公开(公告)号：CN103281127A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310010099.9

申请日：2013-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正 ,  朴永洙

IPC: H04B10/25 ,  H04B10/40

CPC classification number: H04B10/801

Abstract: 提供一种微处理器芯片，其包括：多个处理器；至少一个第一光输入/输出单元，被配置为从外部设备接收光信号并向外部设备传输光信号；以及光系统总线，连接在所述多个处理器和所述至少一个第一光输入/输出单元之间。

公开(公告)号：CN103117090A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201210454111.0

申请日：2012-11-13

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔市立大学校产学协力团

Inventor： 金镐正 ,  崔仲镐 ,  申在光 ,  崔贤植

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/30 ,  G11C16/34 ,  G11C16/3404

Abstract: 本申请提供一种具有改善的可靠性的多值逻辑器件，包括：转换单元，被配置成把多级信号转换为多个部分信号；和多个非易失性存储器件，被配置成分别存储所述多个部分信号，其中，被分别存储在所述多个非易失性存储器件中的所述多个部分信号中的每一个的比特数均小于所述多级信号的比特数。

公开(公告)号：CN103000220A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210324904.0

申请日：2012-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正 ,  郑佑仁 ,  申在光

IPC: G11C11/40

CPC classification number: H01L29/78684 ,  G11C29/12005

Abstract: 半导体器件和操作该半导体器件的方法。该半导体器件包括：电压产生器，被配置为产生测试电压；石墨烯晶体管，被配置为基于测试电压接收栅极-源极电压；以及检测器，被配置为检测栅极-源极电压是否是石墨烯晶体管的狄拉克电压，并输出施加于电压产生器的反馈信号，其指示栅极-源极电压是否是狄拉克电压。

公开(公告)号：CN102855933A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210096200.2

申请日：2012-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正 ,  申在光 ,  崔贤植 ,  丁亨洙

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: H03K19/17704 ,  H03K19/17728 ,  H03K19/17736 ,  H03K19/1776

Abstract: 本申请提供一种可以快速重新配置以执行期望的操作的逻辑器件。所述逻辑器件包括：第一功能块，用于根据第一操作信息执行第一操作以及根据第二操作信息执行第二操作；以及第二功能块，用于根据第一操作信息执行第三操作以及根据第二操作信息执行第四操作。第一功能块接收配置信息，基于配置信息选择第一操作信息和第二操作信息中的一个，以及基于所选择的第一操作信息或者第二操作信息执行第一操作或者第二操作。第二功能块接收配置信息，基于配置信息选择第一操作信息和第二操作信息中的一个，以及基于所选择的第一操作信息或者第二操作信息执行第三操作或者第四操作。

公开(公告)号：CN102543153A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110277504.4

申请日：2011-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正 ,  申在光 ,  崔贤植 ,  丁亨洙

IPC: G11C7/22 ,  G11C7/08 ,  G11C7/18

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C7/04 ,  G11C7/062 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5642 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/0021 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/004 ,  G11C2207/002

Abstract: 一种半导体器件和读出半导体器件的数据的方法，该半导体器件包括：存储单元阵列，包括布置在至少一条位线和至少一条字线交叉之处的区域中的至少一个存储单元；和读出单元，读出存储在该至少一个存储单元中的数据，其中该读出单元包括：连接控制单元，根据具有可变电压电平的控制信号和该至少一条位线的电压电平控制该至少一条位线和读出线之间的连接；和读出放大单元，比较读出线的电压与参考电压并且读出存储在至少一个存储单元中的数据。

公开(公告)号：CN102044553A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010229497.6

申请日：2010-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正 ,  柳寅敬 ,  金昌桢 ,  洪起夏

IPC: H01L27/24 ,  G11C16/06

CPC classification number: H01L27/222 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件可以包括：衬底；多条第一信号线，在衬底上且沿垂直方向；多个存储单元，具有连接到多条第一信号线的末端；多条第二信号线，在衬底上且垂直于多条第一信号线，并且每个所述第二信号线连接到多个存储单元的另一末端；以及多个选择元件，在衬底上并连接到多条第一信号线中的至少两条。