公开(公告)号：CN101272091B

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200810096347.5

申请日：2008-02-27

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 木村大树 ,  后藤贤介

IPC: H02M3/07

CPC classification number: H02M3/07 ,  H02M2001/009 ,  H02M2003/071

Abstract: 本发明提供一种充电泵电路，其具有产生负电位的负电位产生充电泵电路和产生正电位的正电位产生充电泵电路，可以防止寄生双极型晶体管导通，正常地进行充电泵电路的升压工作。首先，使负电位产生充电泵电路(112)工作，产生-VDD作为输出电位LV。由于将输出电位LV施加到P型半导体衬底(10)上，因此P型半导体衬底(10)的电位成为-VDD。之后，一边使负电位产生充电泵电路(112)继续工作，一边开始正电位产生充电泵电路(111)的工作。由于P型半导体衬底(10)的电位成为-VDD，因此，正电位产生充电泵电路(111)正常地进行工作。在正电位产生充电泵电路(111)的输出电位HV变为2VDD之后，使负电位产生充电泵电路(112)按照第二工作模式(HV的反相工作)工作。

公开(公告)号：CN101272091A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810096347.5

申请日：2008-02-27

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 木村大树 ,  后藤贤介

IPC: H02M3/07

CPC classification number: H02M3/07 ,  H02M2001/009 ,  H02M2003/071

Abstract: 本发明提供一种充电泵电路，其具有产生负电位的负电位产生充电泵电路和产生正电位的正电位产生充电泵电路，可以防止寄生双极型晶体管导通，正常地进行充电泵电路的升压工作。首先，使负电位产生充电泵电路(112)工作，产生－VDD作为输出电位LV。由于将输出电位LV施加到P型半导体衬底(10)上，因此P型半导体衬底(10)的电位成为－VDD。之后，一边使负电位产生充电泵电路(112)继续工作，一边开始正电位产生充电泵电路(111)的工作。由于P型半导体衬底(10)的电位成为－VDD，因此，正电位产生充电泵电路(111)正常地进行工作。在正电位产生充电泵电路(111)的输出电位HV变为2VDD之后，使负电位产生充电泵电路(112)按照第二工作模式(HV的反相工作)工作。