半导体装置及摄像装置
    61.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101446736B

    公开(公告)日:2010-11-03

    申请号:CN200810177441.3

    申请日:2008-11-27

    Abstract: 本发明提供一种具有驱动芯片(20)和逻辑芯片(30)的带有防振控制功能的MCP半导体装置。逻辑芯片(30)具有:基于振动检测信号求出设备的振动量以生成修正信号的信号处理部(300);和控制信号输出部(350),其执行光学部件的振动修正控制,包括输出与修正信号相应的振动控制信号的多种类的信号输出部(352、354、356)。芯片(30)还包括输出切换部(SW51、53、55),该输出切换部具有向驱动芯片(20)输出振动控制信号的驱动输出端子和向驱动芯片以外的外部电路输出控制信号的外部输出端子,将多个信号输出部内的任意一个连接到驱动用输出端子或外部输出端子。由此提供一种具有适用范围广的振动修正功能的逻辑芯片。

    防振控制电路
    62.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101872103A

    公开(公告)日:2010-10-27

    申请号:CN201010166637.X

    申请日:2010-04-20

    CPC classification number: H04N5/23248 G03B2217/005

    Abstract: 本发明提供一种防振控制电路,其降低了静止图像摄像之后的防振控制的不连续性。防振控制电路中设有高通滤波器(200),所述高通滤波器(200)包括:低通滤波器(30),仅使输入信号的第1频率以下的频率分量通过;锁存部(38),其根据控制信号对低通滤波器(30)的输出进行锁存;运算器(40),其输出输入信号与锁存部(38)的输出之间的差值。并且,在解除锁存器(38)中的锁存时,将锁存部(38)的保持值逐步改变至低通滤波器(30)的输出值。将这种高通滤波器(200)用于光学元件的定中心处理。

    充电泵电路
    63.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101272091B

    公开(公告)日:2010-10-20

    申请号:CN200810096347.5

    申请日:2008-02-27

    CPC classification number: H02M3/07 H02M2001/009 H02M2003/071

    Abstract: 本发明提供一种充电泵电路,其具有产生负电位的负电位产生充电泵电路和产生正电位的正电位产生充电泵电路,可以防止寄生双极型晶体管导通,正常地进行充电泵电路的升压工作。首先,使负电位产生充电泵电路(112)工作,产生-VDD作为输出电位LV。由于将输出电位LV施加到P型半导体衬底(10)上,因此P型半导体衬底(10)的电位成为-VDD。之后,一边使负电位产生充电泵电路(112)继续工作,一边开始正电位产生充电泵电路(111)的工作。由于P型半导体衬底(10)的电位成为-VDD,因此,正电位产生充电泵电路(111)正常地进行工作。在正电位产生充电泵电路(111)的输出电位HV变为2VDD之后,使负电位产生充电泵电路(112)按照第二工作模式(HV的反相工作)工作。

    摄像装置
    64.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101238974B

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN200810005302.2

    申请日:2008-01-30

    Abstract: 本发明涉及一种能够对被摄体的可见光像与红外光像的合成图像进行摄影的摄像装置,可实现结构的简化并提高便利性。作为对含有红外荧光物质的被摄体的光源(6),具备可见光源(20)和激励荧光物质的激励光源(22)。来自被摄体的光通过光学滤光器(10)入射到CCD图像传感器(12)。光学滤光器(10)阻止激励光并透过荧光。而且,为了在可见光像上清楚地显示由微弱的荧光形成的红外光像,将光学滤光器(10)相对可见光的透过率设定得比相对荧光的低。由于CCD图像传感器(12)不仅对可见光中具有灵敏度,而且对红外光也具有灵敏度,所以,可通过来自光学滤光器(10)的入射光来输出合成图像的图像信号。

    绝缘栅型半导体装置
    65.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101132024B

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:CN200710140986.2

    申请日:2007-08-15

    Abstract: 本发明提供一种绝缘栅型半导体装置。在现有结构中,源极区域及反向栅区域与共同的源极电极接触,不能分别控制源极区域和反向栅区域的电位。因此,在将这种MOSFET用于双向转换元件时,将两个MOSFET串联连接,由控制电路进行MOSFET的导通截止及寄生二极管的控制,阻碍了装置的小型化。在动作区域整个面上设置源极区域,在沟槽间的源极区域下方设置第一反向栅区域,在源极区域外设置与第一反向栅区域连接的第二反向栅区域。将与源极区域接触的第一电极层设置在动作区域的整个面上,将与第二反向栅区域接触的第二电极层设置在第一电极层的外周。能够分别对第一电极层和第二电极层施加电位,进行防止寄生二极管引起的逆流的控制。

    马达驱动电路
    66.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101789733A

    公开(公告)日:2010-07-28

    申请号:CN201010001283.3

    申请日:2010-01-21

    CPC classification number: H02P6/20

    Abstract: 本发明提供一种马达驱动电路,具备:第1脉波产生电路,产生一方的逻辑电平的第1工作比随着依据马达的目标旋转速度的驱动电压上升而变高的第1脉波信号;第2脉波产生电路,产生一方的逻辑电平的第2工作比相异于所述第1工作比的第2脉波信号;及驱动控制电路,根据依据所述马达的旋转的旋转信号,在自所述马达停止的状态开始旋转时是以所述第2工作比将驱动电流供给至马达线圈,在所述马达开始旋转的预定期间后是以所述第1工作比将驱动电流供给至所述马达线圈。本发明能够以低速启动马达并且担保有软启动功能。

    开关电源控制电路
    67.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101789693A

    公开(公告)日:2010-07-28

    申请号:CN201010106476.5

    申请日:2010-01-26

    CPC classification number: H02M3/1588 Y02B70/1466

    Abstract: 本发明提供一种开关电源控制电路,在输出成为过电压之后,不需从外部输入信号,即可自律性再度启动控制。本发明开关电源控制电路的特征为具备:第1控制电路,根据第1反馈电压与第1基准电压而使输入电压施加于输入电极的第1晶体管、及与第1晶体管串联连接的第2晶体管动作,该第1反馈电压与经由第1晶体管及第2晶体管的连接点而获得的输出电压对应;及第2控制电路,与输出电压对应,当随着输出电压的上升而变高的第2反馈电压较第2基准电压为低时,使第1控制电路互补性地导通关断第1晶体管及第2晶体管以使第1反馈电压成为第1基准电压,而于第2反馈电压较第2基准电压为高时,使第1控制电路关断第2晶体管。

    发光组件驱动电路
    68.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101754533A

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200910259467.7

    申请日:2009-12-18

    Inventor: 新井刚史

    CPC classification number: G09G3/342 G09G2320/064 G09G2320/0646

    Abstract: 本发明提供一种发光组件驱动电路,该发光组件驱动电路具备:PWM信号输出电路,依据表示相对于多个发光组件的各者的亮度的色阶数据,对应于多个发光组件的各者,输出一方逻辑电平成为对应色阶数据的工作比的多个PWM信号;驱动信号输出电路,依据用以使多个发光组件的亮度变化的指示数据,使输入的多个PWM信号各者的工作比变化而作为多个驱动信号予以输出;及驱动电路,依据多个驱动信号各者的工作比,驱动多个发光组件。本发明可抑制多个发光组件亮度变化时的时间偏差。

    半导体装置
    69.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101355106B

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200810131682.4

    申请日:2008-07-23

    CPC classification number: H01L29/808 H01L29/0692 H01L29/1066

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置。J-FET中由于栅极-源极间电压和漏极-源极间电压的关系导致耗尽层宽度不同,所以条状的情况下,漏极区域-栅极区域间的距离设定为大于源极区域-栅极区域间的距离。但是,为了提高正向转移导纳(gm)而将栅极区域格子状配置时,它们成为相同距离,存在维持耐压时箱面积增大的问题。本发明使栅极区域为具有第一多边形和比该第一多边形小的第二多边形的网状图案,在其内侧配置源极区域和漏极区域。这样,与栅极区域配置为条状的结构相比较,可增加正向转移导纳(gm)。另外,与栅极区域配置为格子状的情况相比较,可维持规定的耐压并将输入容量(Ciss)增加而引起的正向转移特性(增幅特性)的恶化抑制到最小。

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