-
公开(公告)号：CN105551934A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510910126.7
申请日：2015-12-10
Applicant: 三峡大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/0352 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02381 , H01L21/02527 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L31/035218 , H01L31/202
Abstract: 本发明公开了一种含硅量子点碳硅基薄膜材料制备方法，步骤为：采用标准RCA清洗技术清洗单晶硅基片；采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积非化学计量比碳化硅薄膜，硅量子点在非化学计量比碳化硅薄膜沉积过程中形成；采用等离子体增强化学气相沉积技术在非化学计量比碳化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜；依次上述重复，制备周期性多层膜。经过上述步骤所制备的含硅量子点碳硅基薄膜材料具有制备工艺简单、能耗小、薄膜面积大、均匀性好、缺陷态少以及载流子遂穿势垒低等优点。本发明所提供的方法在硅量子点光电器件制备与应用方面有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN104715933A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510068570.9
申请日：2015-02-10
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔碳纳米棒阵列电极及其制备方法，以氧化锌纳米线阵列为模板，以烃类气体为碳源，采用原位化学气相沉积法制得碳纳米棒阵列。本发明制备的碳纳米棒阵列表面呈多孔结构，阵列长度为2.5-4μm，直径为50-200nm。该碳纳米棒阵列为一维阵列结构，有利于电荷的传输，且表面呈多孔结构，具有较大的比表面积，可作为超级电容器电极。
-
公开(公告)号：CN119965008A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510219291.1
申请日：2025-02-26
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种Mo掺杂MnO2电极材料的方法及储铵材料。以碳布为基底，采用水热法，制备了Mo6+掺杂的MnO2电极材料。Mo6+促进电解液中H+的产生并与NH4+离子共嵌入，同时调控MnO2电极材料的层间距使其结构更稳定，最终提高MnO2电极的容量和循环稳定性能。在乙酸铵电解液所构成的三电极体系中，对得到的样品进行电化学性能评价，发现适量Mo6+掺杂后得到的电极材料在10mA cm‑2电流密度下，比容量高达2.92 F cm‑2，与没有掺杂的MnO2相比提升了3.5倍；并且掺杂后的电极材料在17200次充放电循环后，容量保持率为91.9%。
-
公开(公告)号：CN119650308A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411656969.4
申请日：2024-11-19
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种表面工程提高MoO3储铵性能的方法。首先采用水热法，在碳布基底上生长MoO3。接着对MoO3磷化处理，得到MoO3‑P，引入P‑O键的同时，使MoO3产生大量O空位；进一步将MoO3‑P浸入硫酸铵溶液中浸泡后，即可得到最终产物。在硫酸铵电解质所构成的三电极电化学系统中，对得到的样品进行电化学性能评价，发现在10 mA cm‑2电流密度下，样品的比容量高达260.7 mAh g‑1，并且在2100次充放电循环后，保持98.87%的容量值。
-
公开(公告)号：CN117181553A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310951220.1
申请日：2023-07-31
Applicant: 三峡大学
IPC: B05D1/18 , B05D3/12 , B05D3/00 , B05D5/00 , B05D7/14 , B23K26/352 , B23K26/082 , B23K26/70 , C09D7/63
Abstract: 本发明公开了一种钢基超疏水涂层的制备方法，利用聚多巴胺微胶囊在钢基体上制备具有自修复与光热性能的超疏水涂层的方法。该方法包括(1)利用激光烧蚀法在钢表面构造大尺寸空腔结构和(2)采用浸涂法在所得粗糙表面涂敷包裹十八烷基三甲氧基硅烷（ODTMS）的PDA微胶囊。上述PDA微胶囊的制备方法如下：将ODTMS超声分散在碱性溶液中，随后加入盐酸多巴胺（DA‑HCl），并进行水浴加热；由该法所得的超疏水涂层具有良好的光热特性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115449268A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211110238.0
申请日：2022-09-13
Applicant: 三峡大学
IPC: C09D127/16 , C09D183/04 , C09D5/24 , C09D7/61 , B05D1/02 , B05D1/28 , B05D1/38 , B05D3/02 , B05D7/00 , B05D7/14 , B05D7/24
Abstract: 本发明公开了一种柔性可粘贴电热/光热超疏水涂层的制备方法，以N‑N二甲基甲酰胺为溶剂，加入聚偏氟乙烯；在室温下以乙酸乙酯为溶剂，加入聚二甲基硅氧烷搅拌溶解，多壁碳纳米管、石墨粉、氮化钛纳米颗粒，之后在混合浆料中加入PDMS固化剂；室温下，部分PVDF均质溶液与得到的浆料混合搅拌；部分PVDF均质溶液喷涂或刮涂在基片表面，烘干；均质混合浆料刮涂在所得到的烘干处理后的基片表面，烘烤干燥，冷却，剥离，得到柔性可粘贴电热/光热超疏水涂层。本发明所制备的这种可粘贴电热/光热超疏水涂层不仅具有优异的柔韧性、延展性、自清洁、电热和光热特性，能通过粘胶任意粘在固体物体表面，在防冰除冰领域有着较好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN115433501A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211110342.X
申请日：2022-09-13
Applicant: 三峡大学
IPC: C09D163/00 , C09D7/61
Abstract: 本发明公开一种带有摩擦防护颗粒超疏水涂层的制备方法，其关键技术是通过在涂层内植入大粒径二氧化硅颗粒作为超疏水涂层抗摩擦保护颗粒，由此显著提高超疏水涂层耐摩擦特性。将环氧树脂溶解在丙酮中，形成环氧树脂溶液；将十八胺、不同小粒径二氧化硅颗粒、大粒径二氧化硅颗粒、十六烷基三甲氧基硅烷、环氧树脂固化剂按一定质量比加入到所制备的环氧树脂溶液中，之后在水浴中加热搅拌，由此得到超疏水涂层镀膜胶质溶液；将基片浸入到超疏水涂层镀膜胶质溶液中，采用提拉法制备薄膜；将提拉镀膜后的基片在空气中静置一段时间后放入烘箱中进行烘烤干燥，烘烤结束后便可获得一种带有摩擦防护颗粒的超疏水涂层。
-
公开(公告)号：CN113380552B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110547956.3
申请日：2021-05-19
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种P掺杂FeS/Co3S4/Co9S8纳米复合材料的制备方法及在高电压水系对称超级电容器中的应用。以泡沫镍为基底，铁盐、钴盐为金属源，氟化铵和尿素为沉淀剂，硫化钠为硫化剂，次磷酸钠为无机磷源。首先获得均匀生长在泡沫镍基底上的FeS/Co3S4/Co9S8三相纳米复合材料；再使用化学气相沉积法获得具有银耳结构的P掺杂FeS/Co3S4/Co9S8纳米复合材料。将制备的P掺杂FeS/Co3S4/Co9S8纳米复合材料组装成三电极体系，在1M KOH电解液中进行电化学性能评价，在‑1~0V电位区间，最大容量高达531 F/g(10A/g)，2万次循环后容量保持率为71.36%；在0~0.55V电位区间内，初始容量为1028.78F/g(10A/g)，20000次循环后容量上升至2492.73F/g，即容量保持率为242.3%。
-
公开(公告)号：CN113380553B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110568993.2
申请日：2021-05-25
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种Co3S4/Co(CO3)0.5(OH)·0.11H2O等级纳米线阵列电极材料的制备及活化方法，以泡沫镍为基底，硝酸钴为钴源，尿素为核剂，硫脲为硫源，采用水热法，得到等级阵列结构的Co3S4/Co(CO3)0.5(OH)·0.11H2O复合电极材料：即由直径约为20nm的纳米线交缠形成直径约100nm的纳米线，纳米线均匀生长在泡沫镍上形成阵列结构。这种由多根纳米线构成的特殊等级阵列结构，比仅由100纳米直径的纳米线构成的阵列提供更多活性位点，有利于获得更大的容量；比仅由20纳米直径的纳米线构成阵列的结构更稳定，在循环过程中不易坍塌。不仅如此，通过一定条件充放电处理，样品的离子传输电阻明显下降，容量进一步增大。
-
公开(公告)号：CN113373427B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110500953.4
申请日：2021-05-08
Applicant: 三峡大学
IPC: C23C16/32 , C23C16/505 , C23C16/04
Abstract: 本发明公开了一种基于PECVD技术制备无机透明超疏水碳化硅薄膜的方法。针对超疏水薄膜须具有表面多级粗糙结构和低表面能特性，以甲烷和硅烷为工作气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术通过掩膜板多次交叉沉积方式在玻璃板表面构筑具有多级微纳粗糙结构的碳化硅薄膜。基于该粗糙结构，优化PECVD工艺参数使所制备碳化硅薄膜含有大量低表面能‑CHn基团，避开常用有机硅氧烷和有毒氟化物对材料进行低表面能修饰工艺，在不采用任何有机表面修饰剂的条件下便可获得兼具透明性和超疏水特性的碳化硅薄膜。制备的碳化硅透明超疏水薄膜成本低廉，在光伏玻璃板、显示屏幕、挡风玻璃以及建筑幕墙玻璃自清洁和防污等方面具有广阔的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
108
records
(took 0.016 seconds)
