本发明构建了p‑GaN/CsPbBr3/n‑ZnO异质结发光二极管，发光中心位于375nm和520nm，CsPbBr3量子点的引入抑制了ZnO的表面态，改变了异质结发光二极管的发光颜色，随着注入电流的变化，其发光颜色也发生了改变。
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公开(公告)号：CN114024212B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202111214135.4
申请日：2021-10-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于n‑ZnO/PEDOT/HfO2/p‑GaN的紫外激光二极管及制备方法，二极管包括：n‑ZnO纳米棒、p‑GaN薄膜、PEDOT薄膜、HfO2薄膜、PMMA保护层和金属电极；方法包括如下步骤：采用磁控溅射法在p‑GaN薄膜上沉积一定厚度的HfO2薄膜，然后在HfO2薄膜上旋涂PEDOT薄膜，再旋涂分散了ZnO纳米棒的乙醇溶液，加热烘干，旋涂PMMA保护层，至PMMA保护层漫过n‑ZnO纳米棒，加热使PMMA保护层凝固，然后利用氧等离子体刻蚀，将PMMA保护层刻蚀至n‑ZnO纳米棒露出，分别在p‑GaN薄膜和n‑ZnO纳米棒上制备金属电极，构成完整的器件。本发明能够有效降低界面处的光学损耗，增加载流子注入效率，实现电场驱动下的紫外激光行为。
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公开(公告)号：CN114335266A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210105868.2
申请日：2022-01-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高品质微球腔的白光Micro‑LED的制备方法。包括(1)将p‑GaN衬底清洗后，使用无痕耐高温胶带作掩膜预留正电极位；(2)激光经过透镜聚焦在靶材上在p‑GaN衬底上制备Ho掺杂的ZnO微米球；(3)旋涂PMMA，并采用氧等离子体刻蚀；(4)通过金属掩膜版，沉积Au电极。本发明制备掺杂ZnO微球的方法为无模板制备的方法，比现在常用的模板化学和成法省去了模板的制备过程，方法简单易操作，并且样品杂质少、结晶性高。制备的Micro‑LED通过简单的驱动方式控制实现蓝紫光、蓝绿光甚至白光发射。
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