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公开(公告)号:CN109395747B
公开(公告)日:2021-07-20
申请号:CN201811359989.X
申请日:2018-11-15
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: B01J27/051 , B01J37/10 , C02F1/30 , C02F101/38 , C02F101/34
Abstract: 本发明涉及一种采用溶剂热法在无表面活性剂和模板的条件下,获得了纳米片组装的花状Ni‑doped MoS2结构,随后用原子层沉积技术在表面包覆超薄TiO2层,即可获得催化性能优异的花状Ni‑doped MoS2/TiO2光催化材料,获得了一种稳定性强催化活性高的Ni‑doped MoS2/TiO2光催化材料,整体制备方案可控性高,适用于规模化生产。本发明制备的花状Ni‑doped MoS2/TiO2光催化材料,可直接用于可见光催化反应。
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公开(公告)号:CN109338391B
公开(公告)日:2021-07-20
申请号:CN201811217045.9
申请日:2018-10-18
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: C25B1/04 , C25B11/054 , C25B11/077
Abstract: 本发明涉及了一种用于光电化学分解水制氢的基底的制备方法及其产品和应用,利用传统的水热法在新的实验参数的条件下在FTO玻璃表面制备性能优越的In2S3超薄纳米片阵列,制备出的In2S3超薄纳米片阵列致密而均匀;在制备好的In2S3光电化学分解水的基底上继续生长ZnO纳米颗粒,ZnO半导体与In2S3构建异质结,通过控制ZnO生长的时间来控制ZnO纳米颗粒的粒径及ZnO在In2S3薄膜中的含量,从而实现对In2S3光电性能的调控,显著提高光解水基底的光电流。将In2S3纳米片阵列与ZnO纳米颗粒的制备结合起来,构成In2S3‑ZnO异质结,利用ZnO纳米颗粒均匀、表面积大的优点提高In2S3光电性能,按照本方案制备出的复合光阳极结构在500 W模拟太阳光的照射下比纯In2S3光阳极结构的光电流提高3倍。
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公开(公告)号:CN109534404B
公开(公告)日:2021-05-04
申请号:CN201811525822.6
申请日:2018-12-13
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种表面改性氧化钨纳米材料的制备方法,所述方法包括:在纳米氧化钨表面,利用原子层沉积修饰一层SnO纳米层,形成异质结结构,能够有效提升WO3纳米材料的气体传感性能,所用的前驱源分别为N,N'‑二甲基乙二胺亚锡和水,沉积温度为150℃,沉积厚度为2‑10nm。该材料利用原子层沉积在WO3纳米颗粒表面沉积SnO层,形成WO3/SnO异质结,大幅提升了其对甲醛的气敏性能。
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公开(公告)号:CN110993731A
公开(公告)日:2020-04-10
申请号:CN201911181909.0
申请日:2019-11-27
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/109
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化层/金纳米棒/硅的可见-短波红外光探测基底的制备方法,通过一种银诱导无种法合成具有不同长径比的小尺寸金纳米棒;将其负载到硅片表面作为光吸收层,经退火处理获得结合更紧密金纳米棒/硅片基底;在金纳米棒/硅复合基底表面沉积不同的氧化物薄膜,构建成具有良好光电响应的异质结结构,最终得到氧化物/金纳米棒/硅基底新型可见-短波红外光探测基底。该复合基底能够对可见-短波红外光表现出极高的探测灵敏度。与现有技术相比,本发明获得的探测基底具有光谱响应范围宽、响应灵敏度高、响应波段可调、抗干扰能力强等优点。
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公开(公告)号:CN110844940A
公开(公告)日:2020-02-28
申请号:CN201911095570.2
申请日:2019-11-11
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种镍原子掺杂α-三氧化二铁纳米材料的制备方法及其产品和应用,利用微波水热反应、浸渍和后续热处理的方法制备镍原子掺杂α-Fe2O3纳米材料,首先利用微波水热反应合成α-FeOOH前驱体,将α-FeOOH前驱体在硝酸镍溶液中浸渍,冷冻干燥后,置于氢气氛围中热处理得到镍原子掺杂α-Fe2O3纳米材料。所得的纳米材料具有较大的比表面积,用于气体检测、光催化水制备氢等领域,可增加材料与反应物的接触面积;通过镍原子掺杂,可增加α-Fe2O3纳米材料的缺陷态,调控其禁带宽度,对改善材料的电学性质和催化性质起到非常重要的作用,并且制备方法简单,工艺条件容易实现。
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公开(公告)号:CN110841682A
公开(公告)日:2020-02-28
申请号:CN201911090885.8
申请日:2019-11-09
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氧化锡修饰类石墨相氮化碳纳米片的制备方法及其产品和应用,通过将两种前驱体预处理、混合,然后热处理原位反应,生成氧化锡修饰的g-C3N4纳米片,实现SnO2与g-C3N4的有效复合,构建异质结。本方法制备的材料可拓宽SnO2材料的禁带宽度,提升单一材料在实际应用领域的性能,如用于气体检测,可极大提升灵敏度并降低相应温度,用于光催化材料,可拓宽材料的光响应范围。该方法制备的复合材料对丙酮具有良好的响应特性。
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公开(公告)号:CN110724931A
公开(公告)日:2020-01-24
申请号:CN201911180892.7
申请日:2019-11-27
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积制备二硫化铼薄膜的方法,原子层沉积系统腔内沉积温度应加热到350-450℃的沉积温度;设置Re前驱源C8H5O3Re温度为120-135℃,载气流量为80-120sccm;S前驱体源SH(CH2)2SH的载气流量为100-150sccm,沉积循环中,Re前驱源C8H5O3Re时间为1.2-2.5s,SH(CH2)2SH的脉冲时间为0.5-1.5s,按照Re源沉积2次和S源沉积1次构成1个ReS2沉积循环,可通过循环数目控制MoS2薄膜厚度。本发明能够在原子层沉积过程中有效避免S缺陷过多问题,在无需进行额外的高温硫化的条件下获得化学计量比稳定、光电性能良好的ReS2薄膜。
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公开(公告)号:CN107282070B
公开(公告)日:2020-01-10
申请号:CN201710383926.7
申请日:2017-05-26
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种三维花片状硫铟锌微‑纳米线阵列及其制备方法和应用,以经过预处理的锌片为基底,以铟源、硫源为前驱体,通过控制溶剂热反应的温度和时间,从而制备出ZnIn2S4微‑纳米线阵列。本发明制备的三维花片状结构的ZnIn2S4微‑纳米线阵列,是固体基底上的首创;依据本发明提供的方法制备的ZnIn2S4微‑纳米线阵列具有比表面积高,反射率低,陷光性好,缺陷较少且能够反复使用等优异特性;且制备方法简单,过程易控,成本低廉,无毒环保,在光催化制氢,光催化降解有机污染物,人工光合作用,光催化杀菌,太阳能电池等领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号:CN110596218A
公开(公告)日:2019-12-20
申请号:CN201910953571.X
申请日:2019-10-09
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: G01N27/327
Abstract: 本发明提供一种有机磷农药检测的酶传感器的制备方法及其产品和应用,酶传感器包括电极基体和生物识别单元,所述的生物识别单元由乙酰胆碱酶(AChE)和壳聚糖醋酸溶液制备的生物酶层;所述的电极基体为玻碳材质的玻碳电极,采用Ag-Fe3O4纳米粒子和导电聚合物修饰。本发明制备所得×的10传-9 感mo器l/对L现,传有感机器磷对农现药有的机检磷测农线药性的范检围测为限3.为0×11.00×-131~06-.103 mol/L。本发明传感器是基于生物识别的高度专一性和纳米材料对电化学检测信号的放大作用,将生物化学、纳米材料、传感技术三者相结合,构建了新型复合纳米材料修饰的酶传感器。
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公开(公告)号:CN110579511A
公开(公告)日:2019-12-17
申请号:CN201910940803.8
申请日:2019-09-30
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: G01N27/00 , C01G39/06 , C01B32/194 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及基于范德瓦尔斯结薄膜的高灵敏度二氧化氮气体传感器的构筑方法,其特征在于在不添加任何表面活性剂的条件下,通过优化的“一步法”化学合成制备高质量半导体量子点,以旋涂的方式在化学气相沉积法制备的石墨烯上均匀修饰半导体量子点,控制器件退火温度和时间,优化提升半导体量子点与石墨烯之间的范德瓦尔斯接触,制备半导体量子点/石墨烯范德瓦尔斯结NO2气体传感器。在NO2气体浓度为25ppm时,该器件在室温下的响应灵敏度为580%,响应时间约10s,恢复时间约150s。此外该器件也表现出很好的响应循环稳定性和选择性。该柔性器件构筑方法简单可控,重复性高,故具有明显的应用价值。
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