散热电路基板
    64.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110235531B

    公开(公告)日:2020-09-11

    申请号:CN201880008747.8

    申请日:2018-02-28

    Abstract: 本发明提供一种散热电路基板(10),该散热电路基板(10)具备:金属基板(11)、配置于所述金属基板(11)的至少一个表面的绝缘层(12)及配置于所述绝缘层(12)的与所述金属基板(11)相反一侧的表面的电路层(13)。所述绝缘层(12)包含由聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺或它们的混合物构成的树脂及比表面积为10m2/g以上的陶瓷粒子,所述陶瓷粒子形成凝集粒子,且所述陶瓷粒子的含量在5体积%以上且60体积%以下的范围内。

    低折射率膜形成用液体组合物

    公开(公告)号:CN107207907B

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201680006229.3

    申请日:2016-01-20

    Abstract: 本发明的低折射率膜形成用液体组合物通过混合硅醇盐的水解物与硅溶胶,进一步混合乙二醇醚的有机溶剂来制备,所述硅醇盐的水解物通过在作为硅醇盐的四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷的醇溶液中添加水与硝酸的混合物并搅拌来生成,硅溶胶通过念珠状胶体二氧化硅粒子分散到液体介质中而得到。所述乙二醇醚是具有140℃以上且160℃以下的闪点的溶剂。

    ITO粉末及其制造方法、以及分散液和ITO膜的制造方法

    公开(公告)号:CN103693679B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201310295783.6

    申请日:2013-07-15

    Abstract: 本发明提供一种在低压下成为压坯时显示出高导电性的表面改性的ITO粉末及其制造方法、以及分散液和ITO膜的制造方法。本发明的表面改性的ITO粉末,将对由该ITO粉末构成的压坯施加0.196~29.42MPa的压力时的所述压坯的体积电阻率设为Y并将所述压坯的相对密度设为X时,所述体积电阻率与所述相对密度之间的关系以Y=aXn来拟合,a为5.0×10‑3以下,且n为‑10以上。

    ITO粉末及其制造方法、以及分散液和ITO膜的制造方法

    公开(公告)号:CN103693677B

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201310283707.3

    申请日:2013-07-08

    Abstract: 本发明提供一种ITO粉末及其制造方法、以及分散液和ITO膜的制造方法,所述ITO粉末不需要粉末状态下的后处理而在ITO粉末的压坯中获得低于以往的体积电阻率。本发明的ITO粉末,在附属于X射线衍射装置的试料座中填充试料即ITO粉末,并以2θ=15~90deg的范围照射X射线,并由所获得的衍射线来进行晶格常数、微晶尺寸、晶格应变的精密化的结果,所获得的晶格应变在0.2~0.8的范围内。

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