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公开(公告)号：CN104017395B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201410049623.8
申请日：2014-02-13
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种ITO导电膜形成用涂料及ITO导电膜的形成方法，其能够抑制包含ITO导电膜的透明电极在高温高湿下的电阻值的上升。本发明的ITO导电膜形成用涂料中，包含ITO粉末、分散介质及表面处理剂，分散介质为醇系溶液，表面处理剂为烷基的碳数为2以下的硅酸酯，或者，表面处理剂为具有氨基或巯基作为端基的硅烷偶联剂。相对于ITO粉末100质量%，硅酸酯含有1～30质量%。并且，相对于ITO粉末100质量%，硅烷偶联剂含有0.1～30质量%。
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公开(公告)号：CN104036843A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410053316.7
申请日：2014-02-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种ITO颗粒，用于太阳能电池的背面电极时减少ITO颗粒与发电层的界面上的能垒，由此提高太阳能电池的发电效率。本发明的ITO颗粒在以金为基准通过开尔文法反复进行测定时，具有4.8～5.3eV范围的功函数。
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公开(公告)号：CN103693679B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310295783.6
申请日：2013-07-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C01G19/00
Abstract: 本发明提供一种在低压下成为压坯时显示出高导电性的表面改性的ITO粉末及其制造方法、以及分散液和ITO膜的制造方法。本发明的表面改性的ITO粉末，将对由该ITO粉末构成的压坯施加0.196～29.42MPa的压力时的所述压坯的体积电阻率设为Y并将所述压坯的相对密度设为X时，所述体积电阻率与所述相对密度之间的关系以Y=aXn来拟合，a为5.0×10‑3以下，且n为‑10以上。
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公开(公告)号：CN103693677B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201310283707.3
申请日：2013-07-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C01G19/00
Abstract: 本发明提供一种ITO粉末及其制造方法、以及分散液和ITO膜的制造方法，所述ITO粉末不需要粉末状态下的后处理而在ITO粉末的压坯中获得低于以往的体积电阻率。本发明的ITO粉末，在附属于X射线衍射装置的试料座中填充试料即ITO粉末，并以2θ=15～90deg的范围照射X射线，并由所获得的衍射线来进行晶格常数、微晶尺寸、晶格应变的精密化的结果，所获得的晶格应变在0.2～0.8的范围内。
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公开(公告)号：CN103482686B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310231700.7
申请日：2013-06-09
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C01G19/00
CPC classification number: C01G19/02 , B82Y30/00 , C01G1/02 , C01G19/00 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/40 , C01P2006/62 , C01P2006/63 , C01P2006/64 , G02B1/00 , G02B5/207 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种ITO膜及用于制造该ITO膜的ITO粉末、ITO粉末的制造方法及ITO膜的制造方法。所述ITO膜具有4.0eV～4.5eV范围的能隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103693678A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310287607.8
申请日：2013-07-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种在低压下成为压坯时显示出高导电性的表面改性的ITO粉末及其制造方法、以及分散液及ITO膜的制造方法。本发明的表面改性的ITO粉末，对由该ITO粉末构成的压坯施加0.98MPa的压力时的所述压坯的电阻率为0.50Ω·cm以下，将对所述压坯施加0.196～29.42MPa的压力时的所述压坯的体积电阻率设为Y且所述压力设为X时，所述压力与所述体积电阻率之间的关系近似Y=aXn，a为5.00以下，且n为-0.500以下。
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公开(公告)号：CN103693678B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201310287607.8
申请日：2013-07-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种在低压下成为压坯时显示出高导电性的表面改性的ITO粉末及其制造方法、以及分散液及ITO膜的制造方法。本发明的表面改性的ITO粉末，对由该ITO粉末构成的压坯施加0.98MPa的压力时的所述压坯的电阻率为0.50Ω·cm以下，将对所述压坯施加0.196～29.42MPa的压力时的所述压坯的体积电阻率设为Y且所述压力设为X时，所述压力与所述体积电阻率之间的关系近似Y=aXn，a为5.00以下，且n为‑0.500以下。
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公开(公告)号：CN104017395A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410049623.8
申请日：2014-02-13
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种ITO导电膜形成用涂料及ITO导电膜的形成方法，其能够抑制包含ITO导电膜的透明电极在高温高湿下的电阻值的上升。本发明的ITO导电膜形成用涂料中，包含ITO粉末、分散介质及表面处理剂，分散介质为醇系溶液，表面处理剂为烷基的碳数为2以下的硅酸酯，或者，表面处理剂为具有氨基或巯基作为端基的硅烷偶联剂。相对于ITO粉末100质量%，硅酸酯含有1～30质量%。并且，相对于ITO粉末100质量%，硅烷偶联剂含有0.1～30质量%。
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公开(公告)号：CN103903674A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310740988.0
申请日：2013-12-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种ITO粉末、ITO导电膜用涂料及透明导电膜的制造方法。本发明的课题在于，利用含有多晶ITO颗粒的涂料制造由ITO导电膜构成的透明导电膜时，降低透明导电膜的电阻。本发明的ITO粉末由如下形成的多晶ITO颗粒的聚集体构成，即在棒状中心核的周围，比所述中心核短的多个棒状体以沿着与棒状中心核的长度方向相同的方向且围绕棒状中心核的方式一体形成。所述多晶ITO颗粒的平均长度L在0.2～5.0μm的范围，并且将所述多晶ITO颗粒的平均直径设为D时，L/D在2～20的范围。
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公开(公告)号：CN103725077A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310406665.8
申请日：2013-09-09
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种热射线屏蔽组合物、ITO涂料、热射线屏蔽膜的形成方法以及热射线屏蔽薄膜的形成方法，所述热射线屏蔽组合物的可见光的透射率较高且近红外线的阻挡率较高。本发明的热射线屏蔽组合物，是在ITO粉末以0.1～50质量%的范围分散而成的分散液中，将选自二亚铵类色素、酞菁类色素及二硫醇金属络合物色素中的一种或两种以上的近红外线吸收色素，相对于所述分散液100质量%以0.01～0.5质量%的范围混合而构成。所述ITO粉末用于制造具有4.0eV～4.5eV范围的带隙的ITO膜。
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