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公开(公告)号：CN113673193B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110906714.9
申请日：2021-08-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G06F30/337 , G06F30/3315 , G06F119/12
Abstract: 本发明公开了一种基于寄存器灵活时序库的电路时序优化方法，首先通过在多组输入信号转换时间、时钟信号转换时间和寄存器负载电容情况下分别对寄存器仿真，通过改变寄存器的建立松弛和保持松弛，获得此时对应的实际传播延时，并通过线性插值获得特定的输入信号转换时间、时钟信号转换时间、寄存器负载电容、建立松弛和保持松弛下寄存器实际传播延时，从而建立寄存器灵活时序库；然后利用该库对电路中的所有寄存器路径进行静态时序分析，通过改变寄存器的建立松弛和保持松弛，找到满足建立时间余量和保持时间余量均大于零条件的最小时钟周期，从而在不改变电路设计、不增加电路面积开销的情况下提高电路性能。
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公开(公告)号：CN115133770A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210953278.5
申请日：2022-08-10
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于多相Buck变换器的自适应切相控制模块，包括阈值判断模块和自动相位交错模块；所述阈值判断模块用于对各相电感电流之和Isum进行阈值判断，得出当前负载条件下有效相位数M；阈值判断模块输出有效相位数M到自动相位交错模块。自动相位交错模块用于将有效相所需的数字斜坡分别与对应误差补偿量进行比较，实现M相数字斜坡信号相位间隔均等分配，实现误差补偿运算中M相标志信号触发间隔均等分配，从而使得各相Buck变换器开关控制信号相位间隔的自适应均等分配，确保各相电感电流叠加之后的总输出电流纹波幅度达到最小值，实现切相后各开关控制信号相位间隔的自适应调整。
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公开(公告)号：CN114938135A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210445598.X
申请日：2022-04-26
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于降压变换器的多模式有源瞬态响应控制方法，降压变换器包括基本拓扑功率级和控制级；基本拓扑功率级包括输入电源Vin、上管MOS1、下管MOS2、电感L和其寄生电阻RL、输出电容CO和负载RO；控制级包括控制器和ATR控制模块。通过检测输出电压的大小，斜率和平均相电流通过一种比较算法产生有源瞬态响应控制信号。本发明相较于传统的有源瞬态响应控制方法能够更快速的稳定负载从重载切为轻载时产生的输出电压过冲。
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公开(公告)号：CN109709517B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201811502933.5
申请日：2018-12-10
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01S5/20
Abstract: 本发明公开了基于模拟退火算法的SRP‑PHAT声源定位网格搜索方法，涉及声源定位技术，属于测量测试的技术领域。首先，将以MIC阵列为中心的搜索空间进行栅格化；然后，选择出现声源概率最大的栅格点作为模拟退火算法的初始当前解并计算对应的可控响应功率；将当前解随机移动到相邻的栅格点产生新解，计算可控响应功率，若新解可控响应功率大于当前解可控响应功率，则接收新解为当前解，否则以exp(‑Tdelta/T)的概率接收为当前解；将当前温度T下降Tdelta，将当前解随机移动到相邻的栅格点，确定新的当前解和新解；依此循环，直至满足一定条件结束，最大可控响应功率对应的解即是声源位置。本申请在不损失定位精度的条件下快速找到最大可控响应功率点，提高了定位的实时性。
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公开(公告)号：CN114864687A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210643562.2
申请日：2022-06-08
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种集成自反馈栅控制结构的氮化镓功率半导体器件，包括：衬底，缓冲层，沟道层，势垒层，由第一金属源电极、第一P型氮化镓帽层、第一金属栅电极、第一金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属栅电极构成的栅控制区，由第一金属源电极、第三P型氮化镓帽层、第三金属栅电极、第二金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属源电极构成的有源工作区；本发明通过栅控制区调节器件整体栅漏电大小，集成度高，寄生少，同时可以有效缓解电荷存储效应，提高器件阈值稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114725091A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210361085.0
申请日：2022-04-07
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L27/085 , H01L29/778 , H01L29/20
Abstract: 一种实现氮化镓CMOS逻辑电路的结构，包括：实现P沟道氮化镓晶体管：从下到上顺序设有衬底、氮化铝成核层、铝镓氮缓冲层、第一铝镓氮势垒层、氮化镓沟道层，氮化镓沟道层上方设有第三铝镓氮势垒层、钝化层、金属源极、金属漏极，第三铝镓氮势垒层上方设有栅极介质层，栅极介质层上方设有栅极金属。实现N沟道氮化镓晶体管：从下到上顺序设有衬底、氮化铝成核层、铝镓氮缓冲层、第一铝镓氮势垒层、氮化镓沟道层、第二铝镓氮势垒层，第二铝镓氮势垒层上方设有P型氮化镓层、钝化层、金属源极、金属漏极，P型氮化镓层上方设有栅极金属。本发明实现P沟道和N沟道氮化镓器件的增强型操作，减少散射对空穴迁移率影响，提高P沟道器件的输出电流。
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公开(公告)号：CN114157147A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111439240.8
申请日：2021-11-30
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高功率密度的自激式降压变换器辅助电源电路。该辅助电源包括：降压主回路(1)、复位驱动电路(2)、限流保护电路(3)、稳压电路(4)；其中，降压主回路(1)的输入端接限流保护电路(3)，降压主回路(1)的输出端接稳压电路(4)，稳压电路(4)的输出端即输出电压(Vout)接负载(Load)，限流保护电路(3)的输入端接输入电压(Vin2)；复位驱动电路(2)的一端接限流保护电路(3)，另一端接输出电压(Vout)。本发明解决了现有自激式降压变换器功率密度低、接受输入电压不够宽泛、工作频率不够高、输出纹波高、噪声高的问题，同时也实现了过压保护和过流保护以及自适应软启动的功能。
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公开(公告)号：CN114157145A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111439320.3
申请日：2021-11-30
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种DC‑DC开关电源的电感电流预估方法，包括电压采样模块、数据转换模块、开关信号计数模块、电感电压计算模块和数字滤波器模块；输入电压和输出电压经过电压采样模块和数据转换模块，得到位数相同的转换后的输入电压和转换后的输出电压；节点电压与参考电压进行比较，再通过开关信号计数模块得到占空比；然后电感电压计算模块输出电感和寄生阻两端的电压平均值，再经过数字滤波器模块最终得到预估的电感电流；本发明在只采样输入和输出电压的情况下，能准确估算出实时电感电流，且不需要增加额外的电阻、电容和运放等模拟采样电路，不需要远高于开关频率的高速ADC，可降低成本、减小电路体积，具有很高泛用性。
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公开(公告)号：CN113990965A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111230806.6
申请日：2021-10-22
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种混合石墨烯电极的半导体器件及其制造方法，该器件的元胞结构包括：N型衬底，N型缓冲层，N型外延层，表面设有与N型外延层形成肖特基接触的石墨烯电极和金属电极，衬底下面设有与N型衬底形成欧姆接触的金属背电极。本发明的优点在于石墨烯具有极高的透光率和可调控的功函数，其与功函数较高的金属在N型外延层表面组成混合电极，可使器件的暗电流降低，噪音降低，灵敏度提高，检测弱信号能力增强，波长探测范围增大，性能稳定性提高。还可以降低器件正向导通状态时的开启电压，以及降低阻断状态下的泄漏电流，提高击穿电压。本发明器件可应用于光电领域和功率领域。
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公开(公告)号：CN113782601A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111011687.5
申请日：2021-08-31
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/40
Abstract: 本发明是一种具有低饱和电流特性的氮化镓功率器件，包括：P型硅衬底上方设有氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层、源极和漏极，作为连接铝镓氮势垒层两端至外围的输入\输出，源极与铝镓氮势垒层左端形成欧姆接触，漏极金属和铝镓氮势垒层右端形成欧姆接触，铝镓氮势垒层上方设有P型氮化镓层，P型氮化镓层上方设有栅极金属连接铝镓氮势垒层至结构外围的输入\输出，栅极金属和P型氮化镓层形成肖特基接触，P型氮化镓层和栅极在源漏极之间相对距离源极较近，相对距离漏极较远，铝镓氮势垒层上方漏极和P型氮化镓之间设有氮化物钝化层，本发明结构可以有效降低氮化镓功率器件的饱和电流，提高整个器件结构的安全性和可靠性。
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