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公开(公告)号：CN116413974A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111638186.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02F1/29
Abstract: 本发明提供一种大波长控制扫描角度的光学相控阵，该大波长控制扫描角度的光学相控阵包括光开关及多个光学相控子阵列，其中，光开关包括多个输出端；多个光学相控子阵列分别与光开关的不同输出端相连，光学相控子阵列包括依次相连的分束器、移相器及发射光栅结构，不同光学相控子阵列的发射光栅结构的光栅周期不同。本发明利用光开关加光学相控阵子阵列的方式来增大波长控制的扫描角度，其中，利用光开关选择工作的光学相控阵子阵列，两个子阵列在相同的激光器波长范围内，对应的偏转角度恰好互补，通过切换工作的子阵列就可以实现波长控制扫描角度的扩大，提高波长控制扫描角度的效率，通过增加子阵列的数量可以进一步增大波长控制的扫描角度。
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公开(公告)号：CN116247117A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111485476.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/103 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种波导型光电探测器的制备方法，包括：1)提供一衬底，对衬底进行刻蚀，形成探测器区域；2)对探测器区域的进行N型轻掺杂形成N型掺杂区，再对局部区域进行N型重掺杂形成N型重掺杂区；3)于N型掺杂区上形成第一锗光吸收层，于第一锗光吸收层上形成P型重掺杂的锗材料层；4)于P型重掺杂的锗材料层上形成第二锗光吸收层以及位于第二锗光吸收层上的N型重掺杂的锗材料层。本发明通过采用双端输入的光电探测器和背对背的PN结结构，可以明显减小空间电荷效应的影响，实现高饱和输出功率的光电探测器。
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公开(公告)号：CN115616703A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110808467.9
申请日：2021-07-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供一种基于双层氮化硅结构的光栅耦合器及其制作方法，包括衬底、第一二氧化硅层、下层氮化硅光栅、下层氮化硅波导、第二二氧化硅层、上层氮化硅光栅、上层氮化硅波导及第三二氧化硅层。上层氮化硅光栅将输入光的部分耦合进入上层氮化硅波导中，输入光的另一部分透过上层氮化硅光栅射向衬底形成透射光，下层氮化硅光栅将透射光的一部分反射回上层氮化硅光栅，并耦合进入上层氮化硅波导，透射光的另一部分进入下层氮化硅光栅并耦合进入下层氮化硅波导，然后耦合进入上层氮化硅波导中。本发明的光栅耦合器对波长为1530nm～1565nm的输入光的耦合效率为60％以上，光栅耦合器的1dB带宽大于100nm。
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公开(公告)号：CN115440834A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110620832.3
申请日：2021-06-03
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种波导型硅基短波红外波段雪崩光电探测器及其制作方法，光电探测器包括：衬底、硅波导、第一导电类型接触层、第二导电类型掺杂电荷层、倍增层、吸收层及第二导电类型接触层；吸收区位于第二导电类型掺杂电荷层上，吸收区为Ge1‑xPbx材料，其中，0.001
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公开(公告)号：CN111751926B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201910243172.4
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及集成光子器件领域，尤其涉及一种用于相控阵发射阵列的波导光栅天线及其形成方法。所述用于相控阵发射阵列的波导光栅天线，包括：衬底；第一波导层，位于所述衬底表面；第二波导层，沿垂直于所述衬底的方向设置于所述第一波导层上方，且所述第二波导层中具有光栅结构；所述第一波导层与所述第二波导层之间能够进行倏逝波耦合，有利于控制光栅的长度以增大相控阵列的分辨率，提高了垂直方向的非对称性，从而提高波导光栅天线的方向性。本发明减少了光向衬底的泄露，提高了光向上发射的比例，进而提高了光的发射效率以及相控阵列的探测距离，有助于需要高功率输出器件的实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111785792B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201910272710.2
申请日：2019-04-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种锗铅合金材料的制备方法。该方法包括：在衬底上沉积基底介质层；在基底介质层中形成开孔所述衬底从所述开孔露出的部分被作为生长种子窗口；在所述基底介质层表面以及从所述开孔露出的衬底表面沉积包含锗(Ge)元素和铅(Pb)元素的材料层；在所述材料层表面沉积阻挡介质层；以及对所述衬底进行退火，在所述材料层中形成所述四族半导体锗铅合金材料。根据本申请，能够在衬底表面形成质量较高的GePb合金，并且，该方法与CMOS工艺的兼容性较好，有利于GePb合金在硅基器件中的应用。
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公开(公告)号：CN110896115B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201811062635.9
申请日：2018-09-12
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/113 , H01L31/0312 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光电晶体管、红外探测器和光电晶体管的制作方法。该光电晶体管包括栅极堆栈；设置于栅极堆栈一侧的有源层；设置于有源层远离栅极堆栈一侧的抗反层；其中，有源层包括沟道区，以及位于沟道区两侧的源极区和漏极区；其中，有源层的材料为锗锡合金。本发明提供的技术方案通过形成上述光电晶体管结构，并设置有源层的材料为锗锡合金，可使光电晶体管具有较高的灵敏度，且光电晶体管结构简单。
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公开(公告)号：CN110828603B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201810924656.0
申请日：2018-08-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种基于III‑V族材料发射极区的GeSn光电晶体管及其制造方法。所述基于III‑V族材料发射极区的GeSn光电晶体管，包括衬底以及沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于所述衬底表面的集电极区、吸收层、基极区和发射极区；所述吸收层与所述基极区采用Ge1‑xSnx材料构成，其中，0
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公开(公告)号：CN110890436B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201811056068.6
申请日：2018-09-11
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0336 , H01L31/028 , H01L31/11 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种波导型GeSn光电晶体管及其制造方法。所述波导型GeSn光电晶体管包括：SOI衬底，具有由所述SOI衬底的顶层硅形成的波导层；器件结构，位于所述SOI衬底表面，包括吸收区、集电极区、基极区和发射极区，其中：所述集电极区、所述吸收区和所述基极区均采用Ge1‑xSnx材料构成、且沿平行于所述SOI衬底的方向依次排列；所述发射极区沿垂直于所述SOI衬底的方向层叠设置于所述基极区表面，以在所述发射极区与所述基极区之间形成异质结；其中，0
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公开(公告)号：CN110727046B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201810776259.3
申请日：2018-07-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供的三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造方法，包括如下步骤：提供一器件晶圆，所述器件晶圆包括具有器件结构的正面以及与所述正面相对的背面，且所述器件晶圆具有自所述正面向所述背面方向延伸的硅通孔；将所述正面与一载体晶圆键合；形成球形焊点于所述背面；自所述背面刻蚀所述器件晶圆，形成贯穿所述器件晶圆的光耦合端面。本发明在简化三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造工艺的同时，改善了光耦合端面的质量，降低了三维集成光互连芯片的制造成本。
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